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含吲哚侧基聚苯乙烯的合成及其后修饰
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作者 张苏韬 许海 +1 位作者 何江华 张越涛 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1147-1152,I0004,共7页
通过可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合合成了一种含吲哚侧基的聚苯乙烯.在B(C6F5)3的催化下,硅烷与吲哚C3位的选择性硅烷化反应实现了所得聚苯乙烯的后修饰.聚合物通过GPC和1H-NMR表征,证明在不破坏聚苯乙烯主链的情况下,聚合物侧链引入... 通过可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合合成了一种含吲哚侧基的聚苯乙烯.在B(C6F5)3的催化下,硅烷与吲哚C3位的选择性硅烷化反应实现了所得聚苯乙烯的后修饰.聚合物通过GPC和1H-NMR表征,证明在不破坏聚苯乙烯主链的情况下,聚合物侧链引入了C3硅烷化吲哚侧基.在选用位阻较小的苯基二甲基硅烷(PhMe2SiH)进行修饰时,所得聚苯乙烯的硅烷化吲哚侧基的嵌入率可达50%.在选用含四苯乙烯的硅烷进行修饰时,所得聚苯乙烯的硅烷化吲哚侧基嵌入率可达38%,且具有聚集诱导发光(AIE)性质. 展开更多
关键词 聚合物后修饰 吲哚侧基 C―H硅烷化 B(C6F5)3 聚集诱导发光
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