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机械活化强化ITO废料中铟浸出的动力学研究 被引量:9
1
作者 黎铉海 李秀敏 潘柳萍 《金属矿山》 CAS 北大核心 2006年第3期46-48,共3页
研究了ITO经机械活化后与盐酸反应的动力学规律。研究结果表明,ITO在搅拌磨中经机械活化后,化学活性提高,与HCl的反应速度加快,活化30min后与HCl反应的活化能由未活化时的90.6kJ/mol降至53.0kJ/mol,反应级数由原来的2.30降至1.31。
关键词 铟锡氧化物 机械活化 浸出 动力学
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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文) 被引量:12
2
作者 姚雨 靳彩霞 +2 位作者 董志江 孙卓 黄素梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期273-277,共5页
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统... 应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。 展开更多
关键词 GAN基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻
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ITO用作铁电薄膜电极的研究 被引量:6
3
作者 李金华 陈汉松 +2 位作者 李坤 汤国英 陈王丽华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页
研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法... 研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法使PLT、PZT的sol -gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大 ,sol -gelITO也无法作sol -gel铁电膜 (如PLT ,PZT)的上电极。但在CVDITO膜上 ,sol -gel铁电膜能很好结晶 ,且Au/PLT/ITO电容 ,具有良好的电学性能。 展开更多
关键词 ITO薄膜 铁电电容电极 SOL-GEL法 FERAM 随机存
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氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究 被引量:7
4
作者 顾锦华 陆轴 +2 位作者 龙路 康淮 钟志有 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第2期91-96,140,共7页
以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄... 以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10^(-3))、位错密度最小(3.409×10^(14)m^(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能. 展开更多
关键词 氧化铟锡 薄膜 微结构 结晶性能
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纳米氧化铟锡表面改性研究 被引量:2
5
作者 李凤雷 王庭慰 +1 位作者 沈晓东 崔升 《合成纤维工业》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期7-9,共3页
在不同的分散体系中采用机械分散加超声波分散的方法对纳米氧化铟锡(ITO)粒子进行表面处 理,并采用TG-DSC,TEM对改性前后的ITO进行了分析和表征。结果表明:采用乙二醇为分散介质,加入偶 联剂(摩尔分数)KH570 1%或十八醇0.5%后,球磨15... 在不同的分散体系中采用机械分散加超声波分散的方法对纳米氧化铟锡(ITO)粒子进行表面处 理,并采用TG-DSC,TEM对改性前后的ITO进行了分析和表征。结果表明:采用乙二醇为分散介质,加入偶 联剂(摩尔分数)KH570 1%或十八醇0.5%后,球磨15h和超声波处理30min可以使纳米ITO得到很好的 分散,纳米ITO表面改性效果好。 展开更多
关键词 氧化铟锡 纳米 改性研究 TG-DSC 超声波分散 超声波处理 ITO 表面处理 分散体系 分散介质 摩尔分数 改性效果 TEM 乙二醇 偶联剂 十八醇 球磨
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氧气等离子体处理对铟锡氧化物薄膜表面性质的影响(英文) 被引量:4
6
作者 顾锦华 陆轴 康淮 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第3期445-451,共7页
采用氧气等离子体处理对铟锡氧化物(ITO)薄膜进行表面改性,基于化学组分、接触角、表面能和极性度的测试表征,研究了氧气等离子体处理对ITO表面性质的影响以及表面性能随放置时间的变化.实验结果表明:氧气等离子体处理有效去除了ITO表... 采用氧气等离子体处理对铟锡氧化物(ITO)薄膜进行表面改性,基于化学组分、接触角、表面能和极性度的测试表征,研究了氧气等离子体处理对ITO表面性质的影响以及表面性能随放置时间的变化.实验结果表明:氧气等离子体处理有效去除了ITO表面的污染物,改善了ITO表面的化学组分、提高了表面能、极性度和润湿性,从而优化了ITO的表面性能.但是随着处理后放置时间的增加,ITO薄膜的表面能减小、极性度降低、润湿性退化,从而相应的表面性能也变差. 展开更多
关键词 铟锡氧化物 氧气等离子体处理 表面性质
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铟化合物致肺部疾病的临床特点 被引量:3
7
作者 郭孔荣 刘佳 +1 位作者 张静波 孙道远 《中华劳动卫生职业病杂志》 CAS CSCD 2015年第8期618-621,共4页
目的探讨铟化合物所致肺部疾病的临床特点。方法通过检索中文数据库和Pubmed,Embase,Web of Science数据库收集1998年1月至2014年4月关于铟化合物所致肺部疾病的研究资料,对报道的临床病例及有关职业暴露情况、实验资料进行分析总结... 目的探讨铟化合物所致肺部疾病的临床特点。方法通过检索中文数据库和Pubmed,Embase,Web of Science数据库收集1998年1月至2014年4月关于铟化合物所致肺部疾病的研究资料,对报道的临床病例及有关职业暴露情况、实验资料进行分析总结。结果1998至2010年3月共报道了10例铟化合物所致肺部疾病,日本报道了7例铟化合物所致问质性肺部疾病,美国报道2例铟化合物所致肺泡蛋白沉着症,中国报道了1例铟化合物所致肺泡蛋白沉着症。患者发病前均接触氧化铟锡(ITO),工龄9个月至20年;8例有血清铟浓度增高,检测值为40~290μg/L;诊断为间质性肺炎的潜伏期为2~14年,诊断为肺泡蛋白沉着症的潜伏期6~14个月;10例患者中有8例胸部CT提示两肺广泛或局部毛玻璃影,其中3例同时伴小叶中心结节;8例检测肺功能的患者仅1例正常。诊断间质性肺炎者中4例发现肺泡内有胆固醇碎片,3例有巨噬细胞吞噬颗粒,经X线能量散射分析仪检测发现颗粒含铟、锡成分。6例描述预后的患者中3例死亡。结论职业暴露铟化合物可引起不同的肺部疾病,表现为问质性肺炎或肺泡蛋白沉着症,且预后多不良。车间环境中铟浓度、血清中铟浓度与所患疾病之间的关系尚不明确。 展开更多
关键词 氧化铟锡 职业暴露 肺疾病 间质性 肺泡蛋白沉着症
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射频等离子体改性工艺与氧化铟锡薄膜性能研究 被引量:2
8
作者 钟志有 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期138-142,共5页
采用正交实验方法研究了氧气等离子体表面改性中各工艺因素对ITO薄膜表面性质的影响,获得了ITO表面改性的最佳工艺条件,并且通过XPS,AFM,透射光谱的分析以及薄膜表面接触角和方块电阻的测量,表征了优化工艺条件下氧气等离子体处理前后IT... 采用正交实验方法研究了氧气等离子体表面改性中各工艺因素对ITO薄膜表面性质的影响,获得了ITO表面改性的最佳工艺条件,并且通过XPS,AFM,透射光谱的分析以及薄膜表面接触角和方块电阻的测量,表征了优化工艺条件下氧气等离子体处理前后ITO薄膜的表面性质。结果表明,氧气等离子体处理降低了ITO表面的粗糙度和方块电阻,改善了ITO表面的化学组分和浸润性能。另外,以表面处理前后的ITO基片作为空穴注入电极,采用真空热蒸镀技术制备了有机薄膜电致发光(OTFEL)器件,并对器件的电流-电压-亮度特性以及电流效率进行了测试和分析,实验结果显示,氧气等离子体处理降低了启亮电压和驱动电压,提高了发光亮度和电流效率,有效地改善了OTFEL器件的光电性能。 展开更多
关键词 氧化铟锡 氧气等离子体表面改性 X射线光电子能谱 原子力显微镜 透射光谱
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铟锡氧化物(ITO)前驱体的相演变规律研究 被引量:3
9
作者 廖红卫 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期64-67,共4页
采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶... 采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶体的相演变规律进行了系统的研究。立方结构In(OH)3向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于150℃,在300℃左右转变完全并且表现为一种吸热行为。四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体转变起始于220℃并且终止于430℃。此外,四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体的转变包含2个子过程,一个表现为吸热行为的InOOH脱水过程,另一个表现为强烈放热行为的InOOH脱水产物向刚玉型结构ITO固溶体的转变过程。刚玉型结构ITO固溶体在空气中处于亚稳态,并且在加热的条件下可以转变为萤石型结构ITO固溶体。刚玉型结构ITO固溶体向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于578℃,在800℃以前转变终止并且表现为一种弱吸热行为。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ITO) 前驱体 相演变规律
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ITO纳米粉的低温制备
10
作者 张贤高 贺平 +1 位作者 贾志杰 黄新堂 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期44-45,共2页
介绍了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法.将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在300℃、2 MPa的条件下就可制得5~20 nm的ITO纳米粉.用XRD、TEM分析ITO纳米粉的形貌为纺锤状,结晶状况良好,更有利于制备高致密度靶材.与其它方... 介绍了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法.将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在300℃、2 MPa的条件下就可制得5~20 nm的ITO纳米粉.用XRD、TEM分析ITO纳米粉的形貌为纺锤状,结晶状况良好,更有利于制备高致密度靶材.与其它方法相比,本方法反应条件柔和,反应温度降低了约200℃. 展开更多
关键词 铟锡氧化物 水热法 低温 制备
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铟锡氧化物对大鼠体内铁、锌、铜元素含量的影响 被引量:2
11
作者 常志敏 刘园 +5 位作者 张晓星 蔚岩 曹福源 李清钊 刘楠 关维俊 《环境与职业医学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期160-164,共5页
[目的]探讨铟锡氧化物(ITO)对大鼠体内铁、锌、铜元素含量的影响。[方法]选取SPF级Wistar雄性大鼠24只,随机分为对照组、ITO 3 mg/kg组和ITO 6 mg/kg组。对染毒组大鼠进行肺灌注染毒,每周2次,连续染毒8周。染毒结束后,在屏障环境下继续... [目的]探讨铟锡氧化物(ITO)对大鼠体内铁、锌、铜元素含量的影响。[方法]选取SPF级Wistar雄性大鼠24只,随机分为对照组、ITO 3 mg/kg组和ITO 6 mg/kg组。对染毒组大鼠进行肺灌注染毒,每周2次,连续染毒8周。染毒结束后,在屏障环境下继续喂养8周。造模结束后立即处死大鼠,摘取其肺脏、肝脏、肾脏、心脏、脾脏和股骨,经微波消解处理后,采用电感耦合等离子体质谱法测定铟、铁、锌、铜元素含量。[结果]与对照组相比,ITO 3 mg组和6 mg组大鼠肺脏、肝脏、心脏、脾脏、股骨铟含量均更高(均P<0.05),肺脏、肾脏中锌含量更低(均P<0.05),肺脏、肝脏中铁含量更低(均P<0.05);ITO 6 mg组大鼠肺脏、肝脏和肾脏中铜/锌值均高于对照组(P<0.05)。[结论]ITO染毒可降低大鼠肺脏组织中锌、铁含量,使铜/锌值升高,进而干扰大鼠体内微量元素的平衡。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 电感耦合等离子体质谱法
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玻璃和柔性衬底上氧化铟锡薄膜特性的对比研究 被引量:1
12
作者 王新 向嵘 +3 位作者 任新光 李野 姜德龙 端木庆铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期389-392,共4页
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射... 对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射峰的半峰宽为0.24°,生长在PET衬底上的为0.28°。两种样品在可见光区都具有很高的透过率,其中玻璃衬底上生长的薄膜的透过率约为92%,PET上生长的薄膜的透过率高达87%。两种薄膜均具有良好的导电性,玻璃衬底上薄膜的电阻率为4.2×10-4Ω.cm,柔性PET衬底上薄膜的电阻率为4.7×10-4Ω.cm。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性衬底上生长出高质量的ITO薄膜。 展开更多
关键词 氧化铟锡 磁控溅射 X射线衍射 透光率 电阻率
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激光刻蚀ITO薄膜工艺研究 被引量:2
13
作者 陈记寿 徐爱忠 刘丹 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第22期153-155,167,共4页
鉴于铟锡氧化物(indium-tin oxide,ITO)薄膜电加温玻璃在外观、力学、光学性能的特殊要求,激光刻蚀技术能否成功应用于该领域成为探讨的问题。通过激光器在不同工作功率和刻蚀速度下刻蚀ITO薄膜所达到的刻蚀效果开展研究,探索激光刻蚀工... 鉴于铟锡氧化物(indium-tin oxide,ITO)薄膜电加温玻璃在外观、力学、光学性能的特殊要求,激光刻蚀技术能否成功应用于该领域成为探讨的问题。通过激光器在不同工作功率和刻蚀速度下刻蚀ITO薄膜所达到的刻蚀效果开展研究,探索激光刻蚀工艺,并通过测试比对刻蚀前后玻璃的力学、光学特性变化,分析激光刻蚀对玻璃的影响。实验结果表明:选用ITO薄膜厚度650 nm镀膜玻璃做为实验样件,选用波长1 064 nm的激光器做为实验设备,当激光器工作功率为750 mW,刻蚀速度为500 mm/s时,薄膜被完全刻蚀,且衬底玻璃未受到损伤;经检测,刻蚀后玻璃的抗弯曲强度仅衰减7%,抗冲击强度和透光度均无变化。因此激光刻蚀技术可实际应用于电加温玻璃的薄膜刻蚀。 展开更多
关键词 激光刻蚀 ITO 薄膜 电加温玻璃
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不同表面活性剂对铟锡氧化物纳米悬浮液稳定性的影响 被引量:1
14
作者 齐天骄 邓建国 黄奕刚 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期601-604,575,共5页
在纳米铟锡氧化物纳米粉体应用中悬浮液分散稳定是一个十分重要的问题。本文采用化学改性的方法,分别用阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和硅表面活性剂对铟锡氧化物进行表面修饰以改进其悬浮液的稳定性。结果表明... 在纳米铟锡氧化物纳米粉体应用中悬浮液分散稳定是一个十分重要的问题。本文采用化学改性的方法,分别用阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和硅表面活性剂对铟锡氧化物进行表面修饰以改进其悬浮液的稳定性。结果表明,除阳离子表面活性剂外,其他表面活性剂均可以使纳米铟锡氧化物在特定的分散体系中得到很好的分散,纳米铟锡氧化物悬浮液稳定性良好。 展开更多
关键词 表面活性剂 铟锡氧化物 悬浮液
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柔性AgNWs/ITO/WO_(3)薄膜的制备及其电致变色性能 被引量:2
15
作者 王天悦 王顺花 +2 位作者 王梦颖 黄庆姣 刁训刚 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期68-75,共8页
文摘为适应电致变色领域越来越丰富的柔性化需求,解决柔性基底上直接制备电致变色薄膜性能不佳的问题。以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/银纳米线(AgNWs)为基底,采用室温直流反应磁控溅射制备了氧化铟锡(ITO)/氧化钨(WO3)薄膜,研究了AgNWs/... 文摘为适应电致变色领域越来越丰富的柔性化需求,解决柔性基底上直接制备电致变色薄膜性能不佳的问题。以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/银纳米线(AgNWs)为基底,采用室温直流反应磁控溅射制备了氧化铟锡(ITO)/氧化钨(WO3)薄膜,研究了AgNWs/ITO复合电极的光电性能以及PET/AgNWs/ITO/WO3薄膜的电致变色性能。结果表明,通过加镀ITO过渡层,克服了PET/AgNWs/WO3薄膜存在的着色不均匀、单次循环后性能迅速衰退等问题。最终获得了透过率调制为57.4%(550 nm处)、69.6%(1 000 nm处),着褪色响应时间分别为10.4 s和9.9 s,相应的着褪色效率分别为27.79 cm2/C和40.45 cm2/C的高性能柔性电致变色薄膜。薄膜在超过500次循环稳定测试以及2 000次弯折测试后仍能保证较高的透过率调制,展现出了在柔性电致变色领域的巨大应用潜力。 展开更多
关键词 电致变色 柔性 氧化铟锡 银纳米线
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Phase evolutions of two kinds of co-precipitated indium-tin oxide pre-cursors by heat-treatment
16
作者 CHENShuguang LIChenhui +2 位作者 XIONGWeihao LIULangming WANGHui 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第2期146-150,共5页
Two kinds of indium-tin oxide (ITO) precursors, cubic indium hydroxide(In(OH)_3) and orthorhombic indium oxide hydroxide (InOOH), were prepared by a co-precipitationmethod. With the help of X-ray diffraction (XRD), th... Two kinds of indium-tin oxide (ITO) precursors, cubic indium hydroxide(In(OH)_3) and orthorhombic indium oxide hydroxide (InOOH), were prepared by a co-precipitationmethod. With the help of X-ray diffraction (XRD), thermo-gravimetric analysis (TGA) and differentialthermal analysis (DTA), phase evolutions from cubic In(OH)_3 and orthorhombic InOOH to cubic ITOsolid solution and rhombohedral ITO solid solution by heat-treatment had been comprehensivelyinvestigated. The transformation from cubic In(OH)_3 to cubic ITO solid solution started as low as150 deg C and ended at about 300 degC, and it exhibited an endothermic behavior. The transformationfrom orthorhombic InOOH to rhombohedral ITO solid solution started at 220 deg C and ended at about430 deg C. Moreover, this transformation was composed of two processes: the one was the dehydrationof InOOH exhibiting an endothermic behavior and the other was the transformation from dehydrationproducts to rhombohedral ITO solid solution exhibiting a strong exothermic behavior. RhombohedralITO solid solution was metastable in air and it would transform to cubic ITO solid solution byheat-treatment. The transformation from rhombohedral ITO solid solution to cubic ITO solid solutionstarted at 578 deg C and ended below 800 deg C, and it exhibited a weak exothermic behavior. 展开更多
关键词 inorganic and nonmetallic materials crystal structure X-ray techniques indium-tin oxide
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Improvement of Open-Circuit Voltage in Organic Photovoltaic Cells with Chemically Modified Indium-Tin Oxide
17
作者 Khayankhyarvaa Sarangerel Byambasuren Delgertsetseg +2 位作者 Namsrai Javkhlantugs Masaru Sakomura Chimed Ganzorig 《World Journal of Nano Science and Engineering》 2013年第4期113-120,共8页
The possibility of the increase in open-circuit voltage of organic photovoltaic cells based primarily indium-tin oxide (ITO)/rubrene/fullerene/Al structure by changing the work function of ITO anodes and Al cathodes w... The possibility of the increase in open-circuit voltage of organic photovoltaic cells based primarily indium-tin oxide (ITO)/rubrene/fullerene/Al structure by changing the work function of ITO anodes and Al cathodes was described in this work. To change built-in potential preferably in order to increase the open-circuit voltage, the work function of ITO should be increased and work function of Al should be decreased. The correlation between the change in work functions of electrodes and performance of the organic photovoltaic cells before and after surface modifications was examined in detail. The enhancement of open-circuit voltage depends on a function of work function change of both ITO and Al electrode. We could show that the built-in potential in the cells played an important role in open-circuit voltage. 展开更多
关键词 Open-Circuit VOLTAGE CHEMICAL MODIFICATION indium-tin oxide
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盐酸体系超低氯含量铟锡氧化物(ITO)球形粉体的制备与研究
18
作者 廖红卫 《湖南有色金属》 CAS 2006年第2期26-29,共4页
利用一种新型的顺序洗涤结合后续热处理的方法制备出了盐酸体系超低氯含量铟锡氧化物球形粉体。XRD分析表明ITO前驱体为立方结构In(OH)3以及部分晶化的Sn3[O2(OH)2]2,而ITO粉末为立方结构ITO固溶体。TGA-DTA分析表明立方结构In(O... 利用一种新型的顺序洗涤结合后续热处理的方法制备出了盐酸体系超低氯含量铟锡氧化物球形粉体。XRD分析表明ITO前驱体为立方结构In(OH)3以及部分晶化的Sn3[O2(OH)2]2,而ITO粉末为立方结构ITO固溶体。TGA-DTA分析表明立方结构In(OH),向立方结构ITO固溶体的相变起始于150℃后终止于300℃左右,且为一种吸热行为。SEM分析表明ITO粉末总体上为1~10μm的团聚体,且这些团聚体都是由粒径为20-60nm的一次纳米粒子组成。In(OH)3在水中为酸性水解模式,且顺序洗涤方式以及ITO前驱体浆料中OH根离子的引入对前驱体中氯离子的去除起到了相当好的效果。经过顺序循环洗涤后的ITO前驱体中氯元素的含量为47μL/L,而ITO粉末中的氯元素的含量约为41μg/g。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 前驱体 粉末 洗涤
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ITO负载内凹AuPd合金纳米粒子形状的电化学调控 被引量:1
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作者 刘涛 黄蕊 +1 位作者 刘硕 孙世刚 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期671-675,共5页
运用电化学方波电位法,在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃基底上实现AuPd纳米粒子的形状控制合成.当固定方波下限电位0.30 V,上限电位分别为0.64和0.70 V时,分别制备出内凹三八面体(TOH)和内凹六八面体(HOH)AuPd合金纳米粒子.运用扫描电镜(... 运用电化学方波电位法,在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃基底上实现AuPd纳米粒子的形状控制合成.当固定方波下限电位0.30 V,上限电位分别为0.64和0.70 V时,分别制备出内凹三八面体(TOH)和内凹六八面体(HOH)AuPd合金纳米粒子.运用扫描电镜(SEM)、X射线能量散射谱(EDX)和电化学循环伏安法表征所制备的纳米粒子,结果表明所制备的AuPd纳米粒子在ITO上分散均匀,具有清晰的内凹三八面体和内凹六八面体的形状,Au:Pd元素比均接近3:1.但由于Au比Pd的表面自由能低,导致Au在AuPd合金纳米粒子表面富集.发现从合成的TOH AuPd合金纳米粒子出发,对其施加下限电位0.30 V、上限电位0.70 V的方波电位处理,可实现由TOH向HOH形状转变;延长方波电位处理时间仅改变AuPd合金纳米粒子的尺寸,但HOH形状保持不变. 展开更多
关键词 ITO 方波电位法 AuPd合金纳米粒子 内凹三八面体 内凹六八面体
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不同Sn含量氧化铟锡靶材的制备及其第二相特征
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作者 杨硕 师琳璞 +2 位作者 谢斌 赵延飞 周海涛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期863-869,共7页
以气化In2O3和SnO2粉为原料,在原料体系中按照SnO2为4%(质量分数)、6%、8%和10%的比例分别与In2O3混料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出ITO(氧化铟锡)靶材坯体,并在1550℃氧气氛条件下烧结,制得不同Sn含量的ITO靶材;将靶材... 以气化In2O3和SnO2粉为原料,在原料体系中按照SnO2为4%(质量分数)、6%、8%和10%的比例分别与In2O3混料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出ITO(氧化铟锡)靶材坯体,并在1550℃氧气氛条件下烧结,制得不同Sn含量的ITO靶材;将靶材试样粉碎、过筛后腐蚀,并提取腐蚀产物,对不同Sn含量靶材表面及腐蚀产物的显微组织、物相组成、密度和电阻率进行了观察和测试,并进行分析。结果表明:腐蚀产物为ITO靶材第二相In4Sn3O12;ITO靶材的晶粒尺寸随SnO2含量的增加而减小,晶界第二相总量逐渐提高并稳定在3μm以下;靶材晶内小颗粒尺寸随SnO2含量的增加而增大,并稳定在100 nm以下;靶材第二相均出现微量失氧,且失氧率均在1.1%左右;靶材的实际密度和理论密度均随SnO2含量的增加而提高,其中,实测密度由7.110 g/cm3提高至7.145 g/cm3;靶材电阻率随SnO2含量的增加而提高,由1.3×10–4?·cm提高至约1.9×10–4?·cm。 展开更多
关键词 氧化铟锡 靶材 腐蚀产物 第二相 第二相小颗粒
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