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透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究 被引量：1
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作者 刘振华 刘宝琴 +3 位作者 张春伟 王书昶 刘拥军 何军辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期109-113,共5页
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性... 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。 展开更多
关键词 insngamo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 光电性能
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退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响
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作者 刘振华 刘宝琴 +3 位作者 张春伟 王书昶 刘拥军 何军辉 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI CAS 2011年第2期331-334,343,共5页
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜,研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明,退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、... 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜,研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明,退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当退火温度为500℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为1.46×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最高分别为6.56×1020cm-3、65cm2/(V.s),在可见及近红外区平均透过率达92%以上,尤其当波长为362nm时,最高透射率可达99%。 展开更多
关键词 insngamo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 退火温度 光电性能
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