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InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面特性的表征分析 被引量：1
1
作者 任洋 覃钢 +4 位作者 李俊斌 杨晋 李艳辉 杨春章 孔金丞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第2期115-122,共8页
本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段。其中,通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对InAs/GaSbⅡ类超晶... 本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段。其中,通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面类型、界面粗糙度、陡峭性等特性进行测试分析,从而评估超晶格界面质量。光致发光谱(PL谱)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)、霍尔测试、吸收光谱等测试方法则可以研究超晶格界面质量对超晶格材料能带、晶体质量、光学性质的影响。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 insb-like界面 GaAs-like界面 陡峭性
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MBE生长InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的界面控制方法分析 被引量：1
2
作者 任洋 李俊斌 +7 位作者 覃钢 杨晋 李艳辉 周旭昌 杨春章 常超 孔金丞 李东升 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第4期301-311,共11页
本文系统地介绍了MBE外延生长In As/Ga SbⅡ类超晶格材料的界面控制方法,主要包括生长中断法、表面迁移增强法、V族元素浸润法和体材料生长法。短波(中波)In As/Ga Sb超晶格材料界面采用混合(mixed-like)界面,控制方法以生长中断法为主... 本文系统地介绍了MBE外延生长In As/Ga SbⅡ类超晶格材料的界面控制方法,主要包括生长中断法、表面迁移增强法、V族元素浸润法和体材料生长法。短波(中波)In As/Ga Sb超晶格材料界面采用混合(mixed-like)界面,控制方法以生长中断法为主;长波(甚长波)超晶格材料界面采用InSb-like界面,控制方法采用表面迁移增强法(migration-enhancedepitaxy,MEE)或Sbsoak法及体材料生长相结合。讨论分析了InAs/GaSb超晶格材料界面类型选择的依据,简述了界面控制具体实施理论,以及相关研究机构对于不同红外探测波段的超晶格材料界面类型及控制方法的选择。通过界面结构外延生长工艺设计即在界面控制方法的基础上进行快门顺序实验设计,有效地提高界面层的应力补偿效果,这对于长波、甚长波及双色(甚至多色)超晶格材料的晶体质量优化和器件性能提升具有重要意义。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 insb-like界面 GaAs-like界面 生长中断法 MEE
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