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75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文) 被引量：2
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作者 曹玉雄 苏永波 +3 位作者 吴旦昱 金智 王显泰 刘新宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期294-297,301,共5页
报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率... 报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm. 展开更多
关键词 inp双异质结双极晶体管(dhbt) 微波单片集成 毫米波 功放
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基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现
2
作者 王子青 赵子润 龚剑 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期579-583,638,共6页
基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结... 基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样。该DAC最终尺寸为4.5 mm×3.5 mm,功耗为3.5 W。实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为＋0.4/-0.24 LSB,积分非线性为＋0.61/-0.64 LSB。 展开更多
关键词 数模转换器(DAC) R-2R电阻梯 inp双异质结双极晶体管(dhbt) 电流舵 主从D触发器
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