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氮化铟p型掺杂的第一性原理研究 被引量:21
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作者 丁少锋 范广涵 +1 位作者 李述体 肖冰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4062-4067,共6页
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,... 采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂. 展开更多
关键词 氮化铟 P型掺杂 电子结构 第一性原理
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Energy of a Polaron in a Wurtzite Nitride Finite Parabolic Quantum Well 被引量:11
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作者 赵凤岐 宫箭 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第5期1327-1330,共4页
The effects of electron-phonon interaction on energy levels of a polaron in a wurtzite nitride finite parabolic quantum well (PQW) are studied by using a modified Lee-Low-Pines variational method. The ground state, ... The effects of electron-phonon interaction on energy levels of a polaron in a wurtzite nitride finite parabolic quantum well (PQW) are studied by using a modified Lee-Low-Pines variational method. The ground state, first excited state, and transition energy of the polaron in the GaN/Al0.3Ga0.7N wurtzite PQW are calculated by taking account of the influence of confined LO(TO)-like phonon modes and the half-spaee LO(TO)-like phonon modes and considering the anisotropy of all kinds of phonon modes. The numerical results are given and discussed. The results show that the electron-phonon interaction strongly affects the energy levels of the polaron, and the contributions from phonons to the energy of a polaron in a wurtzite nitride PQW are greater than that in an A1GaAs PQW. This indicates that ehe electron-phonon interaction in a wurtzite nitride PQW is not negligible. 展开更多
关键词 SCATTERING CRYSTALS inn ZINCBLENDE BARRIERS PHONONS MASS
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InN材料及其应用 被引量:7
3
作者 谢自力 张荣 +9 位作者 毕朝霞 刘斌 修向前 顾书林 江若琏 韩平 朱顺明 沈波 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第12期26-32,共7页
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
关键词 inn 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配
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Ⅲ族氮化物量子点研究进展 被引量:5
4
作者 张会肖 《半导体情报》 2001年第4期22-26,共5页
综述了 族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状。主要涉及了 Ga N,In N和 In Ga N量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机理、光学特性和器件应用等内容。同时对该领域的未来研究趋势也进行了讨论。
关键词 量子点 氮化镓 氮化铟 Ⅲ族化合物 半导体材料
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半导体氮化铟(InN)的晶格振动 被引量:5
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作者 钱志刚 沈文忠 +1 位作者 小川博司 郭其新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第3期257-283,共27页
 本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序...  本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。 展开更多
关键词 半导体 氮化铟 薄膜 晶格振动 inn Raman散射光谱 红外光谱 量子阱 量子点 超晶格
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Contribution of SAR Radar Imagery in the Detection of Suspicious Vessels in the Ivorian EEZ
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作者 Koffi Cyprien Yoboue Jean-Baptiste Kassi +1 位作者 Eric Valère Djagoua Tiemelé Jacque-André 《World Journal of Engineering and Technology》 2024年第1期200-212,共13页
The present work proposed a method for match SAR and AIS data to detect vessels carrying out suspicious activity in the Ivorian EEZ. Two superposition methods, detected AIS and SAR data, based on point-to-point associ... The present work proposed a method for match SAR and AIS data to detect vessels carrying out suspicious activity in the Ivorian EEZ. Two superposition methods, detected AIS and SAR data, based on point-to-point association on the one hand and point-to-line on the other hand, were used to detect suspicious vessels in Ivorian marine waters. The results showed that most vessels detected in the Ivorian EEZ do not declare their positions to avoid being spotted. These funds are likely to practice illegal, undeclared and unregulated fishing (INN fishing). This clandestine activity is very recurrent in Ivorian waters. This is illustrated by the number of suspicious vessels detected by SAR radar imagery which is greater compared to declared or authorized vessels. 展开更多
关键词 inn Fishing CFAR Algorithm AIS Sentinel-1A Ivory Coast
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模块化建筑BIM技术应用——以广西平果市乡村农旅结合(田园综合体)民宿中心为例 被引量:3
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作者 李姗 任存智 +1 位作者 邬极 李文博 《建筑技艺》 2023年第1期108-110,共3页
随着行业产业升级,以装配式建筑为基础的模块化建筑日益受到关注。近十几年来,BIM技术的发展推动了建筑行业的生产效能及质量控制能力提升。以广西平果市乡村农旅结合(田园综合体)民宿中心项目为例,论述依托BIM技术平台的模块化建筑行... 随着行业产业升级,以装配式建筑为基础的模块化建筑日益受到关注。近十几年来,BIM技术的发展推动了建筑行业的生产效能及质量控制能力提升。以广西平果市乡村农旅结合(田园综合体)民宿中心项目为例,论述依托BIM技术平台的模块化建筑行业实践,以期为后续类似实践提供参考。 展开更多
关键词 BIM技术 模块化 民宿中心
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半导体氮化铟(InN)的电学性质 被引量:4
8
作者 潘葳 沈文忠 +1 位作者 小川博司 郭其新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2004年第2期195-215,共21页
 本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪...  本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。 展开更多
关键词 氮化铟 半导体材料 载流子浓度 迁移率 薄膜材料
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曲马多与舒芬太尼治疗瑞芬太尼复合麻醉术后急性疼痛的效果分析 被引量:7
9
作者 阿不都海力 阿地里江 +1 位作者 塔依尔 达吾提 《转化医学电子杂志》 2015年第9期126-127,共2页
目的:观察并比较曲马多(tramadol,INN)和舒芬太尼(sufentanil,SFT)在瑞芬太尼麻醉后发生术后急痛治疗中的应用效果.方法:选择50例胸腹部外科手术者作为研究对象,并进行分组试验,分为观察组(n=25)和对照组(n=25).观察组患者予以SFT行术... 目的:观察并比较曲马多(tramadol,INN)和舒芬太尼(sufentanil,SFT)在瑞芬太尼麻醉后发生术后急痛治疗中的应用效果.方法:选择50例胸腹部外科手术者作为研究对象,并进行分组试验,分为观察组(n=25)和对照组(n=25).观察组患者予以SFT行术后镇痛治疗,对照组患者予以INN行术后镇痛治疗,观察比较两种方案的镇痛效果、不良反应情况.结果:与对照组相比,观察组患者在苏醒后10 min、30 min的疼痛评分更低、镇静评分值更高,差异具有统计学意义(P<0.05);另外,镇痛治疗期间观察组的不良反应率也明显低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05).结论:SFT对于在瑞芬太尼复合麻醉下行外科手术的患者术后急痛的镇痛效果更佳、副作用更少,值得临床推广和应用. 展开更多
关键词 城市给排水 规划与设计 智能化
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MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究
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作者 殷鑫燕 陈鹏 +1 位作者 梁子彤 赵红 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期791-797,共7页
本文通过添加InGaN垫层,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaN(0001)上外延生长了InN薄膜,研究了InN薄膜的外延规律及光学性质。研究发现,相对于GaN表面,在InGaN垫层上可以获得更高质量的InN。通过在InGaN垫层中采用适当的In组分... 本文通过添加InGaN垫层,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaN(0001)上外延生长了InN薄膜,研究了InN薄膜的外延规律及光学性质。研究发现,相对于GaN表面,在InGaN垫层上可以获得更高质量的InN。通过在InGaN垫层中采用适当的In组分(在本工作中为In_(0.23)Ga_(0.77)N),可以完全抑制InN生长过程中铟滴的形成,获得的InN表面形貌连续平整。采用光学显微镜、高分辨率X射线衍射(HR-XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光吸收和室温光致发光等方法研究了InN的晶体结构和光学性质。HR-XRD的ω和ω-2θ扫描显示,InGaN垫层消除了In滴的衍射信号,并且ω扫描给出了150 nm的InN薄膜的(0002)半峰全宽为0.23°。TEM选区电子衍射发现,InN几乎是无应变的。室温下InN薄膜的光吸收和强光致发光结果表明,所制备的InN薄膜能带隙约为0.74 eV。本文还初步研究了InN的异常激发依赖性的光致发光行为,证明了InN材料的表面效应对辐射复合的强烈作用。 展开更多
关键词 inn MOCVD 外延生长 应变 表面缺陷 光学性质 光致发光
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平面型乙醇快速响应气敏传感器的制备 被引量:4
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作者 宁湫洋 李万程 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1745-1752,共8页
采用水热法合成了纳米In2O3颗粒,将其旋涂于陶瓷基片上经氮化处理获得InN基片,再对InN基片进行氧化,合成出气敏材料并在一种微型平面电极片上制备了传感器件.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光... 采用水热法合成了纳米In2O3颗粒,将其旋涂于陶瓷基片上经氮化处理获得InN基片,再对InN基片进行氧化,合成出气敏材料并在一种微型平面电极片上制备了传感器件.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)等手段对材料的形貌、组成进行了表征与分析,结果表明,最终获得了松枝状结构的InN-In2O3纳米复合材料.对器件的气敏性能进行了测试,发现基于此材料制备的平面型气敏传感器对乙醇气体具有良好的气敏性能:检测浓度为1.025 mg/m3(500 ppb)的乙醇蒸汽的灵敏度可达18;检测2.05 mg/m3(1 ppm)的乙醇的响应-恢复时间最快仅为1 s;最佳工作温度低,仅为50℃. 展开更多
关键词 乙醇 IN2O3 纳米复合材料 inn
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InN和GaN系衬底材料的研究和发展 被引量:2
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作者 徐军 周圣明 +5 位作者 杨卫桥 夏长泰 彭观良 蒋成勇 周国清 邓佩珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期386-390,共5页
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料... InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景。 展开更多
关键词 inn GAN 宽禁带半导体 衬底 光电子材料
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氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响 被引量:4
13
作者 石相军 汪健 +1 位作者 朱洁 侯祥胡 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期397-402,共6页
本文用射频磁控溅射技术,以金属铟为靶材,在石英玻璃上制备出了InN薄膜,溅射气体为氩气(Ar)和氮气(N2)的混合气体,溅射压强为0.5Pa~1.0Pa。InN晶体呈六方纤锌矿结构,随着压强的不同,晶体取向发生明显的变化,制得的InN薄膜的带隙为2.1eV... 本文用射频磁控溅射技术,以金属铟为靶材,在石英玻璃上制备出了InN薄膜,溅射气体为氩气(Ar)和氮气(N2)的混合气体,溅射压强为0.5Pa~1.0Pa。InN晶体呈六方纤锌矿结构,随着压强的不同,晶体取向发生明显的变化,制得的InN薄膜的带隙为2.1eV~2.3eV。X射线光电子能谱(XPS)和拉曼(Raman)分析氧原子以类似In2O3的形式存在,其存在会引起InN晶体质量变差,致使InN的带隙明显升高。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 inn 带隙 IN2O3
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从国际非专利名称纵观全球生物药发展 被引量:5
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作者 曹萌 赵宇豪 郭中平 《中国生物工程杂志》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期154-165,共12页
生物药(bio-therapeutics)是指采用生物技术制备的、临床上用于疾病治疗的大分子生物制品,具有结构复杂、异质性高等特点,科学严谨的生物药通用名命名,是区分生物药物质基础的主要依据,也是药品生命周期管理的重要基础。世界卫生组织(Wo... 生物药(bio-therapeutics)是指采用生物技术制备的、临床上用于疾病治疗的大分子生物制品,具有结构复杂、异质性高等特点,科学严谨的生物药通用名命名,是区分生物药物质基础的主要依据,也是药品生命周期管理的重要基础。世界卫生组织(World Health Organization,WHO)协调建立的国际非专利名称(International Nonproprietary Names,INN)是全球药物命名的标准化体系。从INN的起源,以及生物药INN的类别、发生与发展为主线,以较为详实的数据统计和分析,呈现了全球生物药的衍化进程,从不同的角度纵览生物药技术发展历程,对生物药的研发设计、技术标准及监管策略的考量均具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 生物药 国际非专利名 上市 靶点 适应证 前沿生物制品
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基于百度搜索指数的影视旅游地网络关注度时空分异研究——以《亲爱的客栈》拍摄地泸沽湖为例 被引量:5
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作者 薛玮 乔花芳 《旅游研究》 2019年第4期87-98,共12页
近年来,我国真人秀节目蓬勃发展,很多拍摄地因为节目的播出而成为旅游热点。以《亲爱的客栈》为研究案例,基于百度搜索指数获取“亲爱的客栈”和节目拍摄地“泸沽湖”的网络关注度,采用变异系数、周内分布偏度指数、基尼系数等方法研究... 近年来,我国真人秀节目蓬勃发展,很多拍摄地因为节目的播出而成为旅游热点。以《亲爱的客栈》为研究案例,基于百度搜索指数获取“亲爱的客栈”和节目拍摄地“泸沽湖”的网络关注度,采用变异系数、周内分布偏度指数、基尼系数等方法研究网络关注度的时空分异,进而分析其影响因素。研究发现:“亲爱的客栈”和其拍摄地“泸沽湖”的网络关注度之间存在显著相关关系;节目播出使其拍摄地“泸沽湖”的网络关注度迅速提升,但这种宣传效果具有时效性和周期性,总体呈波动下降趋势,周期变化曲线呈N形;“泸沽湖”网络关注度的区域差异明显,关注度较高的省份集中在东部经济发达地区和西南可达性较高地区;区域经济发展水平、人口规模和空间距离是影响影视旅游地网络关注度空间分布的重要因素。 展开更多
关键词 百度搜索指数 影视旅游地 网络关注度 时空分异 亲爱的客栈 泸沽湖
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InN薄膜的退火特性 被引量:3
16
作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期340-344,共5页
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425... 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. 展开更多
关键词 inn 热退火 X射线衍射 扫描电子显微镜 X射线光电子谱
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InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析 被引量:3
17
作者 王金颖 王炫力 +2 位作者 袁浩然 姚成宝 孙文军 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2015年第3期83-86,共4页
以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分... 以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa下制得的薄膜样品带隙分别为1.825、1.74、1.82 e V.结果表明溅射压强为1.0 Pa时,带隙值最小,结晶质量最好. 展开更多
关键词 磁控溅射 溅射压强 inn 光学带隙
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Microstructures of InN film on 4H-SiC(0001) substrate grown by RF-MBE 被引量:3
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作者 P.Jantawongrit S.Sanorpim +2 位作者 H.Yaguchi M.Orihara P.Limsuwan 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第8期37-41,共5页
InN film was grown on 4H-SiC (0001) substrate by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF- MBE). Prior to the growth of InN film, an InN buffer layer with a thickness of ~5.5 nm was grown on the substrate. S... InN film was grown on 4H-SiC (0001) substrate by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF- MBE). Prior to the growth of InN film, an InN buffer layer with a thickness of ~5.5 nm was grown on the substrate. Surface morphology, microstructure and structural quality of InN film were investigated. Micro-structural defects, such as stacking faults and anti-phase domain in InN film were carefully investigated using transmission electron microscopy (TEM). The results show that a high density of line contrasts, parallel to the growth direction (c-axis), was clearly observed in the grown InN film. Dark field TEM images recorded with diffraction vectors g = 1120 and g = 0002 revealed that such line contrasts evolved from a coalescence of the adjacent rnisoriented islands during the initial stage of the InN nucleation on the substrate surface. This InN nucleation also led to a generation of anti-phase domains. 展开更多
关键词 RF-MBE TEM inn threading dislocation anti-phase domain crystal polarity
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蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长 被引量:3
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作者 肖红领 王晓亮 +5 位作者 张南红 王军喜 刘宏新 韩勤 曾一平 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1169-1172,共4页
采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力... 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s). 展开更多
关键词 RF-MBE 氮化铟 DCXRD AFM
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氮化铟导模共振滤波器在可见光波段模拟分析 被引量:4
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作者 朱闻真 黄萍 +4 位作者 吕凡敏 顾均 李维亮 刘昕 胡芳仁 《光通信研究》 北大核心 2016年第1期32-34,70,共4页
根据RCWT(严格耦合波理论)和等效介质理论,提出了在可见光波段的基于半导体材料氮化铟的亚波长光栅导模共振滤波器的结构设计和仿真方法,并探讨了滤波器反射谱对光栅参数的敏感性.在维持滤波器高峰值反射率、低旁带和窄线宽不变的条件... 根据RCWT(严格耦合波理论)和等效介质理论,提出了在可见光波段的基于半导体材料氮化铟的亚波长光栅导模共振滤波器的结构设计和仿真方法,并探讨了滤波器反射谱对光栅参数的敏感性.在维持滤波器高峰值反射率、低旁带和窄线宽不变的条件下,利用其对光栅周期的敏感性,结合仿真提出了利用微机电系统梳齿驱动器改变光栅周期(ΔT 为0-99.7nm)从而线性地控制共振波长输出(调谐范围为23nm),实现了半高全宽小于1.15nm 的可调谐反射型导模共振滤波器. 展开更多
关键词 亚波长光栅 导模共振 氮化铟 微机电系统
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