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InGaN基蓝光激光器p型覆盖层和波导层优化
1
作者
马雯
翟智超
李书平
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期595-602,共8页
[目的]为了进一步提升蓝光激光器的性能,基于实验样品结构,研究了p型覆盖层和波导层对InGaN基边发射蓝光激光器性能的综合影响.[方法]将p型覆盖层优化为多层Al组分渐变的结构,以降低p型覆盖层与电子阻挡层的Al组分差值;优化波导层的In...
[目的]为了进一步提升蓝光激光器的性能,基于实验样品结构,研究了p型覆盖层和波导层对InGaN基边发射蓝光激光器性能的综合影响.[方法]将p型覆盖层优化为多层Al组分渐变的结构,以降低p型覆盖层与电子阻挡层的Al组分差值;优化波导层的In组分浓度,以提高波导层的光限制能力.利用PICS3D软件模拟计算其光输出功率、能带结构、光场分布、载流子电流密度分布等特性.[结果]随着p型覆盖层层数的增加,以及p型覆盖层与电子阻挡层之间Al组分差值的减小,光输出功率和斜率效率不断提高;随着上波导层In组分的增加,光输出功率提升明显.同时优化两者得到的最终优化结构,光输出功率可达到0.421 W,相较标准结构提升了65.75%.[结论]降低p型覆盖层与电子阻挡层之间的Al组分差值,可以有效降低两者之间的晶格失配和势垒差,进而提高有源区的空穴注入;增加p型覆盖层的层数可降低晶格失配,进而降低载流子的传输损耗.增加波导层的In组分浓度可以提高有效提高光限制因子,尤其是上波导的In组分增加对提高光限制因子非常明显.
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关键词
蓝光激光器
ingan
基
p型覆盖层
线性渐变
波导层
光限制因子
下载PDF
职称材料
瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性
被引量：
12
2
作者
林介本
郭震宁
+3 位作者
陈丽白
吴利兴
阮源山
林瑞梅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期379-384,共6页
封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明,光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降。当IF从50mA一直增大到45...
封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明,光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降。当IF从50mA一直增大到450mA左右时,发射光谱的峰值波长λp随IF的增加发生蓝移,蓝移现象可能与InGaN蓝光LED芯片在较大电流时能带被拉平以及In成分的作用有关。当IF大于500mA或800mA后,λp又发生红移,红移现象可能与大电流注入下InGaN蓝光LED芯片产生的热效应以及电子-空穴对辐射复合有关。此外,光谱的半峰全宽(FWHM)产生宽化现象,色坐标x和y值也发生变化。
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关键词
大功率
ingan
基
蓝光LED
蓝移
红移
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职称材料
题名
InGaN基蓝光激光器p型覆盖层和波导层优化
1
作者
马雯
翟智超
李书平
机构
厦门大学物理科学与技术学院
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期595-602,共8页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0400801,2016YFB0400800)。
文摘
[目的]为了进一步提升蓝光激光器的性能,基于实验样品结构,研究了p型覆盖层和波导层对InGaN基边发射蓝光激光器性能的综合影响.[方法]将p型覆盖层优化为多层Al组分渐变的结构,以降低p型覆盖层与电子阻挡层的Al组分差值;优化波导层的In组分浓度,以提高波导层的光限制能力.利用PICS3D软件模拟计算其光输出功率、能带结构、光场分布、载流子电流密度分布等特性.[结果]随着p型覆盖层层数的增加,以及p型覆盖层与电子阻挡层之间Al组分差值的减小,光输出功率和斜率效率不断提高;随着上波导层In组分的增加,光输出功率提升明显.同时优化两者得到的最终优化结构,光输出功率可达到0.421 W,相较标准结构提升了65.75%.[结论]降低p型覆盖层与电子阻挡层之间的Al组分差值,可以有效降低两者之间的晶格失配和势垒差,进而提高有源区的空穴注入;增加p型覆盖层的层数可降低晶格失配,进而降低载流子的传输损耗.增加波导层的In组分浓度可以提高有效提高光限制因子,尤其是上波导的In组分增加对提高光限制因子非常明显.
关键词
蓝光激光器
ingan
基
p型覆盖层
线性渐变
波导层
光限制因子
Keywords
blue laser diode
ingan
-based
p-cladding layer
linear gradient
waveguide layer
optical limiting factor
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性
被引量：
12
2
作者
林介本
郭震宁
陈丽白
吴利兴
阮源山
林瑞梅
机构
华侨大学信息科学与工程学院
福建省泉州市紫欣光电有限公司
福建省厦门光莆电子有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期379-384,共6页
基金
国务院侨办科研基金(06QZR02)
福建省泉州市科技计划重点项目(2008G7)资助项目
文摘
封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明,光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降。当IF从50mA一直增大到450mA左右时,发射光谱的峰值波长λp随IF的增加发生蓝移,蓝移现象可能与InGaN蓝光LED芯片在较大电流时能带被拉平以及In成分的作用有关。当IF大于500mA或800mA后,λp又发生红移,红移现象可能与大电流注入下InGaN蓝光LED芯片产生的热效应以及电子-空穴对辐射复合有关。此外,光谱的半峰全宽(FWHM)产生宽化现象,色坐标x和y值也发生变化。
关键词
大功率
ingan
基
蓝光LED
蓝移
红移
Keywords
high power
ingan
-based blue-LED
blue-shift
red-shift
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
TN312.8 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaN基蓝光激光器p型覆盖层和波导层优化
马雯
翟智超
李书平
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性
林介本
郭震宁
陈丽白
吴利兴
阮源山
林瑞梅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
12
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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