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双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性
被引量：
3
1
作者
陈献文
吴乾
+4 位作者
李述体
郑树文
何苗
范广涵
章勇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期190-193,共4页
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进...
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.
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关键词
ingan
/
gan
多量子阱
双波长
发光二极管
金属有机化学气相沉积
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职称材料
红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
2
作者
苏辉
张荣
+8 位作者
谢自力
刘斌
李毅
傅德颐
赵红
华雪梅
韩平
施毅
郑有炓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期747-750,共4页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该...
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。
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关键词
ingan
/
gan
多量子阱
金属有机化学气相沉积
光致荧光谱
原子力显微镜
红橙光
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职称材料
题名
双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性
被引量：
3
1
作者
陈献文
吴乾
李述体
郑树文
何苗
范广涵
章勇
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
广州鸿利光电股份有限公司
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期190-193,共4页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金
广东省教育部产学研结合项目(No.2009B090300338)
+1 种基金
广东省自然科学基金(No.8521063101000007)
华南师范大学学生课外科研重点课题项目(No.10GDKC07)资助
文摘
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.
关键词
ingan
/
gan
多量子阱
双波长
发光二极管
金属有机化学气相沉积
Keywords
ingan
/
gan
multi
-
quantum
well
Dual-wavelength
Light-Emitting
Diodes（LED）
Metal-Or
gan
ic
Chemical
Vapor
Deposition（MOCVD）
分类号
O433.4 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
2
作者
苏辉
张荣
谢自力
刘斌
李毅
傅德颐
赵红
华雪梅
韩平
施毅
郑有炓
机构
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期747-750,共4页
基金
国家重点基础研究发展规划(2011CB301900)
国家自然科学基金(60990311
+7 种基金
60820106003
60906025
60936004)
江苏省自然科学基金(BK2008019
BK2010385
BK2009255
BK2010178)
南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003)
文摘
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。
关键词
ingan
/
gan
多量子阱
金属有机化学气相沉积
光致荧光谱
原子力显微镜
红橙光
Keywords
ingan
/
gan
multi
-
quantum
well
（MQW）
metalor
gan
ic
chemical
vapor
deposition（MOCVD）
photoluminescence（PL）
atomic
force
microscopy（AFM）
red-orange
light
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性
陈献文
吴乾
李述体
郑树文
何苗
范广涵
章勇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
下载PDF
职称材料
2
红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
苏辉
张荣
谢自力
刘斌
李毅
傅德颐
赵红
华雪梅
韩平
施毅
郑有炓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
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参考文献
引证文献
统计分析
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