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平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
1
作者
张帅君
李天信
+6 位作者
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期262-268,共7页
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电...
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
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关键词
扫描电容显微(SCM)
ingaas
平
面型
探测器
扩散行为
光电流响应
下载PDF
职称材料
题名
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
1
作者
张帅君
李天信
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
上海师范大学数理学院
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期262-268,共7页
基金
国家自然科学基金(11574336,11991063)
中国科学院战略性先导科技专项(XDB43010200)
上海市自然科学基金(18JC1420401,19ZR1465700,14ZR1446200)。
文摘
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
关键词
扫描电容显微(SCM)
ingaas
平
面型
探测器
扩散行为
光电流响应
Keywords
Scanning Capacitance Microscopy(SCM)
planar
ingaas
detector
diffusion behavior
photocurrent response
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
张帅君
李天信
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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参考文献
引证文献
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