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基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究
被引量：
3
1
作者
荣敏敏
张益军
+5 位作者
李诗曼
焦岗成
刘伟鑫
王自衡
舒昭鑫
钱芸生
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期125-133,共9页
为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线...
为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的InGaAs样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。
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关键词
材料
ingaas
材料
扫描聚焦X射线
表面污染
化学清洗
原文传递
低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景
被引量：
1
2
作者
吴坚
王玉红
+2 位作者
邰含旭
郑明
段若楠
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第19期70-87,共18页
现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展。其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新...
现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展。其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新一代高性能半导体发光器件的重要结构材料。介绍了当前三种典型的低维铟基阱-点复合量子结构材料及其光学性能,重点分析了基于InGaAs材料的富铟团簇自组装阱-点复合量子结构材料的特殊生长机制以及新发现的优异光学性能,详细阐述了这种新的结构在实现新一代光谱功率均匀一致的超宽调谐半导体激光器、偏振双波长激光器以及偏振独立半导体光放大器等方面的应用成果和发展前景。
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关键词
激光器
半导体激光器
ingaas
材料
低维复合量子结构
富铟团簇效应
光学增益
原文传递
用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器
被引量：
6
3
作者
潘青
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期79-82,共4页
介绍了２ ．６ μｍ Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ－ Ｎ 异质结光电探测器，组分渐变层对调节 Ｉｎ Ｐ衬底与 Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ 之间的２ ％ 的晶格失配是有效的。在２ ．１ μｍ ～２ ．６ μ...
介绍了２ ．６ μｍ Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ－ Ｎ 异质结光电探测器，组分渐变层对调节 Ｉｎ Ｐ衬底与 Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ 之间的２ ％ 的晶格失配是有效的。在２ ．１ μｍ ～２ ．６ μｍ 区域，量子效率为７０ ％ ～７５ ％ ；室温下约－ ２ Ｖ 时， Ｉｄ ＝ ３ ．５ μ Ａ。
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关键词
光电探测器
ingaas
材料
晶格失配
组分渐变层
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职称材料
短波红外铟镓砷探测器材料表面缺陷研究
被引量：
1
4
作者
金宇航
黄卫国
+3 位作者
张见
王红真
顾溢
贺训军
《红外》
CAS
2020年第3期1-8,共8页
短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)In束源炉的温度设置。...
短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)In束源炉的温度设置。结果表明,In炉上下温差为130℃时所生长的短波红外晶格失配In0.83Ga0.17As材料的表面缺陷密度最小,由此有效地将材料的表面缺陷密度由3000 cm-2左右降至约500 cm-2。结合短波红外晶格失配InGaAs材料的室温光致发光测试,经分析可知,In束源炉上下温差存在最优值的现象是由于In金属液滴和炉子顶部杂质引起卵形缺陷这两种机制的共同作用而引起的。本文制备的低缺陷密度晶格失配InGaAs探测器材料为发展高性能延伸波长短波红外焦平面阵列打下了基础。
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关键词
短波红外
延伸波长
ingaas
探测器材料
表面缺陷
分子束外延
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职称材料
题名
基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究
被引量：
3
1
作者
荣敏敏
张益军
李诗曼
焦岗成
刘伟鑫
王自衡
舒昭鑫
钱芸生
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
微光夜视技术重点实验室
上海航天技术研究院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期125-133,共9页
基金
国家自然科学基金(61771245,61301023)
微光夜视技术重点实验室基金(J20200102)。
文摘
为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的InGaAs样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。
关键词
材料
ingaas
材料
扫描聚焦X射线
表面污染
化学清洗
Keywords
material
s
ingaas
material
scanning
focused
X-ray
surface
contamination
chemical
cleaning
分类号
TN223 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景
被引量：
1
2
作者
吴坚
王玉红
邰含旭
郑明
段若楠
机构
北京航空航天大学物理学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第19期70-87,共18页
基金
国家自然科学基金(61874117)。
文摘
现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展。其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新一代高性能半导体发光器件的重要结构材料。介绍了当前三种典型的低维铟基阱-点复合量子结构材料及其光学性能,重点分析了基于InGaAs材料的富铟团簇自组装阱-点复合量子结构材料的特殊生长机制以及新发现的优异光学性能,详细阐述了这种新的结构在实现新一代光谱功率均匀一致的超宽调谐半导体激光器、偏振双波长激光器以及偏振独立半导体光放大器等方面的应用成果和发展前景。
关键词
激光器
半导体激光器
ingaas
材料
低维复合量子结构
富铟团簇效应
光学增益
Keywords
lasers
semiconductor
lasers
ingaas
material
s
low-dimensional
composite
quantum
structure
indium-rich
cluster
effect
optical
gain
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器
被引量：
6
3
作者
潘青
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期79-82,共4页
文摘
介绍了２ ．６ μｍ Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ－ Ｎ 异质结光电探测器，组分渐变层对调节 Ｉｎ Ｐ衬底与 Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ 之间的２ ％ 的晶格失配是有效的。在２ ．１ μｍ ～２ ．６ μｍ 区域，量子效率为７０ ％ ～７５ ％ ；室温下约－ ２ Ｖ 时， Ｉｄ ＝ ３ ．５ μ Ａ。
关键词
光电探测器
ingaas
材料
晶格失配
组分渐变层
Keywords
Photodetectors,
ingaas
material
s
Lattice
Mismatch,Compositionally
Graded
Layer
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
短波红外铟镓砷探测器材料表面缺陷研究
被引量：
1
4
作者
金宇航
黄卫国
张见
王红真
顾溢
贺训军
机构
哈尔滨理工大学理学院
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《红外》
CAS
2020年第3期1-8,共8页
基金
黑龙江省自然科学基金项目(LH2019F022)
国家重点研发计划项目(2016YFB0402401)。
文摘
短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)In束源炉的温度设置。结果表明,In炉上下温差为130℃时所生长的短波红外晶格失配In0.83Ga0.17As材料的表面缺陷密度最小,由此有效地将材料的表面缺陷密度由3000 cm-2左右降至约500 cm-2。结合短波红外晶格失配InGaAs材料的室温光致发光测试,经分析可知,In束源炉上下温差存在最优值的现象是由于In金属液滴和炉子顶部杂质引起卵形缺陷这两种机制的共同作用而引起的。本文制备的低缺陷密度晶格失配InGaAs探测器材料为发展高性能延伸波长短波红外焦平面阵列打下了基础。
关键词
短波红外
延伸波长
ingaas
探测器材料
表面缺陷
分子束外延
Keywords
short-wave
infrared
extended-wavelength
ingaas
detector
material
surface
defect
molecular
beam
epitaxy
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究
荣敏敏
张益军
李诗曼
焦岗成
刘伟鑫
王自衡
舒昭鑫
钱芸生
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
原文传递
2
低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景
吴坚
王玉红
邰含旭
郑明
段若楠
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
原文传递
3
用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器
潘青
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999
6
下载PDF
职称材料
4
短波红外铟镓砷探测器材料表面缺陷研究
金宇航
黄卫国
张见
王红真
顾溢
贺训军
《红外》
CAS
2020
1
下载PDF
职称材料
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0
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