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截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)/GaAs的熔体外延生长及特性研究
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作者 高玉竹 龚秀英 +1 位作者 陈涌海 吴俊 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期67-70,共4页
用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0．96外延层载流子浓度的温度依存性表... 用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0．96外延层载流子浓度的温度依存性表明，其室温禁带宽度为0．1055eV，与透射光谱测得的数值很好地一致。通过测量12-300K的吸收光谱，研究了InAS0．04Sb0．96／GaAs的禁带宽度的温度依存性。霍尔测量得出300K下样品的电子迁移率为4．47×100cm^2／Vs，载流子浓度为8．77×10^15cm^-3；77K下电子迁移率为2．15×10^4cm^2／Vs，载流子浓度为1．57×10^15cm^-3；245K下的峰值迁移率为4．80×10^4cm2／Vs。 展开更多
关键词 inassb/gaas熔体外延(me) 禁带宽度 电学性质
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