长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器 被引量：11

1

作者 周易 陈建新 +5 位作者 徐庆庆 徐志成 靳川 许佳佳 金巨鹏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期210-213,224,共5页

报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度... 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流. 展开更多

关键词 inas/gasbⅡ类超晶格 长波12.5μm 暗电流

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InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术 被引量：7

2

作者 徐庆庆 陈建新 +3 位作者 周易 李天兴 吕翔 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期406-408,438,共4页

报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InA... 报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87μm. 展开更多

关键词 inas/gasb 超晶格 分子束外延

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nBn型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器光电特性研究 被引量：6

3

作者 胡锐 邓功荣 +5 位作者 张卫锋 何雯谨 冯江敏 袁俊 莫镜辉 史衍丽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第11期863-867,共5页

设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明:理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较,测试结果显示:在77 K温... 设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明:理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较,测试结果显示:在77 K温度下,nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时,nBn器件暗电流变大2个量级,而p-i-n器件暗电流变大4个量级;nBn器件峰值探测率下降到1/5,p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作,适合高性能红外焦平面探测器的研制。 展开更多

关键词 NBN 超晶格 inas/gasb 暗电流 Shockley-Read-Hall

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基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器 被引量：6

4

作者 孙姚耀 韩玺 +7 位作者 吕粤希 郭春妍 郝宏玥 蒋志 蒋洞微 王国伟 徐应强 牛智川 《航空兵器》 北大核心 2018年第2期56-59,共4页

InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为... InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为第三代红外焦平面探测器的热门材料。本文利用分子束外延技术生长了背靠背势垒型中/长波双色红外探测器材料,通过标准工艺和阳极硫化技术,成功制备双波段NMπP-PπMN型红外探测器。在77K,中波峰值量子效率为32%,长波峰值量子效率为27%,50%截止波长分别为4.7μm和7.9μm。中波信号在+2V偏压下饱和,暗电流密度为0.06A/cm^2,长波信号在-1.4V偏压下饱和,暗电流密度为8.7A/cm^2。 展开更多

关键词 inas/gasb超晶格 分子束外延 中/长波双色 红外探测器

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320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器 被引量：6

5

作者 许佳佳 陈建新 +8 位作者 周易 徐庆庆 王芳芳 徐志成 白治中 靳川 陈洪雷 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2014年第6期598-601,共4页

报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm... 报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像. 展开更多

关键词 长波红外探测器 inas/gasb Ⅱ类超晶格 焦平面阵列

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InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究 被引量：7

6

作者 陈慧娟 郭杰 +3 位作者 丁嘉欣 鲁正雄 彭振宇 孙维国 《微纳电子技术》 CAS 2008年第5期298-301,共4页

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速... 研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。 展开更多

关键词 砷化铟/锑化镓 超晶格 化学湿法腐蚀 台面刻蚀 溶液配比

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320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器 被引量：5

7

作者 白治中 徐志成 +5 位作者 周易 姚华城 陈洪雷 陈建新 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期716-720,共5页

报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ... 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10^(10) cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为8.6%;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×10~9 cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像. 展开更多

关键词 inas/gasb 超晶格 双色 焦平面

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InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器 被引量：5

8

作者 徐庆庆 陈建新 +4 位作者 周易 李天兴 金巨鹏 林春 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第1期7-9,42,共4页

InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化... InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。 展开更多

关键词 inas/gasb 超晶格 红外探测器 分子束外延

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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀 被引量：5

9

作者 陈永远 邓军 +2 位作者 史衍丽 苗霈 杨利鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期433-437,共5页

分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s... 分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。 展开更多

关键词 ICP刻蚀 inas gasb 二类超晶格 SiCl4 AR CL2 AR

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生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究 被引量：4

10

作者 李承林 房丹 +4 位作者 张健 高佳旭 方铉 王登魁 唐吉龙 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期294-298,共5页

利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML)Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了... 利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML)Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了界面的应力。通过双晶X射线衍射和原子力显微镜对超晶格样品表面形貌进行测试和表征,应变分别减少到0.64%和0.56%,均方根粗糙度仅为0.81 nm和0.45 nm,为后续器件的制备提供了基础。 展开更多

关键词 材料 光学材料 超晶格 生长中断法 inas/gasb 分子束外延

原文传递

InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究

11

作者 温涛 胡雨农 +3 位作者 李景峰 赵成城 王国伟 刘铭 《红外》 CAS 2023年第4期1-6,共6页

分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSbⅡ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了... 分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSbⅡ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比研究。总结了采用干法工艺和湿法工艺制备双色InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面器件的特点。该研究对InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面器件的研制具有参考意义。 展开更多

关键词 inas/gasb Ⅱ类超晶格 焦平面 双色

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nBn结构InAs/GaSb超晶格中/长双波段探测器优化设计

12

作者 刘文婧 祝连庆 +6 位作者 张东亮 郑显通 杨懿琛 王文杰 柳渊 鹿利单 刘铭 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期73-85,共13页

双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极... 双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极大地影响双波段红外探测器的性能。因此,设计了nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双波段红外探测器,通过仿真比较不同结构的器件在不同偏压下的中波/长波通道的响应率和暗电流大小,分析势垒层厚度、吸收层厚度、不同区域的掺杂对暗电流和串扰的影响,从而得到最佳的模型参数达到减小暗电流和降低串扰的效果。仿真结果显示:nBn结构的中/长波双波段红外探测器在77 K下,中波通道的暗电流密度为4.5×10^(-5)A·cm^(-2),在0.3 V偏压下,2μm处的峰值量子效率为64%,探测率可以达到3.9×10^(11)cm·Hz^(1/2)·W^(-1);长波通道的暗电流密度为1.3×10^(-4)A·cm^(-2),在-0.3 V的偏压下,5.6μm处的峰值量子效率为48%,探测率可以达到4.1×10^(11)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。相关结论可为器件设计和加工提供参考。 展开更多

关键词 红外探测器 双波段 NBN inas/gasb超晶格 暗电流

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基于锑化物二类超晶格的多色红外探测器研究进展 被引量：3

13

作者 蒋洞微 徐应强 +1 位作者 王国伟 牛智川 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2211-2220,共10页

近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,二类超晶格材料以其具备的带隙可调、暗电流小、量子效率高、材料均匀性高,以及成本低等优越性能,使其逐... 近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,二类超晶格材料以其具备的带隙可调、暗电流小、量子效率高、材料均匀性高,以及成本低等优越性能,使其逐步成为第三代红外焦平面探测器的优选材料。本文阐述了锑化物窄带隙半导体研究中心的锑化物多色红外探测器研究进展。本团队成功实现了低噪声、高量子效率以及低光学串扰的短/中、短/长、中/长、长/长、中/长/甚长波等多种高性能多色红外探测器研制。 展开更多

关键词 inas/gasb 二类超晶格 多色红外探测器 量子效率 光学串扰

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128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器 被引量：3

14

作者 许佳佳 金巨鹏 +7 位作者 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期501-504,共4页

报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通... 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像. 展开更多

关键词 长波红外探测器 inas gasb Ⅱ类超晶格 焦平面阵列

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InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器 被引量：1

15

作者 马晓乐 郭杰 +4 位作者 郝瑞亭 魏国帅 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期569-575,共7页

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面... 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。 展开更多

关键词 inas/gasb超晶格 gasb体材料 中短双色 红外探测 侧壁电阻率 低串扰

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InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析 被引量：1

16

作者 李俊斌 刘爱民 +6 位作者 蒋志 杨晋 杨雯 孔金丞 李东升 李艳辉 周旭昌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期170-177,共8页

利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,... 利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析。结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(>60 mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导。并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×10^(15)~1×10^(16) cm^(−3)是优化的掺杂浓度。 展开更多

关键词 inas/gasb超晶格 长波红外探测器 异质pN结 暗电流

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InAs/GaSb超晶格长波红外探测器 被引量：2

17

作者 汪良衡 李云涛 +5 位作者 雷华伟 杨煜 丁颜颜 张舟 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期473-476,共4页

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研... InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研究的持续发展,成为第三代红外探测器技术的最佳选择,并在国防建设、医疗、电力、天文学、抗灾方面有着广泛的应用。本文着重介绍了Ⅱ类超晶格长波红外探测器器件的制备、焦平面的成像测试以及器件的相关性能。长波探测器器件在77 K条件下10%截止波长为14mm,峰值量子效率为35%,峰值响应2.6 A/W,峰值探测率接近1×1010cm Hz1/2W^(-1)。 展开更多

关键词 inas/gasb Ⅱ类超晶格 长波红外

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究 被引量：2

18

作者 邢伟荣 刘铭 +1 位作者 周朋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期725-727,共3页

为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺... 为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。 展开更多

关键词 inas/gasb Ⅱ类超晶格 电学性能 霍尔测试

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InAs/ GaSb应变超晶格红外调制光谱研究 被引量：2

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作者 申晨 折伟林 +3 位作者 李乾 邢伟荣 晋舜国 刘铭 《红外》 CAS 2019年第2期14-18,共5页

在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能... 在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响,并通过改变测试参数,总结出了针对不同材料的测试方法。这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值。 展开更多

关键词 inas/gasb应变超晶格材料 光致发光光谱 截止波长 分子束外延

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InAs/GaSb超晶格结构的高分辨X射线衍射分析 被引量：2

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作者 张强 房丹 +1 位作者 齐晓宇 李含 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2021年第23期263-269,共7页

在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合... 在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合原子力显微镜对两组超晶格样品进行了表面起伏及表面粗糙度的测试和表征,结果发现:50周期InAs(10 ML)/GaSb(10 ML)超晶格样品比短周期和非对称超晶格样品的表面起伏更小,表面粗糙度更低;随着超晶格样品生长周期的递增,摇摆曲线上1级衍射峰的半峰全宽显著减小,样品表面的起伏和连续性得到改善,50周期对称超晶格样品的均方根表面粗糙度可以减小到0.31 nm,摇摆曲线上的卫星峰可以清晰看到±4级衍射峰,1级衍射峰的半峰全宽仅为0.027°,周期厚度为5.59 nm,平均应变为0.43%。 展开更多

关键词 材料 inas/gasb超晶格 高分辨X射线衍射 应变 摇摆曲线

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