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级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
1
作者
张承
黄晓峰
+6 位作者
迟殿鑫
唐艳
王立
柴松刚
崔大健
莫才平
高新江
《半导体光电》
CAS
北大核心
2020年第1期20-24,共5页
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗...
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流。在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。
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关键词
inalas
/
inalgaas
雪崩光电二极管
暗电流
表面漏电流
缺陷辅助隧穿电流
缺陷浓度
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职称材料
题名
级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
1
作者
张承
黄晓峰
迟殿鑫
唐艳
王立
柴松刚
崔大健
莫才平
高新江
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2020年第1期20-24,共5页
文摘
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流。在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。
关键词
inalas
/
inalgaas
雪崩光电二极管
暗电流
表面漏电流
缺陷辅助隧穿电流
缺陷浓度
Keywords
inalas
/
inalgaas
apd
dark
current
surface
leakage
current
trap-assisted
tunneling
current
defect
concentration
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
张承
黄晓峰
迟殿鑫
唐艳
王立
柴松刚
崔大健
莫才平
高新江
《半导体光电》
CAS
北大核心
2020
0
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