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In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征
被引量：
1
1
作者
侯俊峰
周科朝
+2 位作者
李志友
王科
甘雪萍
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期1494-1499,共6页
以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体...
以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体心立方结构的富Sn相,晶粒边缘内侧出现低Sn浓度的无析出带,其三晶交界处生成In_4Sn_3O_(12)晶粒;In_2O_3:Sn晶内富Sn析出相按照从晶粒中部到晶界边缘尺寸逐渐减小、排布由疏到密的的规律分布;随着保温时间的延长,In_4Sn_3O_(12)晶粒尺寸、In_2O_3:Sn晶内的富Sn析出相尺寸和无析出带宽度增大。
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关键词
IT
o
陶瓷
In
4
sn
3
o
12
晶粒
富
sn
析出相
微观结构
下载PDF
职称材料
题名
In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征
被引量：
1
1
作者
侯俊峰
周科朝
李志友
王科
甘雪萍
机构
中南大学粉末冶金国家重点实验室
出处
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期1494-1499,共6页
基金
湖南省科技计划项目(2014GK2011)~~
文摘
以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体心立方结构的富Sn相,晶粒边缘内侧出现低Sn浓度的无析出带,其三晶交界处生成In_4Sn_3O_(12)晶粒;In_2O_3:Sn晶内富Sn析出相按照从晶粒中部到晶界边缘尺寸逐渐减小、排布由疏到密的的规律分布;随着保温时间的延长,In_4Sn_3O_(12)晶粒尺寸、In_2O_3:Sn晶内的富Sn析出相尺寸和无析出带宽度增大。
关键词
IT
o
陶瓷
In
4
sn
3
o
12
晶粒
富
sn
析出相
微观结构
Keywords
IT
o
ceramic target
In
4
sn
3
o
12
grains
sn
-rich precipitate
micr
o
structure
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征
侯俊峰
周科朝
李志友
王科
甘雪萍
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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