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透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量:32
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作者 王敏 蒙继龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-7,共3页
综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的... 综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的不断改进、成熟以及聚合物基TCO薄膜的开发,TCO薄膜将具有更广阔的应用和发展空间。 展开更多
关键词 TCo SNo2 IN2o3 ZNo 制备方法 应用前景 透明导电氧化物薄膜
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透明导电氧化物薄膜材料研究进展 被引量:37
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作者 刘宏燕 颜悦 +3 位作者 望咏林 伍建华 张官理 厉蕾 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期63-82,共20页
透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则... 透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则。化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物。根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种。在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导。进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用。In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力。此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点。 展开更多
关键词 氧化铟 氧化锡 氧化锌 透明导电氧化物
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室温固相合成In_2O_3及其气敏性能研究 被引量:23
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作者 徐甲强 刘艳丽 牛新书 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期367-370,共4页
以无机物InCl3·4H2O和NaOH为原料,在遵守热力学限制的前提下,用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物In2O3的纳米粉体,用X射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察,并用静... 以无机物InCl3·4H2O和NaOH为原料,在遵守热力学限制的前提下,用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物In2O3的纳米粉体,用X射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察,并用静态配气法测定了材料的气敏性能. 展开更多
关键词 三氧化二铟 气敏材料 室温 固相化学反应
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ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究 被引量:16
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作者 何霞 刘海瑞 +3 位作者 董海亮 梁建 张华 许并社 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期264-268,共5页
通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In2O3异质结是由直径约200-300 nm、... 通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In2O3异质结是由直径约200-300 nm、厚度约40-60 nm的六边形纳米片镶嵌着In2O3纳米小颗粒组成。对比纯ZnO、纯In2O3和该光催化材料对罗丹明B(RhB)的可见光降解效率, 发现ZnO/In2O3异质结光催化材料对RhB具有较高的光催化效率, 其原因是窄带系半导体In2O3能够有效地吸收可见光, 当ZnO与In2O3形成异质结时, In2O3能带上被可见光激发的电子会迁移到ZnO的导带上, 而光激发的空穴仍保留在In2O3价带, 这样有助于光生电子和空穴的分离, 降低其复合几率, 从而有效地提高了ZnO的光催化效率。 展开更多
关键词 ZNo ZNo IN2o3 罗丹明B 光催化效率
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溶胶-凝胶法制备的纳米In_2O_3气敏性能研究 被引量:14
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作者 程知萱 潘庆谊 +2 位作者 王廷富 董晓雯 李琰 《郑州轻工业学院学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期3-6,共4页
以氯化铟为前驱体 ,通过溶胶 -凝胶法制备了纳米In2 O3 颗粒 .经TG -DSC热分析表明 :In(OH) 3 在 2 72 9℃附近脱水形成In2 O3 .经XRD ,TEM等手段表征的结果显示 :所合成的纳米In2 O3属立方晶型 ,晶粒尺寸约 2 0nm .气敏性能测试结果... 以氯化铟为前驱体 ,通过溶胶 -凝胶法制备了纳米In2 O3 颗粒 .经TG -DSC热分析表明 :In(OH) 3 在 2 72 9℃附近脱水形成In2 O3 .经XRD ,TEM等手段表征的结果显示 :所合成的纳米In2 O3属立方晶型 ,晶粒尺寸约 2 0nm .气敏性能测试结果表明 :纳米In2 O3 气敏元件对TMA及NH3 灵敏度高 .通过与某公司提供的粒度为 3.0 77μm的In2 O3 制成的气敏元件比较得知 ,纳米In2 O3 气敏元件对TMA的灵敏度提高特别明显 . 展开更多
关键词 气敏性能 氧化铟 纳米粉末 溶胶-凝胶法 气敏元件 三甲胺
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高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜 被引量:11
6
作者 李喜峰 缪维娜 +3 位作者 张群 黄丽 章壮健 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的... 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。 展开更多
关键词 IN2o3 载流子迁移率 直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 结构和性能 IMo 基板温度 低电阻率 玻璃基底 可见光区 氧分压 透射率 结晶性 cm 散射
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In_2O_3纳米粉体的制备及其气敏性能研究 被引量:11
7
作者 牛新书 仲皓想 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期10-12,15,共4页
以In2(SO4)3为原料,通过sol-gel法制备了立方晶系的In2O3粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对材料的组成、晶粒的大小、结构进行了表征。结果表明,产物为平均粒径30 nm左右的圆球形颗粒。将前驱体分别在不同温度下进行热处理,对其气敏性... 以In2(SO4)3为原料,通过sol-gel法制备了立方晶系的In2O3粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对材料的组成、晶粒的大小、结构进行了表征。结果表明,产物为平均粒径30 nm左右的圆球形颗粒。将前驱体分别在不同温度下进行热处理,对其气敏性能研究发现,900℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10–6 Cl2表现出较好的灵敏度(1.5×104)和选择性。600℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10–6 NO2的灵敏度高达2.5×105。最后,对其气敏机理进行了分析。 展开更多
关键词 电子技术 氧化铟 SoL-GEL法 气敏性能 氯气
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透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能 被引量:11
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作者 田苗苗 范翊 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期605-608,共4页
以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电... 以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电导率为3.143×10^-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30230cd/m^2,最大电流效率为5.1cd/A。结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 掺杂 IN2o3 BI2o3 有机电致发光器件
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In_2O_3八面体的碳还原法制备及其发光性能研究 被引量:5
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作者 黄在银 柴春芳 +4 位作者 谭学才 吴健 袁爱群 周泽广 刘绍刚 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第3期499-503,共5页
In2O3 octahedrons were synthesized by carbothermal reduction using In2O3 nanoparticles as the source material. The as-synthesized products were characterized by X-ray powder diffraction (XRD), energy dispersive X-ray(... In2O3 octahedrons were synthesized by carbothermal reduction using In2O3 nanoparticles as the source material. The as-synthesized products were characterized by X-ray powder diffraction (XRD), energy dispersive X-ray(EDX), scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), selected-area electron diffraction analysis(SAED) and Room-temperature photoluminescence(PL) spectroscopy. The results show that the products are single-crystalline In2O3 octahedrons, the length of the octahedrons is in the range of 400~3 000 nm; the PL patterns display two peaks located at 447nm and 555 nm upon excitation at 380 nm, and the other two peaks located at 444 nm and 550 nm upon excitation at 325 nm; the excitation pattern shows two peaks located at 274 nm and 371 nm, respectively. The growth mechanism of the In2O3 octahedrons is discussed, and the high supersaturation ratio is considered as the key factor. 展开更多
关键词 IN2o3 八面体 碳还原 光致发光
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In_2O_3基甲醛传感器的研制 被引量:11
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作者 刘如征 全宝富 +2 位作者 刘凤敏 陈丽华 刘敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期15-17,共3页
以sol-gel法制备的In2O3纳米材料为基体,采用La2O3作为掺杂剂,研制出甲醛传感器。结果表明:La2O3的掺杂可以明显提高元件对甲醛的灵敏度,在工作温度为145℃,(甲醛)为10×10–6时,元件表现出4倍的灵敏度,通过4A分子筛的修饰提高了... 以sol-gel法制备的In2O3纳米材料为基体,采用La2O3作为掺杂剂,研制出甲醛传感器。结果表明:La2O3的掺杂可以明显提高元件对甲醛的灵敏度,在工作温度为145℃,(甲醛)为10×10–6时,元件表现出4倍的灵敏度,通过4A分子筛的修饰提高了元件的选择性。在为期90d的追踪实验中发现元件的灵敏度变化小于10%,元件在(甲醛)为50×10–6时,响应、恢复时间分别为8s和30s。 展开更多
关键词 电子技术 甲醛传感器 IN2o3 sol—gel 灵敏度
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氧化铟掺杂对 ZnFe_2O_4 半导体气敏性能的影响 被引量:7
11
作者 储向峰 刘杏芹 孟广耀 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期41-44,共4页
用化学共沉淀法在ZnFe2O4中掺入In2O3.X射线衍射分析证实,In2O3与ZnFe2O3之间没有新相生成,晶格常数有微小变化.掺入In2O3降低了ZnFe2O4的电导,改变了该系列材料的导电机制,提高了材料对乙... 用化学共沉淀法在ZnFe2O4中掺入In2O3.X射线衍射分析证实,In2O3与ZnFe2O3之间没有新相生成,晶格常数有微小变化.掺入In2O3降低了ZnFe2O4的电导,改变了该系列材料的导电机制,提高了材料对乙醇的敏感性和选择性。 展开更多
关键词 ZNFE2o4 掺杂 传感器 乙醇 气敏 氧化铟 半导体
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In和过渡金属离子共掺杂对ZnO晶体形貌的影响 被引量:4
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作者 仇满德 田帅 +1 位作者 韦志仁 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期48-52,共5页
采用水热法,KOH作矿化剂,在ZnO前驱物中添加适量的CoCl2.6H2O,FeCl2.4 H2O,NiCl2.6H2O,In2O3,其中Co∶In∶Zn,Fe∶In∶Zn,Ni∶In∶Zn分别为5∶1∶100,5∶1∶100,3∶1∶100。3 mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24 h,制备了In... 采用水热法,KOH作矿化剂,在ZnO前驱物中添加适量的CoCl2.6H2O,FeCl2.4 H2O,NiCl2.6H2O,In2O3,其中Co∶In∶Zn,Fe∶In∶Zn,Ni∶In∶Zn分别为5∶1∶100,5∶1∶100,3∶1∶100。3 mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24 h,制备了In和过渡族金属离子共掺的ZnO晶体。结果表明,掺杂In2O3时,所合成的过渡族金属离子掺杂的ZnO晶体均呈现六角片状晶体,晶体形貌规则,表面光滑,直径为5~10μm。和未掺杂In的晶体相比,掺杂In后,晶体c轴极性生长速度得到明显的控制,a、b轴方向生长速度提高,大面积显露+c{0001}、负极面-c{000}面,另外还显露正锥面+p{101}、负锥面-p{10}。 展开更多
关键词 氧化锌 水热法 三氧化二铟 晶体形貌
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表面活性剂-水热法一步制备纳米In_2O_3气敏材料 被引量:9
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作者 娄向东 李培 +2 位作者 王晓兵 秦楠 王学峰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1327-1331,共5页
以聚乙二醇600(PEG-600)为表面活性剂,用水热法一步制备了In2O3粉体,通过XRD、SEM、TEM等手段对粉体的物相、形貌、粒度等进行表征,结果表明产物的形貌为棒状,平均长度约150nm,直径约20nm,分布均匀。采用静态配气法测定材料的气敏性能,... 以聚乙二醇600(PEG-600)为表面活性剂,用水热法一步制备了In2O3粉体,通过XRD、SEM、TEM等手段对粉体的物相、形貌、粒度等进行表征,结果表明产物的形貌为棒状,平均长度约150nm,直径约20nm,分布均匀。采用静态配气法测定材料的气敏性能,发现以In2O3为基体的气敏元件在125℃的工作温度下对10ppmNO2气体的灵敏度高达32.2,并且具有选择性好、响应-恢复时间短等特性。 展开更多
关键词 IN2o3 表面活性剂 水热法 气敏性质
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氧化铟八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链的可控合成 被引量:7
14
作者 董红星 杨合情 +2 位作者 尹文艳 杨文玉 王林芳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第22期2611-2617,共7页
在N2/H2O混合气流中将硅片上金覆盖的金属铟颗粒加热到800℃制备出了不同形貌的In2O3纳米结构,在距铟源不同距离处依次得到In2O3的八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链.采用拉曼光谱、扫描电镜、X射线衍射和透射电镜对产物进行了表征... 在N2/H2O混合气流中将硅片上金覆盖的金属铟颗粒加热到800℃制备出了不同形貌的In2O3纳米结构,在距铟源不同距离处依次得到In2O3的八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链.采用拉曼光谱、扫描电镜、X射线衍射和透射电镜对产物进行了表征分析.结果表明,八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链均为立方相单晶结构的In2O3.基于气-固和气-液-固生长机理详细分析了八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链的生长过程,提出了不同形貌In2O3纳米结构的生长模式. 展开更多
关键词 IN2o3 八面体 锯齿状纳米线 纳米链 可控合成
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溶胶-凝胶法制备纳米In_2O_3粉末 被引量:6
15
作者 潘庆谊 程知萱 +1 位作者 张剑平 王廷富 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期3-6,共4页
以InCl3 ·4H2 O为原料 ,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2 O3 。利用XRD ,TEM ,TG-DTA等测试手段对纳米级In2 O3 的晶粒生长过程进行了研究。计算表明 :随着煅烧温度的升高 ,平均晶粒度增大 ,而平均晶格畸变率则随着平均... 以InCl3 ·4H2 O为原料 ,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2 O3 。利用XRD ,TEM ,TG-DTA等测试手段对纳米级In2 O3 的晶粒生长过程进行了研究。计算表明 :随着煅烧温度的升高 ,平均晶粒度增大 ,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少。表明粒子越小 ,晶格畸变率越大 ,晶粒发育越不完整。应用相变理论计算得温度低于 5 0 0℃煅烧 1h ,晶粒生长活化能为 4.75kJ·mol-1,高于6 0 0℃时 ,晶粒生长活化能为 6 6 .40kJ·mol-1。TEM分析表明 :加入适量形貌控制剂 ,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 制备 纳米粉体 IN2o3 InCl3·4H2o 晶粒生长 气敏传感元件
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In_2O_3对Ni60激光熔覆层的影响 被引量:8
16
作者 晁明举 杨坤 +1 位作者 袁斌 梁二军 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期27-30,共4页
向Ni60合金粉末中加入适量的In2O3,选取合适的工艺参数,采用激光熔覆技术在45钢表面上获得了无裂纹的高质量熔覆层。对熔覆层显微组织进行了观察和分析,测试了熔覆层的显微硬度和摩擦磨损性能。结果表明,同未加入In2O3的Ni60激光熔覆层... 向Ni60合金粉末中加入适量的In2O3,选取合适的工艺参数,采用激光熔覆技术在45钢表面上获得了无裂纹的高质量熔覆层。对熔覆层显微组织进行了观察和分析,测试了熔覆层的显微硬度和摩擦磨损性能。结果表明,同未加入In2O3的Ni60激光熔覆层相比,加入适当比例In2O3的Ni60熔覆层,虽然硬度有所降低,但硬度分布更加均匀,且在该文摩擦条件下耐磨性提高。In2O3能够降低Ni60激光熔覆层裂纹敏感性的原因在于适量的In2O3能够抑制粗大块状硬质相的生长,改善枝晶分布,细化组织晶粒,提高涂层韧性。 展开更多
关键词 激光熔覆 裂纹 耐磨性 IN2o3
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Cu^(2+)掺杂对In_2O_3电导和气敏性能的影响 被引量:5
17
作者 李永红 侯长平 +1 位作者 葛秀涛 张延琪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第5期12-14,共3页
为寻求新型气敏材料,用化学共沉淀法制备了Cu2+掺杂In2O3,研究了其相结构、电导和气敏性能。结果表明:900℃热处理4h所得掺2%Cu2+的In2O3微粉制作的元件对C2H5OH有较高的灵敏度和较好的选择性,有良好的应用前景。
关键词 Cu^2+掺杂 IN2o3 电导 气敏性能 单位折射率 共沉淀
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In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算 被引量:8
18
作者 张富春 张志勇 +2 位作者 张威虎 阎军峰 贠江妮 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第16期1863-1868,共6页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱,根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性.研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%,可作为优异的透明导电薄膜材料.同时,计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制这一类透明导电材料的生长过程提供了可能性。 展开更多
关键词 IN2o3 光学性质 电子结构 第一性原理
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In2O3的掺杂及气敏性能研究 被引量:6
19
作者 牛新书 魏平涛 +2 位作者 王雪丽 茹祥莉 陈晓丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期11-14,共4页
较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气... 较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3、Cl2、C2H5OH)的敏感机理。 展开更多
关键词 IN2o3 掺杂 气敏性 机理
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基于电纺丝法的In_2O_3/CdO复合材料的制备及甲醛气敏特性 被引量:8
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作者 陈鹏鹏 王兢 +2 位作者 张春丽 郝育闻 杜海英 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1827-1836,共10页
用静电纺丝法制备了In(NO3)3/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纺丝前驱物,然后分别在500、600、700°C时烧结得到三种In2O3纳米纤维.通过X射线衍射(XRD)仪、热重差热分析(TG/DTA)、场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)表征结果得知,500°C时In... 用静电纺丝法制备了In(NO3)3/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纺丝前驱物,然后分别在500、600、700°C时烧结得到三种In2O3纳米纤维.通过X射线衍射(XRD)仪、热重差热分析(TG/DTA)、场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)表征结果得知,500°C时In2O3的晶相已经形成,且粒径为最小,约为24nm,纳米纤维呈介孔结构.将三种烧结温度的In2O3纤维制作成气敏元件,测试对比了三种元件对甲醛气体的敏感特性,结果表明,500°C烧结得到的In2O3纳米纤维在工作温度为240°C时响应最好,对浓度为10×10-6(体积分数,φ)甲醛的响应为7.用静电纺丝法合成了CdO纳米颗粒,通过XRD、SEM表征得知CdO呈粒径约为68nm的颗粒.将In2O3和CdO以不同摩尔比(1:1,10:1,20:1)复合,对比测试了纯In2O3及三种In2O3/CdO复合材料对应的气敏元件对甲醛的气敏特性,测试结果表明当In2O3纳米纤维与CdO纳米颗粒以摩尔比10:1复合时,元件的工作温度较低(200°C),且对甲醛表现出最佳的气敏特性,对浓度为10×10-6甲醛的响应为13.6,响应/恢复时间为140s/32s.最后对不同摩尔比复合的In2O3/CdO对甲醛的气敏机理进行了初步分析. 展开更多
关键词 IN2o3 CDo 复合材料 甲醛 气敏特性
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