期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种InP/InGaAs PIN光电探测器芯片的设计与制作 被引量：3
1
作者 赵媛媛 武传龙 高鹏飞 《电子质量》 2022年第7期44-47,共4页
In Ga As/In P PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统。该文设计了一种平面型In Ga As/In P PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片... In Ga As/In P PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统。该文设计了一种平面型In Ga As/In P PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片加工工艺,并对芯片参数进行了测试。 展开更多
关键词 INgaas/inp PIN 外延 工艺
下载PDF
GaAs/InP的键合界面热应力分析 被引量：5
2
作者 于丽娟 晏磊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期120-125,共6页
采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对... 采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对较小。而按照一定的比例适度剪薄两侧晶片的厚度,可以使得两侧的双轴形变能减小到原来的一半以下。通过减薄键合晶片的厚度可以得到较好的键合质量。另外,不管那一种应力都随退火温度的升高而快速增加,所以实验中一定保持低的退火温度,通常小于300°C为宜。 展开更多
关键词 砷化镓/磷化铟 键合 热应力 退火温度 晶片厚度
下载PDF
基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术 被引量：1
3
作者 宋海兰 黄辉 +2 位作者 王文娟 黄永清 任晓敏 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1511-1514,共4页
提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In... 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。 展开更多
关键词 低温键合 gaas/inp 二次离子质谱(SIMS)
原文传递
GaAs/InP低温晶片键合的研究
4
作者 王兴妍 黄辉 +2 位作者 王琦 任晓敏 黄永清 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期512-514,共3页
将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。
关键词 键合 gaas/inp I-V曲线 光致发光谱
下载PDF
用于光电集成的GaAs/InP MESFET研究
5
作者 陈松岩 刘宝林 +4 位作者 陈龙海 王本忠 刘式墉 陈朝 黄美纯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期212-215,共4页
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料，用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的（004）品面行射半高峰宽（FWHM）低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管（M... 提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料，用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的（004）品面行射半高峰宽（FWHM）低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导为100mS／mm，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。 展开更多
关键词 低压MOVPE 场效应晶体管 异质外延 砷化镓
下载PDF
GaAs－InP异质材料的结构特性和光学特性研究 被引量：1
6
作者 陈松岩 李玉东 +3 位作者 孙洪波 王本忠 刘式墉 张玉贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期140-146,共7页
我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ... 我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ外延层的位错密度低于用两步升温法得到的ＧａＡｓ材料，ＰＬ谱峰较强，ＧａＡｓ的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到．Ｒａｍａｎ谱ＰＬ谱的峰移表明ＧａＡｓ外延层处于（１００）双轴伸张应力下，应力大小随温度变化是由于ＧａＡｓ、ＩｎＰ之间的热膨胀系数不同。 展开更多
关键词 gaas-inp导质材料 X-射线衍射 低温光致发光谱 RAMAN谱
下载PDF
图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
7
作者 戚永乐 张瑞英 +6 位作者 张震 王岩岩 朱健 孙玉润 赵勇明 董建荣 王庶民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期448-454,共7页
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生... 使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关。与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关。AFM测试结果表明,提高V/III比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级。微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式。该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础。 展开更多
关键词 图形化衬底 gaas/inp异质外延 表面形貌 粗糙度 应力
下载PDF
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
8
作者 陈小红 陈松岩 +3 位作者 张玉清 林爱清 陈丽容 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期759-763,共5页
用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激... 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm . 展开更多
关键词 MESFET器件 gaas/inp异质材料 光致发光谱 RAMAN谱 金属-半导体场效应晶体管 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
下载PDF
GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究 被引量：5
9
作者 许兆鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期56-63,共8页
为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３Ｐ... 为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ选择性腐蚀液；为了研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＴｂａｒ型光波导，开发了ＨＣｌ／Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２选择性腐蚀液；为了研制ＧａＰ、ＩｎＧａＰ光波导，开发了ＨＣｌ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外，蚀刻成的ＧａＰ光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。 展开更多
关键词 磷化镓 磷化铟 砷化镓 化学腐蚀
下载PDF
新型微波器件——异质结双极晶体管
10
作者 盛柏桢 顾忠良 《半导体情报》 1999年第6期17-22,共6页
主要叙述各种材料异质结双极晶体管的结构、特性及其应用情况。
关键词 晶体管 微波器件 双极晶体管 砷化镓
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部