压印对正系统中标记图像几何畸变的校正 被引量：8

1

作者 王权岱 段玉岗 +2 位作者 丁玉成 关宏武 卢秉恒 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期422-427,共6页

在综合分析了多种线性及非线性畸变后,建立了三次多项式图像系统畸变模型。采用基于控制点偏差目标函数最小优化法进行畸变模型的求解,并通过计算自标定偏差均方差与互标定偏差均方差对标定结果进行了评定。结果表明,模型求解误差为0.22... 在综合分析了多种线性及非线性畸变后,建立了三次多项式图像系统畸变模型。采用基于控制点偏差目标函数最小优化法进行畸变模型的求解,并通过计算自标定偏差均方差与互标定偏差均方差对标定结果进行了评定。结果表明,模型求解误差为0.22μm,通过校正标记图像几何畸变引入的定位误差由2.5μm降低到0.25μm,可实现压印对正系统中标记图像几何畸变的校正,实现精确定位。 展开更多

关键词 图像畸变 校正 对正 压印光刻

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高精度压印机热误差补偿中温度变量的辨识 被引量：5

2

作者 严乐 刘红忠 +1 位作者 卢秉恒 丁玉成 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期827-830,840,共5页

为了提高压印机在压印光刻工艺中的套刻对准精度,提出了采用因子分析方法来选取压印机热误差模型中的温度变量,根据变量之间的相关性分组后,再根据各变量与热误差之间的相关性在每一组中选取一个代表变量,最终将压印机上布置的温度传感... 为了提高压印机在压印光刻工艺中的套刻对准精度,提出了采用因子分析方法来选取压印机热误差模型中的温度变量,根据变量之间的相关性分组后,再根据各变量与热误差之间的相关性在每一组中选取一个代表变量,最终将压印机上布置的温度传感器从15个减少到3个.在压印机温度测量关键点处建立了温度与模具在x、z方向热误差关系的数学模型,模型的热误差预测精度达到了98%以上.实验结果表明,该方法不仅保证了模型的精度,而且大大地减少了模型的计算时间,是一种在压印机热误差建模中选择温度测量关键点的有效方法.它不仅避免了热误差建模过程中的变量耦合问题,而且提高了模型的精确性,经过补偿,压印机的热误差在x、z方向都减小到200 nm以内. 展开更多

关键词 压印光刻 压印机 套刻对准精度 因子分析 热误差补偿

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冷压印光刻工艺精密定位工作台的研制 被引量：5

3

作者 严乐 卢秉恒 +2 位作者 丁玉成 刘红忠 李寒松 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期75-78,共4页

冷压印光刻工艺是一种将模板图形翻制到硅片上的技术。为了获得高分辨率压印图形 ,为压印光刻机设计了一个精密定位工作台。精密定位工作台是压印光刻机的关键部件 ,它既能够保证模板 -抗蚀剂 -硅片结构间的接触均匀一致 ,并实现模板与... 冷压印光刻工艺是一种将模板图形翻制到硅片上的技术。为了获得高分辨率压印图形 ,为压印光刻机设计了一个精密定位工作台。精密定位工作台是压印光刻机的关键部件 ,它既能够保证模板 -抗蚀剂 -硅片结构间的接触均匀一致 ,并实现模板与承片台间的三个运动自由度 ,即沿 z轴的直线运动和绕 x、y轴的旋转运动 (α和β) ,又可以实现步进对准所需要的沿x、y轴的直线运动和绕 z轴的旋转运动 ( θ)。设计中采用了柔性机械结构 ,消除了使用铰链连接所引起的间隙与摩擦等问题。压印实验结果显示定位系统在 2 0 0 mm的行程中 ,精密定位工作台定位精度达到 8nm以内。实现了压印光刻工艺在集成电路制造中的高精度定位要求。 展开更多

关键词 压印光刻 精密定位工作台 柔性结构 精度

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步进闪光压印光刻模具制作工艺研究 被引量：5

4

作者 李寒松 丁玉成 卢秉恒 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期337-340,共4页

由于硅橡胶具有良好的自适应性和优异的脱模性,所以选取硅橡胶作为模具材料,并确定使用硅橡胶加石英硬衬作为压印光刻工艺的模具.分析了硅橡胶模具制作工艺中真空辅助浇铸的成型过程,以及交联固化反应过程的各个工艺参数对硅橡胶模具性... 由于硅橡胶具有良好的自适应性和优异的脱模性,所以选取硅橡胶作为模具材料,并确定使用硅橡胶加石英硬衬作为压印光刻工艺的模具.分析了硅橡胶模具制作工艺中真空辅助浇铸的成型过程,以及交联固化反应过程的各个工艺参数对硅橡胶模具性能的影响,通过大量实验,具体分析了硅橡胶单体和固化剂配比、浇铸真空压力、固化温度及固化时间等工艺参数,并由此得到了优化的硅橡胶固化工艺参数,提高了硅橡胶模具的物理性能.实验表明,硅橡胶模具具有良好的自清洁功能,其表面图形完好,图形转移效果优异,完全能够满足300 nm特征尺寸图形复型转移压印的要求. 展开更多

关键词 压印光刻 硅橡胶 模具

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基于SU-8的高质量平面微透镜阵列压印新方法 被引量：3

5

作者 范新磊 张斌珍 +1 位作者 李向红 张勇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第4期242-247,共6页

提出一种采用紫外光刻工艺及压印快速制造平面微透镜阵列的新技术。首先采用光刻工艺制作出平面圆柱形阵列,然后用热熔法将圆柱形阵列转化为微透镜阵列。以此微透镜阵列为母板,通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)复制出和母板相反的模具,利用毛... 提出一种采用紫外光刻工艺及压印快速制造平面微透镜阵列的新技术。首先采用光刻工艺制作出平面圆柱形阵列,然后用热熔法将圆柱形阵列转化为微透镜阵列。以此微透镜阵列为母板,通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)复制出和母板相反的模具,利用毛细效应,以SU-8为结构材料,通过特殊的压印方法得到平面微透镜阵列,可用于平面仿生复眼以及晶椎的最后制作。经过测试微透镜阵列的表面形貌和成像结果,可发现制备后的微透镜阵列聚光性能良好、光强均匀、无气泡和表面形貌均匀,解决了传统方法制作气泡多、表面形貌差的缺点。基于此方法加工的平面微透镜阵列对光学仿生复眼的进一步研究提供了有益参考。 展开更多

关键词 仿生复眼 压印 热熔 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 微透镜阵列

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基于微压印成形的三维微电子机械系统制造新工艺

6

作者 王权岱 段玉岗 +2 位作者 丁玉成 卢秉恒 张亚军 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期946-949,共4页

针对目前微电子机械系统(MEMS)制造中存在的三维加工能力不足的问题,将压印光刻技术和分层制造原理相结合,研究了三维MEMS制造的新工艺.采用视频图像原理构建了多层压印的对正系统,对正精度达到2μm.通过降低黏度和固化收缩率,兼顾弹性... 针对目前微电子机械系统(MEMS)制造中存在的三维加工能力不足的问题,将压印光刻技术和分层制造原理相结合,研究了三维MEMS制造的新工艺.采用视频图像原理构建了多层压印的对正系统,对正精度达到2μm.通过降低黏度和固化收缩率,兼顾弹性和固化速度,开发了适用于微压印工艺的高分辨率抗蚀剂材料,并进行了匀胶、压印和脱模工艺的优化实验.通过原子力显微镜对压印结果进行了分析,分析结果表明,图形从模具到抗蚀剂的转移误差小于8%,具有制作复杂微结构的能力,同时也为MEMS的制作提供了一种高效低成本的新方法. 展开更多

关键词 压印光刻 分层制造 微电子机械系统 对正

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紫外光固化中阻蚀胶薄膜应力分析及成膜控制 被引量：2

7

作者 尹磊 丁玉成 +1 位作者 卢秉恒 刘红忠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1028-1031,共4页

针对压印光刻工艺实现图章保真复型对阻蚀胶薄膜的均匀度和应力分布的要求,对匀胶过程中的时间、转速和加速度等参数进行了分析,并采用基片曲率法的Stoney公式及其近似计算公式,对不同参数环境下的薄膜应力及应力梯度分布作了计算分析.... 针对压印光刻工艺实现图章保真复型对阻蚀胶薄膜的均匀度和应力分布的要求,对匀胶过程中的时间、转速和加速度等参数进行了分析,并采用基片曲率法的Stoney公式及其近似计算公式,对不同参数环境下的薄膜应力及应力梯度分布作了计算分析.通过对比几组试验参数的应力分析结果,验证了薄膜应力的大小和应力梯度的分布主要与匀胶时间和速度有关,而与加速度的关系较小.因此,当选用匀胶转速为5 000 r/min、时间为30 s时,薄膜应力分布最优,成膜质量最佳,能够满足压印光刻工艺中300 nm级图型的保真复型需求. 展开更多

关键词 压印光刻 阻蚀胶 基片曲率法 薄膜应力 成膜控制

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冷压印光刻中斜纹光栅对准信号计算模型 被引量：1

8

作者 成丹 卢秉恒 +1 位作者 丁玉成 王莉 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期93-96,共4页

采用傅里叶光学的方法,分析了冷压印光刻中新型斜纹光栅对准标记的透光特性。分析表明,对准信号与光栅副相对位移之间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区。该区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移... 采用傅里叶光学的方法,分析了冷压印光刻中新型斜纹光栅对准标记的透光特性。分析表明,对准信号与光栅副相对位移之间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区。该区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移的线性关系,给出初步的对准信号计算模型。由于抗蚀剂的存在,使晶片表面反射率随位移而变化,提出用反射率因子进行修正的方案。反射率因子中包含有位移信息,将其与初步对准信号模型相乘,得到修正的计算模型。由新模型,研究了抗蚀剂平均厚度不同对对准信号的影响,说明要获得高灵敏度的信号,抗蚀剂厚度应取满足压印条件的最小值。 展开更多

关键词 压印光刻 斜纹光栅 对准 傅里叶光学 莫尔条纹

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集成电路压印光刻中压印模具的保真度研究

9

作者 王立永 李涤尘 +1 位作者 李寒松 卢凤兰 《电加工与模具》 2002年第6期34-36,共3页

传统的光刻生产工艺 ,有不可克服的光学极限。压印光刻法为集成电路的生产提供了一种快速、经济的方案。采用电子束直写、步进制模、压印翻制的压印模具生产工艺 ,其模具的制造是目前面临的难点。为了获得高质量的压印模具 ,着重从固化... 传统的光刻生产工艺 ,有不可克服的光学极限。压印光刻法为集成电路的生产提供了一种快速、经济的方案。采用电子束直写、步进制模、压印翻制的压印模具生产工艺 ,其模具的制造是目前面临的难点。为了获得高质量的压印模具 ,着重从固化剂的添加量、固化温度及时间等方面进行分析和研究。通过考查压印模具的平整度、均一性、特征尺寸及模具表面的固化收缩率等的变化 ,得到了压印模具制作的最佳工艺组合。 展开更多

关键词 保真度 集成电路 压印光刻 电子束直写 硅橡胶 压印模具

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微压印光刻的模具制作工艺研究 被引量：2

10

作者 秦旭光 李涤尘 +2 位作者 李寒松 丁玉成 卢秉恒 《电子工艺技术》 2003年第5期207-209,共3页

从模具材料研究模具制作工艺问题,通过实验研究,对比分析了有机玻璃模具和硅橡胶模具制作工艺。实验表明,可以复制出特征尺寸为0.35μm和0.1μm的有机玻璃模具和硅橡胶模具,均具有很高的复型精度。由于硅橡胶模具制作工艺在复型精度、... 从模具材料研究模具制作工艺问题,通过实验研究,对比分析了有机玻璃模具和硅橡胶模具制作工艺。实验表明,可以复制出特征尺寸为0.35μm和0.1μm的有机玻璃模具和硅橡胶模具,均具有很高的复型精度。由于硅橡胶模具制作工艺在复型精度、复型精度稳定性和制作速度上均优于有机玻璃模具,且缺陷密度低于有机玻璃模具。因此,选用基于高复型精度软硅橡胶模具的软压印光刻工艺。 展开更多

关键词 压印光刻 硅橡胶 有机玻璃 模具 复型

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压印光刻中的两步对正技术 被引量：2

11

作者 王莉 卢秉恒 +1 位作者 丁玉成 刘红忠 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1608-1612,共5页

压印光刻中套刻需要粗、精两级对正.实验采用一对斜纹结构光栅作为对正标记.利用物镜组观察光栅标记图像的边界特征进行粗对正,其准确度在精对正信号的捕捉范围内;利用光电接收器件阵列组合接收光栅莫尔信号,在莫尔信号的线区进行精对正... 压印光刻中套刻需要粗、精两级对正.实验采用一对斜纹结构光栅作为对正标记.利用物镜组观察光栅标记图像的边界特征进行粗对正,其准确度在精对正信号的捕捉范围内;利用光电接收器件阵列组合接收光栅莫尔信号,在莫尔信号的线区进行精对正.由于线性区的斜率大,精对正过程中得到相应x,y方向的对正误差信号灵敏度高,利用高灵敏度对正误差信号作为控制系统的驱动信号,对承片台进行驱动定位,实现精对正.最终使X,Y方向上的重复对正准确度分别达到了±21nm(±3σ)和±24nm(±3σ). 展开更多

关键词 压印光刻 对正准确度 光栅 莫尔信号 粗对正 精对正

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高保真度五步加载纳米压印光刻的研究 被引量：2

12

作者 严乐 刘红忠 +1 位作者 丁玉成 卢秉恒 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期933-936,共4页

从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据.基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系.... 从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据.基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系.在分析了现有压印工艺存在的问题后,提出了一个全新的压印工艺:高保真度固化压印,即包括特征转移-抗蚀剂减薄-脱模回弹力释放-保压光固化-脱模等压印过程.实验结果表明,高保真度固化压印过程与加载路线能实现复杂图形特征的复制,从而保证了压印图形的保真度,并可保证图形复制的一致性及适度留膜厚度,压印图形的分辨率可达100 nm. 展开更多

关键词 压印光刻 加载 抗蚀剂 高保真度

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压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化 被引量：2

13

作者 邵金友 丁玉成 +2 位作者 卢秉恒 王莉 刘红忠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1045-1048,1116,共5页

针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法.该方法采用下压力约束薄膜,使阻蚀胶在... 针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法.该方法采用下压力约束薄膜,使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布,从而削弱了覆盖膜的不对称性,获得了相应的薄膜厚度.采用旋涂厚度为1.1μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验,发现下压力大于0.48 MPa时,薄膜结构具有较好的对称性,下压力为1.12 MPa时,对准信号的对比度达到最大.试验结果表明,压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性,利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响,而且对准精度可满足100 nm压印光刻的要求. 展开更多

关键词 压印光刻 对准 阻蚀胶 优化

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一种提高压印光刻软模复制精度的方法

14

作者 王立永 李涤尘 卢凤兰 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期627-628,631,共3页

由于传统的光刻生产工艺有透镜光学极限性 ,压印光刻为集成电路的生产提供了一种新思路。在压印光刻中 ,模具的制造是重点。为了获得高精度的压印模具 ,在实验中着重从模具材料的选择、固化剂的添加量、真空压力大小、固化温度、固化时... 由于传统的光刻生产工艺有透镜光学极限性 ,压印光刻为集成电路的生产提供了一种新思路。在压印光刻中 ,模具的制造是重点。为了获得高精度的压印模具 ,在实验中着重从模具材料的选择、固化剂的添加量、真空压力大小、固化温度、固化时间等方面进行分析和研究。采用正交实验方式和数理方差分析 ,通过检测压印模具的平整度、一致性、特征尺寸及模具表面的固化收缩率等参数的变化 ,特别是模具的特征尺寸变化 。 展开更多

关键词 集成电路 压印光刻 硅橡胶 压印模具

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压印溶胶-凝胶材料制备阵列微结构 被引量：1

15

作者 徐键 王公平 +1 位作者 董建峰 徐清波 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第E01期278-280,共3页

表面微结构的制备是微光子器件制备过程中一个十分重要的步骤。为了降低工艺复杂性和成本，把软刻技术与溶胶一凝胶材料相结合应用于微光子器件中光路微结构图案的制备。采用软刻工艺，即通过表面带微结构图案的弹性模板压印在玻璃或硅... 表面微结构的制备是微光子器件制备过程中一个十分重要的步骤。为了降低工艺复杂性和成本，把软刻技术与溶胶一凝胶材料相结合应用于微光子器件中光路微结构图案的制备。采用软刻工艺，即通过表面带微结构图案的弹性模板压印在玻璃或硅片上溶胶-凝胶来实现微结构图形的转移，研究重复使用PDMS模板来压印出微结构图案。用高倍光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）观察所制备的溶胶-凝胶材料的表面微结构，分析影响压印结果的因素，获得了畸变小的表面微结构，如线阵结构（1维光栅）和点阵结构（2维光栅结构）图案。 展开更多

关键词 表面微结构 溶胶-凝胶 软刻工艺

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压印光刻中高精度莫尔对准方法的研究

16

作者 王艳蓉 崔东印 +1 位作者 丁玉成 王莉 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期719-721,752,共4页

针对分步压印光刻工艺中多层套刻的高精度对准问题,提出一种应用斜纹结构光栅副实现x、y、θ三自由度自动对准的方法.光栅副分为4个区域,应用光电转换器阵列检测光栅副相对移动所引起的莫尔信号变化,通过电路系统处理可同时得到在平面x... 针对分步压印光刻工艺中多层套刻的高精度对准问题,提出一种应用斜纹结构光栅副实现x、y、θ三自由度自动对准的方法.光栅副分为4个区域,应用光电转换器阵列检测光栅副相对移动所引起的莫尔信号变化,通过电路系统处理可同时得到在平面x、y、θ三自由度的对准信号.驱动环节采用直线电机和压电驱动器作为宏微两级驱动,其分辨率分别为0.2μm和0.1nm,在激光干涉仪全程监测下,与控制系统一起构成闭环系统实现自动对准定位.实验结果表明,在多层压印光刻工艺中,实现了压印工作台步进精度小于10nm的高精度定位要求,使整个对准系统的套刻精度小于30nm.因此,应用这种莫尔对准方法可以获得较高的对准精度,同时能够满足压印100nm特征尺寸套刻精度的要求. 展开更多

关键词 压印光刻 光栅 自动对准 驱动器

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集成电路芯片(IC)压印光固离子刻蚀法研究 被引量：1

17

作者 段玉岗 丁玉成 +1 位作者 卢秉恒 王立永 《机床与液压》 北大核心 2004年第12期7-9,16,共4页

对压印光固化离子刻蚀法制作集成电路芯片的工艺过程进行了研究 ,对用于压印成形的光固化离子刻蚀材料进行了试验开发 ,并对其压印过程、微复形质量、缺陷控制等问题进行了研究。最后根据压印光固化刻蚀材料的特性确定了合适的压印工艺。

关键词 压印刻蚀 光固化 集成电路

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基于光闸莫尔原理的压印套刻对准方法

18

作者 成丹 《天津工程师范学院学报》 2008年第1期17-20,共4页

为了满足压印光刻中套刻对准精度的要求,提出了一种基于光闸莫尔原理的粗精两步对准方法。设计了粗精两种对准标记,十字标记作为粗对准标记,等节距的光栅标记作为精对准标记。考虑到实际中通常采用分区步进压印工艺,因此在基片上的每一... 为了满足压印光刻中套刻对准精度的要求,提出了一种基于光闸莫尔原理的粗精两步对准方法。设计了粗精两种对准标记,十字标记作为粗对准标记,等节距的光栅标记作为精对准标记。考虑到实际中通常采用分区步进压印工艺,因此在基片上的每一个压印分区都设计有相应的对准标记。分析了基于该方法的对准原理,得到了光刻机三坐标矢量与检测信号之间的对应关系,证明了该方法可实现x、y、θ三个方向的对准误差检测。在实际应用中,可将该误差信号作为控制系统的驱动信号,对承片台实行闭环控制,实现对准。该方法对压印光刻乃至其它光刻技术中的套刻对准,都具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 压印光刻 对准 光栅 莫尔信号

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分步式压印的空间位姿调整研究

19

作者 苗荣霞 陈忠孝 +1 位作者 戴宝华 张敏 《弹箭与制导学报》 CSCD 北大核心 2005年第S6期284-286,共3页

针对分步式压印光刻工艺超高精度对准及空间位姿调整要求,论述了一套由弹簧导轨承片台结构、驱动器及激光干涉仪构成的超高精度对准定位系统。为了消除由于压印力引起承片台空间位姿的变化,系统采用宏微两级驱动和优化的压印工艺实现承... 针对分步式压印光刻工艺超高精度对准及空间位姿调整要求,论述了一套由弹簧导轨承片台结构、驱动器及激光干涉仪构成的超高精度对准定位系统。为了消除由于压印力引起承片台空间位姿的变化,系统采用宏微两级驱动和优化的压印工艺实现承片台超高精度定位和空间位姿的调整;最终实现在压印光刻工艺中,定位精度小于20nm,空间位姿调整旋转量达到±10s。 展开更多

关键词 压印光刻 承片台 六自由度 定位 对准

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分步式压印光刻研究

20

作者 邱志惠 丁玉成 +1 位作者 刘红忠 卢秉恒 《纳米科技》 2006年第2期26-29,共4页

针对微纳制造中光刻环节的光衍射限制，讨论了可能成为下一代光刻技术路线的压印光刻。通过对比热压印、微接触转印及常温压印的技术特点，设计了一套低成本、结构简单的紫外光固化常温压印光刻机构。其大行程纳米级定位、纳米级下压系... 针对微纳制造中光刻环节的光衍射限制，讨论了可能成为下一代光刻技术路线的压印光刻。通过对比热压印、微接触转印及常温压印的技术特点，设计了一套低成本、结构简单的紫外光固化常温压印光刻机构。其大行程纳米级定位、纳米级下压系统消除了压印过程中的机构热变形误差、驱动间隙、蠕动误差等，具有分步式纳米级驱动多场压印及纳米级下压加载能力，可实现多次重复高保真图形复制。 展开更多

关键词 微纳制造 压印 光刻

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