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两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析 被引量：14
1
作者 周平 黄昱勇 +3 位作者 林宇翔 李海峰 刘旭 顾培夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期985-988,共4页
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5... 比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5 0nm附近的透过率可达 86%以上 ,消光系数约为 0 0 4 ,方电阻最低为 1 0 0Ω/□ . 展开更多
关键词 红外特性 ito薄膜 光学特性 磁控溅射 电子束加热蒸发 氧化锡铟薄膜 制备方法
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高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究 被引量：10
2
作者 李晓晖 宋凯强 +4 位作者 丛大龙 张敏 孙彩云 吴护林 李忠盛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期126-132,共7页
目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数... 目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8~14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 ito薄膜 透过率 方块电阻 辐射率
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直流溅射ITO薄膜光电性能研究 被引量：9
3
作者 赵亚丽 马富花 +1 位作者 吕德涛 李克训 《应用化工》 CAS CSCD 2013年第4期634-636,共3页
采用直流溅射法制备了高性能的ITO薄膜。结果表明,氧气分压比和衬底温度对薄膜的方阻、可见光透射率具有重要的影响。其最佳值分别为0.5/50和350℃;同时,随着膜厚的增加,薄膜的晶粒增大,导电率也相应降低。
关键词 ito薄膜 磁控溅射 氧分压 衬底温度 电阻率
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磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究 被引量：9
4
作者 马卫红 蔡长龙 《真空》 CAS 北大核心 2011年第6期18-20,共3页
采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明,制备ITO... 采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W。采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω.cm。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ito薄膜 工艺参数 光电特性
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ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究 被引量：7
5
作者 闻伟 杨传仁 +3 位作者 张继华 陈宏伟 梁鸿秋 张瑞婷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第6期745-746,750,共3页
介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图... 介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito)薄膜 锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜 湿法刻蚀 图形化
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ITO透明导电薄膜的制备工艺研究 被引量：5
6
作者 朱小娟 李新贝 《光电子技术》 CAS 2008年第3期202-206,共5页
采用溶胶-凝胶法以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件。结果表明,采用... 采用溶胶-凝胶法以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件。结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4+离子取代In2O3晶格中的In3+离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600Ω/□,可见光透过率达到83%。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 溶胶-凝胶法 方阻 透光率
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退火处理对低阻LCD屏ITO薄膜光电性能的影响
7
作者 武洋 贾文友 +2 位作者 刘莉 郑建军 徐娇 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2024年第1期75-78,共4页
采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退... 采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退火处理对电阻屏ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明:制备的ITO薄膜的最佳退火温度为400℃,退火时间约为70 min。 展开更多
关键词 ito薄膜 退火温度 退火时间 光电性能
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ITO薄膜的制备及其光电性能研究
8
作者 黄惜惜 赵桂香 +3 位作者 扬川苏 张中建 高荣刚 黄国平 《太阳能》 2024年第4期94-100,共7页
随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感... 随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感,随着氧含量增加,ITO薄膜的电阻率也随之增加,而透过率则呈先上升后下降,然后基本保持不变的趋势;2)随着沉积温度升高,ITO薄膜的透过率也随之升高,而电阻率则呈先下降后上升的趋势;3)随着溅射气压的升高,ITO薄膜的电阻率呈上升趋势,而透过率则是先降低再略微升高;4)当氧含量在1.8%~2.0%,溅射功率在3000~4000 W,沉积温度在150~190℃,溅射气压在0.5~0.7 Pa时,ITO薄膜具有较优的光电性能。因此,在合理范围内提高沉积温度,其则会具有退火作用,有助于进一步改善ITO薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 太阳电池 磁控溅射 氧含量 沉积温度 ito薄膜 光电性能
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ITO薄膜的溶胶-凝胶法制备 被引量：2
9
作者 刁庚秀 陈文彬 《光电子技术》 CAS 2004年第4期249-253,共5页
介绍了几种用溶胶 凝胶法制备ITO薄膜的工艺方法 ,用其中一种无机的方法成功制备了ITO透明导电膜。当薄膜厚度为 30 0nm左右时 ,所得ITO薄膜在可见光区域内的平均透过率在 85 %以上 ,电阻率最低可达 0 .1 5Ω·cm。
关键词 ito薄膜 溶胶-凝胶 光电特性
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射频磁控溅射低温制备ITO薄膜 被引量：5
10
作者 王秀娟 司嘉乐 +2 位作者 杨德林 谷锦华 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1516-1522,共7页
利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响。在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210 W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0... 利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响。在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210 W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4%。在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8×10-4Ω·cm,透光率不变。 展开更多
关键词 ito薄膜 射频磁控溅射 电阻率
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ITO透明导电膜高速成膜的研发 被引量：3
11
作者 孙大雄 菊池和夫 《光学仪器》 1999年第4期90-98,共9页
论述了一种采用低能量大束流高密度等离子体作为离子辅助沉积技术、沉积ＩＴＯ薄膜的方法。实验结果表明离子轰击可以有效地增加薄膜的聚集密度，同时减低薄膜的电阻率。此外，高密度等离子体促进了ＩＴＯ薄膜制备过程的氧化，进而大大... 论述了一种采用低能量大束流高密度等离子体作为离子辅助沉积技术、沉积ＩＴＯ薄膜的方法。实验结果表明离子轰击可以有效地增加薄膜的聚集密度，同时减低薄膜的电阻率。此外，高密度等离子体促进了ＩＴＯ薄膜制备过程的氧化，进而大大提高了ＩＴＯ薄膜的沉积速度。 展开更多
关键词 ito薄膜 薄膜 等离子体源 沉积技术
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射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理 被引量：4
12
作者 李世涛 乔学亮 陈建国 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期688-693,共6页
将In2O3和SnO2粉末按质量比1：1热压烧结制成靶材，采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜。实验结果表明：氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVITL有着重要的影响，其最佳值为0．2Pa。ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关... 将In2O3和SnO2粉末按质量比1：1热压烧结制成靶材，采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜。实验结果表明：氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVITL有着重要的影响，其最佳值为0．2Pa。ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系。提高基体温度ts可以改善薄膜的性能，在ts为200℃时，ITO薄膜的1k达到90％以上（含玻璃基体），方阻为13．1Ω／□。根据薄膜生长的3个阶段理论，建立了薄膜厚度与电阻率的关系：在ITO薄膜生长过程中，依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理。由实验结果求得了临界厚度吐约为48-54nm，AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 氩气压强 基体温度 导电机理
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薄膜厚度对ITO膜结构与性能的影响 被引量：3
13
作者 辛荣生 林钰 《真空》 CAS 北大核心 2007年第5期22-24,共3页
本文对所研究的直流磁控溅射法制备的ITO透明导电薄膜,采用X射线衍射技术进行了膜层晶体结构与薄膜厚度关系的分析,并测量了薄膜电阻率及透光率随薄膜厚度的变化情况。实验结果表明,当控制薄膜厚度达70nm以上时,可获得结晶性好、电阻率... 本文对所研究的直流磁控溅射法制备的ITO透明导电薄膜,采用X射线衍射技术进行了膜层晶体结构与薄膜厚度关系的分析,并测量了薄膜电阻率及透光率随薄膜厚度的变化情况。实验结果表明,当控制薄膜厚度达70nm以上时,可获得结晶性好、电阻率低和透光率高的ITO透明导电薄膜,所镀制的ITO膜电阻率已降到1.8×10-4Ωcm,可见光透过率达80%以上。最后还对所镀制的ITO透明导电薄膜的质量指标作了评估。 展开更多
关键词 磁控溅射 ito膜 膜厚 电阻率 透光率
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集成于太阳能电池板的透明天线设计
14
作者 周明 李蕊 +1 位作者 赵文红 张洪浩 《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第S01期68-71,共4页
本文提出了一种集成于太阳能电池板的光透明天线。选用叉形平面印刷单极子天线,辐射切片上的两个矩形的凹槽以便于实现天线的小型化。辐射贴片采用电导率约为8.3×10^(5)S/m的铟锡氧化物薄膜材料,介质基板采用钠钙玻璃。天线尺寸为3... 本文提出了一种集成于太阳能电池板的光透明天线。选用叉形平面印刷单极子天线,辐射切片上的两个矩形的凹槽以便于实现天线的小型化。辐射贴片采用电导率约为8.3×10^(5)S/m的铟锡氧化物薄膜材料,介质基板采用钠钙玻璃。天线尺寸为30mm×30mm。仿真结果表明,天线的工作频率为5.8GHz,阻抗带宽为1.33GHz(4.59GHz~5.92GHz),透光率大于90%。随后以该天线为阵元组成了1×8的天线阵列,在5.8GHz时使阵列的增益可达9.68dB。 展开更多
关键词 光透明天线 ito薄膜 太阳能电池 阵列天线
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磁控溅射法制备ITO膜层及其光电性能研究 被引量：3
15
作者 张健 齐振华 +3 位作者 李建浩 牛夏斌 徐全国 宗世强 《真空》 CAS 2022年第6期45-50,共6页
利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,在室温条件下,研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量比等工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明,ITO薄膜的透光率随溅射功率和靶基距的增大而减小,... 利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,在室温条件下,研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量比等工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明,ITO薄膜的透光率随溅射功率和靶基距的增大而减小,当溅射功率为110W、靶基距为70mm时,ITO薄膜的透光性和导电性较为优良。在近紫外光波段和近红外光波段,ITO薄膜的透光率随溅射气压的增大而减小。当氧氩流量比为4:30时,ITO薄膜在500nm到600nm可见光范围内的透光性和综合性能最好。 展开更多
关键词 ito薄膜 直流磁控溅射法 溅射功率 溅射气压 光电性能
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沉积速率对离子辅助蒸发ITO光学性能的影响 被引量：4
16
作者 邱阳 金扬利 +1 位作者 赵华 祖成奎 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期1-4,共4页
选用高纯度ITO颗粒(w(In2O3)∶w(SnO2)=9∶1)作为蒸发膜料、CAB(钙铝钡)红外玻璃为基片,利用离子辅助电子束蒸发技术在不同的沉积速率下制备了光学性能优良的ITO薄膜,并详细讨论了沉积速率对ITO薄膜可见光透过率、禁带宽度、短波截止限... 选用高纯度ITO颗粒(w(In2O3)∶w(SnO2)=9∶1)作为蒸发膜料、CAB(钙铝钡)红外玻璃为基片,利用离子辅助电子束蒸发技术在不同的沉积速率下制备了光学性能优良的ITO薄膜,并详细讨论了沉积速率对ITO薄膜可见光透过率、禁带宽度、短波截止限、长波截止限及红外区透过率等性能的影响。结果表明:沉积速率对ITO薄膜的光学性能具有重要影响。薄膜的可见光透过率最高可达82.6%,并随沉积速率的升高而降低;禁带宽度随沉积速率的改变在3.75～3.98eV之间变化,短波截止限随着禁带的宽化,向短波方向移动;在红外区,ITO薄膜的平均透过率随沉积速率的上升而明显减小,薄膜等离子波长λp发生蓝移现象。 展开更多
关键词 ito薄膜 光学性能 紫外光谱 禁带宽度 红外光谱
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在柔性基上真空蒸镀ITO膜 被引量：2
17
作者 程知群 《光电子技术》 CAS 1996年第1期51-54,共4页
研究了在柔性基（聚酰亚胺）上真空蒸镀ITO薄膜的实验装置和工艺参数。给出了最佳工艺参数和实验结果。
关键词 柔性基底 ito薄膜 柔性太阳电池 真空镀膜
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溅射温度对ITO/Ag/ITO多层复合薄膜的结构和光电性能的影响 被引量：1
18
作者 程媛媛 黄瑜佳 +4 位作者 朱归胜 徐华蕊 万乐 焦培文 汪坤喆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期1028-1033,共6页
本文采用直流磁控溅射分层溅射制备了氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO多层复合薄膜。系统研究了溅射温度对ITO/Ag/ITO多层复合薄膜的结构和光电性能影响。采用ITO(m(In_(2)O_(3))∶m(SnO_(2))=9∶1;直径60 mm)靶材和Ag(纯度99.999%;直径60 mm... 本文采用直流磁控溅射分层溅射制备了氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO多层复合薄膜。系统研究了溅射温度对ITO/Ag/ITO多层复合薄膜的结构和光电性能影响。采用ITO(m(In_(2)O_(3))∶m(SnO_(2))=9∶1;直径60 mm)靶材和Ag(纯度99.999%;直径60 mm)靶材分层溅射,使ITO薄膜和Ag薄膜依次沉积在钠-钙玻璃基片上。结果表明,溅射温度对该薄膜的形貌和结构具有显著的影响。在中间Ag薄膜和顶层ITO薄膜的溅射温度均为120℃时,薄膜表面晶粒形貌由类球形转变为菱形,此时薄膜方阻为3.68Ω/Sq,在488 nm处透射率为88.98%,且品质因数为0.03Ω^(-1),实现了低方阻高可见光透射率ITO/Ag/ITO多层复合薄膜的制备。 展开更多
关键词 磁控溅射 分层溅射 复合薄膜 ito薄膜 Ag薄膜 溅射温度
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溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究 被引量：4
19
作者 潘洪涛 周炳卿 +1 位作者 陈霞 李力猛 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 2008年第5期619-623,共5页
以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验... 以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60 min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□. 展开更多
关键词 掺锡氧化铟薄膜 溶胶-凝胶法 光电性能 方块电阻
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Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究 被引量：3
20
作者 王佳伟 罗凤凤 《江西科学》 2019年第1期17-20,25,共5页
ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由... ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低; Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强。 展开更多
关键词 ito薄膜 Fe离子注入 室温铁磁性
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