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电应力对GaAlAs红外发光二极管低频噪声的影响(英文)
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作者 包军林 庄奕琪 +4 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 万长兴 胡瑾 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期765-768,774,共5页
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,但应力后1/f噪声幅值比应力前增加大约100倍。基于载流子数和迁移率涨落的理论分析表明GaAlAsIRED的1/f... 在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,但应力后1/f噪声幅值比应力前增加大约100倍。基于载流子数和迁移率涨落的理论分析表明GaAlAsIRED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于电应力在器件有源区诱生的界面陷阱和表面陷阱,因而,1/f噪声可以用来探测电应力对该类器件有源区的潜在损伤。 展开更多
关键词 低频噪声 红外发光二极管 电应力 界面陷阱 表面陷阱
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