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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量：4
1
作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 ingaasp/gaas 阈值电流密度 斜率效率
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LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
2
作者 李忠辉 张宝顺 +2 位作者 杨进华 张兴德 王向武 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期232-235,共4页
设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～7... 设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～78％，中心发射波长为(808±3)nm。 展开更多
关键词 LP-MOCVD ingaasp/gaas 量子阱激光器
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InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究 被引量：2
3
作者 杨进华 任大翠 +2 位作者 张剑家 杜宝勋 张兴德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期687-690,共4页
用改进的液相外延方法 L PE 生长了无铝的 In Ga As P/Ga As分别限制单量子阱半导体激光器 ,测量其远场分布近似为高斯分布 .用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型 ,并简单解释了其生成原因 。
关键词 半导体激光器 单量子阱 ingaasp/gaas
原文传递
InGaAsP/GaAs激光泵浦的石榴石晶片激光器
4
作者 晴天 《国外激光》 CSCD 1990年第8期12-13,共2页
早先进行的理论和实验研究确定了谱线均匀增宽激活介质的非单体固体环形激光器迎面波竞争相互作用和振荡状态的许多有效腔内控制法(参阅综述)此外,在制造可用于泵浦自由振荡和锁模 YAG:Nd^(3+)固体环形激光器的半导体发光二极管和激光... 早先进行的理论和实验研究确定了谱线均匀增宽激活介质的非单体固体环形激光器迎面波竞争相互作用和振荡状态的许多有效腔内控制法(参阅综述)此外,在制造可用于泵浦自由振荡和锁模 YAG:Nd^(3+)固体环形激光器的半导体发光二极管和激光器领域的成就,以及过渡到固体环形激光器的单体结构能够大大捉高固体环形激光器辐射的稳定性,并颇大地扩大它的实际应用前景。本工作研制并在实验上研究了 YAG:Nd^(3+)晶片固体环形激光器,它们是一种具有平面或非平面谐振腔内、由 InGaAsP/GaAs 展开更多
关键词 ingaasp/gaas 激光泵浦 晶片激光器
原文传递
大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
5
作者 李忠辉 高欣 +2 位作者 李梅 王玲 张兴德 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期11-13,共3页
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W... 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。 展开更多
关键词 ingaasp/InGaP/gaas 分别限制异质结构 单量子阱 无铝激光器 大功率量子阱激光器 测试
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