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层间介质(ILD)CMP工艺分析 被引量：3
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作者 詹阳 周国安 +2 位作者 王东辉 杨元元 胡兴臣 《电子工业专用设备》 2016年第6期40-44,共5页
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技... 论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技术要求,工艺流程和设备结构需求。 展开更多
关键词 层间介质 平整度 抛光垫 修整器
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