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IIIA族元素镓(Ga)、铟(In)、铊(T1)原子的激光增强电离(LEI)光谱及痕量元素的灵敏检测
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作者 张在宣 王林 +2 位作者 方晓 袁怿谦 陈俊德 《中国计量学院学报》 1990年第1期3-11,共9页
测量了ⅢA族元素镓(Ga)、铟(In)、铊(T1)原于的激光增强电离(LEI)光谱。给出了GaI 287.424nm,GaI 294.364nm,GaI 294.418nm;InI 283.692nm,InI 285.814nm,InI 293.263nm,InI 325.609nm,InI 325.856nm;TII 291.832nm,TII 292.152nm的10条... 测量了ⅢA族元素镓(Ga)、铟(In)、铊(T1)原于的激光增强电离(LEI)光谱。给出了GaI 287.424nm,GaI 294.364nm,GaI 294.418nm;InI 283.692nm,InI 285.814nm,InI 293.263nm,InI 325.609nm,InI 325.856nm;TII 291.832nm,TII 292.152nm的10条LEI光谱线,相应的低态和高态的能位、电子构型和光谱项。由LEI光谱图计算了各条LEI光谱线的检测限,镓、铟、铊的检测限分别为8ng/ml,1.2ng/ml和15ng/ml。 展开更多
关键词 激光增强电离 iiia族元素镓、铟、铊 灵敏检测 检测限
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