期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
倒装多结太阳电池的隧穿结优化
被引量：
1
1
作者
蔡文必
毕京锋
+4 位作者
林桂江
刘冠洲
刘建庆
宋明辉
丁杰
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2208-2212,共5页
利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需太阳电池片,I-V电学测试结果表明隧穿结带隙、厚度和掺杂...
利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需太阳电池片,I-V电学测试结果表明隧穿结带隙、厚度和掺杂是影响隧穿效应的重要因素。在隧穿结区厚度为40nm时掺杂浓度p型高达7×1019cm-3,n型高达3×1019cm-3条件下,隧穿结峰值电流能满足1000倍聚光条件下大隧穿电流的要求。在未蒸镀减反射层时,AM1.5D、1000倍聚光、25℃、low-AOD条件下,测得倒装双结太阳电池的Voc=2.776V,Isc=10.63A,FF=82.4%,Eff=24.27%。
展开更多
关键词
太阳电池
隧穿结
iii
—
v
族
半导体
聚光光伏
下载PDF
职称材料
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
2
作者
王华杰
刘学超
+4 位作者
孔海宽
忻隽
高攀
卓世异
施尔畏
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期215-218,共4页
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显...
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明： AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2- 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。
展开更多
关键词
iii
-
v
族
半导体
氮化铝(AlN)晶体
六方微米柱
物理气相输运(P
v
T)
下载PDF
职称材料
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究
3
作者
黄龙
《新疆大学学报（自然科学版）》
CAS
2003年第2期130-132,共3页
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随...
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.
展开更多
关键词
iii
-
v
族
化合物
半导体
高能重离子辐照
正电子湮没寿命谱
N型GaP
P型InP
辐照缺陷
磷化镓
磷化铟
下载PDF
职称材料
题名
倒装多结太阳电池的隧穿结优化
被引量：
1
1
作者
蔡文必
毕京锋
林桂江
刘冠洲
刘建庆
宋明辉
丁杰
机构
厦门市三安光电科技有限公司
厦门大学机电与物理学院
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2208-2212,共5页
基金
国家高技术研究发展(863)计划(2012AA051402)
文摘
利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需太阳电池片,I-V电学测试结果表明隧穿结带隙、厚度和掺杂是影响隧穿效应的重要因素。在隧穿结区厚度为40nm时掺杂浓度p型高达7×1019cm-3,n型高达3×1019cm-3条件下,隧穿结峰值电流能满足1000倍聚光条件下大隧穿电流的要求。在未蒸镀减反射层时,AM1.5D、1000倍聚光、25℃、low-AOD条件下,测得倒装双结太阳电池的Voc=2.776V,Isc=10.63A,FF=82.4%,Eff=24.27%。
关键词
太阳电池
隧穿结
iii
—
v
族
半导体
聚光光伏
Keywords
solar cell
tunnel junction
iii
-
v
semiconductors
concentrated photo
v
olties
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
2
作者
王华杰
刘学超
孔海宽
忻隽
高攀
卓世异
施尔畏
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
中国科学院大学
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期215-218,共4页
基金
National High-tech R＆D program of China （863 Program, 2014AA032602）
National Key R＆D program （2016YFB0400400） Shanghai Engineering Research Center of Single Crystal Silicon Carbide
文摘
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明： AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2- 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。
关键词
iii
-
v
族
半导体
氮化铝(AlN)晶体
六方微米柱
物理气相输运(P
v
T)
Keywords
Ⅲ-Ⅴ semiconductors
aluminum nitride
hexagonal microrod
physical
v
apor transport
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究
3
作者
黄龙
机构
新疆大学物理系
出处
《新疆大学学报（自然科学版）》
CAS
2003年第2期130-132,共3页
文摘
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.
关键词
iii
-
v
族
化合物
半导体
高能重离子辐照
正电子湮没寿命谱
N型GaP
P型InP
辐照缺陷
磷化镓
磷化铟
Keywords
N-type GaP
P-type InP
hea
v
y ion irradiation
radiation defects
positron annihilation
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
O474 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
倒装多结太阳电池的隧穿结优化
蔡文必
毕京锋
林桂江
刘冠洲
刘建庆
宋明辉
丁杰
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
2
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
王华杰
刘学超
孔海宽
忻隽
高攀
卓世异
施尔畏
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
3
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究
黄龙
《新疆大学学报（自然科学版）》
CAS
2003
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
