期刊文献+
共找到29篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
钙钛矿太阳能电池:器件设计和I-V滞回现象 被引量:5
1
作者 张烨 姚志博 +2 位作者 林仕伟 李建保 林红 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第3期219-224,共6页
基于染料敏化太阳能电池发展起来的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池经过不到5年的快速发展,光电转换效率从最初的3.8%提高到了经过认证的17.9%.但是常用结构的钙钛矿太阳能电池在性能测试过程中的电流-电压(I-V)曲线会随着测试器件扫描... 基于染料敏化太阳能电池发展起来的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池经过不到5年的快速发展,光电转换效率从最初的3.8%提高到了经过认证的17.9%.但是常用结构的钙钛矿太阳能电池在性能测试过程中的电流-电压(I-V)曲线会随着测试器件扫描方向的不同而明显不同.该现象被称为I-V滞回现象.进一步研究发现I-V曲线还与扫描速度、起始测试的偏压值和光照历史明显相关.本工作结合不同的器件构造,就可能造成这种I-V滞回现象的不同原因进行了总结和分析,并对如何获得可靠的光电转换效率的测试方法进行了评述. 展开更多
关键词 钙钛矿 太阳能电池 反转结构 i-v测试 滞回现象
原文传递
太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试仪校准实质的研究 被引量:2
2
作者 张治 董鹏 +2 位作者 吕欣 崇锋 王雪松 《太阳能》 2013年第8期47-50,共4页
测试分析了不同辐照、不同温度下太阳电池的短路电流、开路电压和功率的变化,比较了采用短路电流和功率校准后太阳电池电性能的测量结果,得到太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试的校准实质。
关键词 i-v测试 太阳电池 校准实质
下载PDF
双面光伏组件I-V测试方法研究 被引量:1
3
作者 曾祥超 张鹤仙 +2 位作者 王水威 黄国华 马海真 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期370-374,共5页
主要研究双面光伏组件的电性能测试,通过选择6种不同的双面光伏组件,分别采用等效光强法、双面同步打光法以及公式法进行实验验证。通过实验发现:不同测试方法对同一块组件进行I-V测试的结果差异较大,但这种差异在不同类型组件测试中并... 主要研究双面光伏组件的电性能测试,通过选择6种不同的双面光伏组件,分别采用等效光强法、双面同步打光法以及公式法进行实验验证。通过实验发现:不同测试方法对同一块组件进行I-V测试的结果差异较大,但这种差异在不同类型组件测试中并不一致,所以3种测试方法并不能简单地等同。最后根据光伏组件应用场景分析,推荐使用SEMI的双面同步闪光法对双面光伏组件进行I-V测试。 展开更多
关键词 光伏 i-v测试 测试标准 双面光伏组件
下载PDF
In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响 被引量:1
4
作者 刘航 介万奇 +1 位作者 徐亚东 杨睿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1023-1028,1036,共7页
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生... 采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60%,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收。然而,I-V测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级。同时Hall测试分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的V Zn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级。对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的。 展开更多
关键词 MvB-Te溶剂法 in掺杂 红外透过显微成像 i-v测试 Hall测试
下载PDF
集成式低倍聚光光伏组件模块开发 被引量:1
5
作者 刘大为 高虎 +1 位作者 彭文博 赵志国 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期709-715,共7页
提出一套集成式低倍聚光光伏组件光路的优化算法,并设计制作聚光比为2.2的晶体硅聚光电池模块,在标准光照条件(AM1.5)下,开路电压为0.69 V,短路电流密度为35 m A/cm^2,最大功率点效率约为14.2%。与使用相同电池材料制作的普通晶体硅模... 提出一套集成式低倍聚光光伏组件光路的优化算法,并设计制作聚光比为2.2的晶体硅聚光电池模块,在标准光照条件(AM1.5)下,开路电压为0.69 V,短路电流密度为35 m A/cm^2,最大功率点效率约为14.2%。与使用相同电池材料制作的普通晶体硅模块相比,效率可提高0.7%。相比普通晶体硅组件,该型组件可节约50%~60%的电池材料使用量。 展开更多
关键词 集成式低倍聚光光伏 晶体硅组件 光路设计 电池开发 i-v测试
下载PDF
干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取 被引量:1
6
作者 李海燕 谭振 +1 位作者 陈慧卿 亢喆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1503-1508,共6页
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实... 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%~35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。 展开更多
关键词 锑化铟 感应耦合等离子体刻蚀 氩气 表面形貌 化学计量比 i-v测试
下载PDF
高精度太阳能光伏电池测试仪的设计与开发 被引量:1
7
作者 张有禄 《自动化与仪器仪表》 2016年第2期26-28,共3页
基于AT89C52单片机为核心控制器件,设计了一款高精度太阳能光伏电池测试装置。系统采用脉冲氙灯作为太阳模拟光源、以XTR110 V/I变换器为核心的数控电流源作为电子负载。采用四线制的接线方式和输出电流测量其电压的方法来获取被测电池... 基于AT89C52单片机为核心控制器件,设计了一款高精度太阳能光伏电池测试装置。系统采用脉冲氙灯作为太阳模拟光源、以XTR110 V/I变换器为核心的数控电流源作为电子负载。采用四线制的接线方式和输出电流测量其电压的方法来获取被测电池的电流与电压值,得到该电池的I/V曲线及V<sub>OC</sub>、I<sub>SC</sub>、P<sub>CM</sub>、V<sub>M</sub>、I<sub>M</sub>等参数值。实验测试表明,在量程0<sup>2</sup>A与0<sup>1</sup>0A范围内电流测试精度能达到0.1%,并且电流参数能够实现任意预置,电流最小步进值能达到5mA。该测试仪设计结构简单、成本较低、携带方便、性价比高,特别适合对单体太阳能电池的测量。 展开更多
关键词 太阳能电池 数控电流源 脉冲氙灯 i/v测试 四线制
原文传递
金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究
8
作者 王光伟 李林青 《真空》 CAS 2013年第5期17-20,共4页
用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅... 用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结。利用I-V测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响。结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性。 展开更多
关键词 i-v测试 肖特基势垒高度 表观理想因子 肖特基接触的不均匀性
下载PDF
基于电容阵列I-V测试仪的光伏STC曲线拟合研究 被引量:9
9
作者 颜奕 黄宇 +1 位作者 陈鸣 王自鑫 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2017年第2期272-279,共8页
现有的光伏组件在标准条件(STC)下I-V曲线的拟合算法存在计算过于复杂或准确度不足的问题。为提高曲线在偏离STC环境下的拟合准度,提出了一种依据太阳电池四参数结构,通过选取曲线最大功率点(MPP)附近6个点作为拟合点,计算组件I-V数学... 现有的光伏组件在标准条件(STC)下I-V曲线的拟合算法存在计算过于复杂或准确度不足的问题。为提高曲线在偏离STC环境下的拟合准度,提出了一种依据太阳电池四参数结构,通过选取曲线最大功率点(MPP)附近6个点作为拟合点,计算组件I-V数学模型从而实现曲线拟合的拟合算法。不同光伏组件的最优拟合点间隔不同,为提高拟合精度,进一步提出了自适应拟合点选取方法,同时设计了以电容阵列为负载的I-V测试仪结构并研制了一套完整仪器。该测试仪可通过增加MPP附近数据点的密度,提升拟合点的选取精度。经过MATLAB仿真与实际验证表明,模型拟合算法的拟合结果在各种测试环境下的准确度均高于多项式拟合算法;所设计的I-V测试仪性能优越,适用于工程测量之中。 展开更多
关键词 光伏组件 STC曲线 曲线拟合 i-v测试 电容阵列
下载PDF
基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量 被引量:3
10
作者 南矿军 张永刚 +1 位作者 何友军 李爱珍 《飞通光电子技术》 2002年第4期186-189,共4页
报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器... 报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器的热阻等热特性参数。本文还对该激光器在不同脉冲驱动条件下的驱动电流和结电压波形进行了讨论。该方法也可用于其它波段的半导体激光器的热特性表征。 展开更多
关键词 脉冲i-v测试方法 半导体激光器 热特性表征 多量子阱
下载PDF
光伏组件用太阳模拟器I-V测试仪校准方法研究 被引量:1
11
作者 林剑春 《质量技术监督研究》 2015年第3期6-9,13,共5页
光伏组件的功率测量与太阳模拟器I-V测试仪密切相关。为了满足光伏组件制造企业在产线上对I-V测试仪进行快速校准的需求,文中提出了一种基于标准光伏组件比较测量的校准方法,并进行了不确定度分析计算。测量时,将标准光伏组件放置在太... 光伏组件的功率测量与太阳模拟器I-V测试仪密切相关。为了满足光伏组件制造企业在产线上对I-V测试仪进行快速校准的需求,文中提出了一种基于标准光伏组件比较测量的校准方法,并进行了不确定度分析计算。测量时,将标准光伏组件放置在太阳模拟器有效工作面上并保持位置不变,再用数字信号采集装置分别对标准光伏组件的开路电压和短路电流进行测量,然后将测量结果与太阳模拟器I-V测试仪得到的数值进行比较,得到修正系数。该方法综合考虑了辐照度、温度、采样时间等因素。根据分析,开路电压校准结果的相对扩展不确定度为1.6%(k=2),短路电流校准结果的相对扩展不确定度为1.8%(k=2),该过程能够较好地保证光伏组件功率的准确测量。 展开更多
关键词 光伏组件 太阳模拟器 i-v测试 校准
下载PDF
便携式I-V测试仪测试结果准确性的影响因素研究
12
作者 张果 王瑜 +2 位作者 卢刚 马晓龙 雷鸣宇 《太阳能》 2022年第2期23-30,共8页
采用便携式I-V测试仪在户外进行光伏组件最大功率测试时,测试结果会不同程度地受到外界因素的影响,从而使得到的光伏组件最大功率测试结果出现偏差。本文通过对比不同外界因素(比如:太阳辐照度、辐照计摆放位置、光伏组件工作温度及风速... 采用便携式I-V测试仪在户外进行光伏组件最大功率测试时,测试结果会不同程度地受到外界因素的影响,从而使得到的光伏组件最大功率测试结果出现偏差。本文通过对比不同外界因素(比如:太阳辐照度、辐照计摆放位置、光伏组件工作温度及风速等)下测试得到的光伏组件最大输出功率值,分析不同外界因素对户外采用便携式I-V测试仪进行光伏组件最大功率测试结果的影响,以期为户外光伏组件最大功率测试提供一种最优的测试方案。 展开更多
关键词 便携式i-v测试 最大输出功率 外界因素 光伏组件 最大功率测试 辐照计
下载PDF
浅谈太阳模拟器选择的技术要点 被引量:1
13
作者 罗小平 蒋建辉 +1 位作者 刘唐书 余荣斌 《中小企业管理与科技》 2011年第19期324-325,共2页
太阳电池产品的销售价格主要取决于太阳电池能够产出的峰值瓦特数,正确选择一款合适太阳模拟器准确测试太阳能电池(组件)的发电性能参数(如最大化输出功率和转换效率)对一个太阳能光伏企业非常重要。在对太阳模拟器进行选择的时候,需综... 太阳电池产品的销售价格主要取决于太阳电池能够产出的峰值瓦特数,正确选择一款合适太阳模拟器准确测试太阳能电池(组件)的发电性能参数(如最大化输出功率和转换效率)对一个太阳能光伏企业非常重要。在对太阳模拟器进行选择的时候,需综合考虑太阳模拟器的模拟光源等级及使用寿命、I-V测试系统、控温系统,以及太阳模拟器制备厂家的制备经验,选择适合本企业产品类型的高性价比的太阳模拟器。 展开更多
关键词 太阳模拟器 光源 iv测试系统
下载PDF
未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究
14
作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 张建民 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期763-765,769,共4页
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.1... 在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K~332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。 展开更多
关键词 SiGE 变温i-v测试 肖特基结 理想因子
下载PDF
外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响
15
作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 马兴兵 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期68-70,共3页
采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AEs)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温磷扩散后,经XRD测试为多晶态,即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的C... 采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AEs)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温磷扩散后,经XRD测试为多晶态,即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜,做成Co/n—poly—Si0.85Ge0.15肖特基结样品。在90~332K范围对未退火样品做I-V-T测试。研究发现,随着外加偏压增大,表观理想因子缓慢上升,肖特基势垒高度(SBH)下降。基于SBH的不均匀分布建模,得到了二者近似为线性负相关的结论。 展开更多
关键词 变温iv测试 外加偏压 肖特基结 表观理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性
下载PDF
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
16
作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 王雅欣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期582-586,共5页
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/... 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300~600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。 展开更多
关键词 变温i-v测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性
下载PDF
全新测试卡扩展了4500-MTS多信道I-V测试系统的功能
17
《电子测试(新电子)》 2004年第3期108-109,共2页
关键词 Keithley仪器公司 4500-MTS 多信道i-v测试系统 测试
下载PDF
脉冲PIV测试仪及其在超辐射发光管热特性研究中的应用
18
作者 唐明星 王定理 +2 位作者 李传文 印新达 江山 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第8期49-50,共2页
针对超辐射发光管(SLED)的热特性,进行了仿真分析;通过研制的脉冲PIV测试仪对SLED发光区的温度进行了测试,验证了仿真分析结果。
关键词 超辐射发光管 热特性 脉冲P-i-v测试
下载PDF
DOE方法在ESD及LU测试故障定位方面的应用研究 被引量:2
19
作者 鹿祥宾 陈燕宁 +3 位作者 张海峰 原义栋 钟明琛 张志刚 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期226-232,共7页
介绍了一种通过因果图及DOE(试验设计)对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建立可能造成失效的各个层级的影响因子;通过两个层次DOE设计,以最少的测试次数筛选出最关键的影响因子。... 介绍了一种通过因果图及DOE(试验设计)对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建立可能造成失效的各个层级的影响因子;通过两个层次DOE设计,以最少的测试次数筛选出最关键的影响因子。最终发现I-V曲线测量时电压设定过大以及I-V曲线测量达到一定次数是触发本次失效问题产生的根本原因。该分析方法可以作为ESD及LU测试中失效分析的有力补充。 展开更多
关键词 静电放电 闩锁效应 i-v曲线测试 因果图 试验设计 失效分析
下载PDF
高空用标准太阳电池特性测试与拟合
20
作者 张玉燕 刘勇 +1 位作者 温银堂 罗小元 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期725-731,共7页
高空条件下太阳电池特性测试对于研究航天用太阳电池具有重要意义。本文提出了一种高空太阳电池I-V特性曲线测量方案,研究基于FPGA的硬件测试系统、并行数据采集测量方式和系统软件自动测量方法。提出基于混沌算法与遗传算法融合的太阳... 高空条件下太阳电池特性测试对于研究航天用太阳电池具有重要意义。本文提出了一种高空太阳电池I-V特性曲线测量方案,研究基于FPGA的硬件测试系统、并行数据采集测量方式和系统软件自动测量方法。提出基于混沌算法与遗传算法融合的太阳电池I-V特性曲线拟合算法。针对地面测试实验数据,利用太阳电池单二极管数学模型进行曲线拟合计算,结果表明混沌遗传算法优化结果适应度值为4.0289?10-4,曲线拟合效果优于粒子群算法和遗传算法。 展开更多
关键词 太阳电池 i-v特性测试 混沌遗传算法 曲线拟合
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部