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CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
1
作者
高剑侠
严荣良
+3 位作者
任迪远
竺士扬
李金华
林成鲁
《微细加工技术》
1995年第3期41-43,共3页
采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚阈斜率减小，且阈电压漂移增加。
关键词
CMOS器件
BESO
i
器件
电特性
温度依赖性
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职称材料
题名
CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
1
作者
高剑侠
严荣良
任迪远
竺士扬
李金华
林成鲁
机构
中国科学院新疆物理所
出处
《微细加工技术》
1995年第3期41-43,共3页
文摘
采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚阈斜率减小，且阈电压漂移增加。
关键词
CMOS器件
BESO
i
器件
电特性
温度依赖性
Keywords
i
-
v
tempercqture
charateristics
subthreshold
slope
dr
i
ft
CMOS/BESO
i
de
v
i
ce
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
高剑侠
严荣良
任迪远
竺士扬
李金华
林成鲁
《微细加工技术》
1995
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