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多场景光伏阵列建模及其仿真研究 被引量：3
1
作者 杨青斌 秦筱迪 +3 位作者 徐亮辉 夏烈 周专 郭重阳 《电气传动》 北大核心 2019年第2期82-89,共8页
为了精确地模拟光伏阵列在各种场景下的输出特性,从阵列中每个组件的基本信息出发,考虑旁路二极管和防反二极管的作用,以四参数工程模型为基础,运用电路串、并联理论,详细分析了光伏阵列中电流、电压关系,推导出适用于多场景的光伏阵列... 为了精确地模拟光伏阵列在各种场景下的输出特性,从阵列中每个组件的基本信息出发,考虑旁路二极管和防反二极管的作用,以四参数工程模型为基础,运用电路串、并联理论,详细分析了光伏阵列中电流、电压关系,推导出适用于多场景的光伏阵列模型显性表达式,并给出对应的仿真方法。用所建模型对多个场景下光伏阵列的输出特性进行了仿真分析。模型可精确模拟多场景下任意时段内光伏阵列的输出特性,为光伏阵列设计、逆变器选型、光伏电站功率预测以及控制等提供了计算依据。 展开更多
关键词 多场景 光伏阵列 i-u特性 P-u特性 仿真方法
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一种新型硅光电池I-U特性测试系统 被引量：3
2
作者 金解云 邹继军 《可再生能源》 CAS 北大核心 2012年第2期99-102,共4页
阐述一种高性能、高精度的自动在线I-U特性测试系统。该系统主要采用单片机DSPIC30F4011为控制核心,以高精度的霍尔电压和电流传感器采集硅光电池的电压和电流。设置占空比的大小,通过光电耦合驱动绝缘栅双极晶体管的开关时间,从而改变... 阐述一种高性能、高精度的自动在线I-U特性测试系统。该系统主要采用单片机DSPIC30F4011为控制核心,以高精度的霍尔电压和电流传感器采集硅光电池的电压和电流。设置占空比的大小,通过光电耦合驱动绝缘栅双极晶体管的开关时间,从而改变硅光电池的电压、电流,并将采集到的I-U特性加以显示和绘制。 展开更多
关键词 伏安特性 单片机DSPiC30F4011 绝缘栅双极晶体管
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光伏阵列幂函数模型及其模拟装置 被引量：2
3
作者 宋长江 梁岚珍 《可再生能源》 CAS 北大核心 2013年第6期5-9,共5页
以目前应用最为广泛的光伏阵列工程数学模型为基础,推导出一种新型工程数学模型——光伏阵列幂函数模型,并将其应用于光伏阵列模拟器的设计。模拟器控制环节利用IPC完成系统的数据分析处理以及实时控制,实现了模拟光伏阵列在光强、温度... 以目前应用最为广泛的光伏阵列工程数学模型为基础,推导出一种新型工程数学模型——光伏阵列幂函数模型,并将其应用于光伏阵列模拟器的设计。模拟器控制环节利用IPC完成系统的数据分析处理以及实时控制,实现了模拟光伏阵列在光强、温度动态变化中的对外输出,并可以实时显示光伏阵列I-U特性曲线。测试结果表明,该模拟器可以根据负载等效阻抗的变化快速调节输出,使负载工作点迅速稳定在光伏阵列I-U特性曲线上,动态响应良好。 展开更多
关键词 光伏阵列 幂函数模型 模拟器 i-u特性
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高分子电阻型湿敏元件的阻抗测试与分析 被引量：8
4
作者 刘崇进 沈家瑞 《物理测试》 CAS 1998年第3期27-30,共4页
测试了高分子电阻型湿敏元件的不同电压的低湿、高湿的交流阻抗,对其伏—安特性和导电机理作了分析和探讨。
关键词 电阻型 高分子 湿敏元件 阻抗测试 伏-安特性
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产学研协同创新合作伙伴动态选择模型 被引量：6
5
作者 陈伟 王秀锋 +1 位作者 李金秋 李明秋 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1727-1734,共8页
产学研合作伙伴选择是一个典型的多属性决策问题,针对决策信息具有时序特征和信息模糊特性,引入基于时间度和正交投影的动态直觉模糊多属性决策方法。在此基础上,运用场理论构建合作伙伴选择的协同创新能力场模型,设计产学研协同创新合... 产学研合作伙伴选择是一个典型的多属性决策问题,针对决策信息具有时序特征和信息模糊特性,引入基于时间度和正交投影的动态直觉模糊多属性决策方法。在此基础上,运用场理论构建合作伙伴选择的协同创新能力场模型,设计产学研协同创新合作伙伴动态选择过程,对备选伙伴进行淘汰和优选。以某个产学研协同创新联盟的伙伴选择为例,结果表明:该方法充分兼顾产学研联盟内部协同创新资源情况以及备选合作伙伴的资源互补性,实现了产学研联盟协同创新成员的“优胜劣汰”,验证了该方法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 产学研协同 伙伴选择 时间度 直觉模糊熵 正交投影 协同创新能力场模型 动态决策 时序特征
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动力驱动系统锂电池放电的C-I-U-T关系 被引量：2
6
作者 毛鹏军 丁月华 +2 位作者 张松泓 张亚龙 杨伊乐 《中国农机化学报》 2016年第3期172-176,共5页
对动力驱动系统单体18650锂电池采用大电流和小电流的恒流放电方式,放电截止电压为3.0V。通过对比小电流和大电流的放电曲线,可知采用小电流放电达到截止电压需要的时间较长,而放电深度大;采用大电流放电达到截止电压需要的时间很短,而... 对动力驱动系统单体18650锂电池采用大电流和小电流的恒流放电方式,放电截止电压为3.0V。通过对比小电流和大电流的放电曲线,可知采用小电流放电达到截止电压需要的时间较长,而放电深度大;采用大电流放电达到截止电压需要的时间很短,而放电深度比较小。记录下单体18650锂电池的端电压、容量和时间,通过相关的数据分析,得出以0.5C倍率的电流对单体18650电池进行放电,放电效率最佳。 展开更多
关键词 18650锂电池 放电特性 放电时间 放电深度 C-i-u-T关系
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基于趋势转折点的光伏阵列分段线性仿真模型 被引量：1
7
作者 李梅 梁喆 姜媛媛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期319-324,共6页
为实现光伏阵列的非线性I-U特性曲线在工程应用上的模型简化,提出一种基于趋势转折点的分段线性等效模型。该模型将光伏阵列输出曲线按趋势转折点分区后进行分段线性化,并给出在分段数不同时最优趋势转折点选取的依据。利用PSCAD软件搭... 为实现光伏阵列的非线性I-U特性曲线在工程应用上的模型简化,提出一种基于趋势转折点的分段线性等效模型。该模型将光伏阵列输出曲线按趋势转折点分区后进行分段线性化,并给出在分段数不同时最优趋势转折点选取的依据。利用PSCAD软件搭建分段线性等效电路的仿真模型,并将各段误差值与其他分段线性模型的误差值进行比较。仿真结果和实验结果同时表明该模型在保证精度的同时可减少分段数,从而降低仿真模型搭建的复杂性,并有效减小最大误差点的误差值。 展开更多
关键词 光伏 i-u特性曲线 分段线性 仿真
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五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性 被引量：4
8
作者 王超 庄大明 +3 位作者 张弓 侯亚奇 吴敏生 刘家俊 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期61-63,67,共4页
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影... 本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I 展开更多
关键词 五氧化二钽薄膜 制备 i-u特性 脉冲直流反应磁控溅射
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低温下多孔硅电学性质研究 被引量：3
9
作者 郭芳侠 李永放 +1 位作者 马丽珍 钞曦旭 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期42-44,共3页
在低温下 ( 1 0～ 30 0K)对多孔硅 (Al/多孔硅 /单晶硅结构 )的I U特性进行了测量 ,得到了I U特性随温度的变化曲线 .结果表明 ,低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅 ,当温度变化时 ,电阻率的变化不是单调的 .其原因一是电流的主要输运机... 在低温下 ( 1 0～ 30 0K)对多孔硅 (Al/多孔硅 /单晶硅结构 )的I U特性进行了测量 ,得到了I U特性随温度的变化曲线 .结果表明 ,低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅 ,当温度变化时 ,电阻率的变化不是单调的 .其原因一是电流的主要输运机制随温度的降低发生变化 ;二是多孔硅中的缺陷态俘获载流子的能力随温度降低而变弱 . 展开更多
关键词 低温 多孔硅 i-u特性 电学性质
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一种SET的SPICE宏模型及SET／CMOS混合系统仿真研究
10
作者 马彦芬 杨晓光 孙铁署 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期95-98,共4页
基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SE... 基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计. 展开更多
关键词 SET SPiCE宏模型 i-u特性 SET/CMOS混合系统 A/D
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