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电子级多晶硅化学清洗表面氢氧终端性能研究 被引量：1
1
作者 于跃 厉忠海 +2 位作者 李春松 高召帅 吴锋 《新型工业化》 2019年第10期59-62,共4页
电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定。此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法。本文主要从电子级多晶硅清洗后表面... 电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定。此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法。本文主要从电子级多晶硅清洗后表面呈现的氢终端与氧终端进行研究,测试了两种终端对其表面形态的影响,结果表明:以氢终端为主的电子级多晶硅表面粗糙度较大,而氧终端为主的电子级多晶硅表面吸附有机碳含量低于氢终端。 展开更多
关键词 电子级多晶硅 化学清洗 氢氧终端
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