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混合集成电路技术发展与展望 被引量：20
1
作者 李振亚 赵钰 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期119-124,共6页
混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求。文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提... 混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求。文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提出发展我国HIC的目标和建议。 展开更多
关键词 微电子 混合集成电路 现状 趋势
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混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态 被引量：17
2
作者 苏杜煌 何小琦 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期5-7,共3页
混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式。综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况。金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效;铝丝与厚膜金导体的Al/Au键合系统,除了界... 混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式。综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况。金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效;铝丝与厚膜金导体的Al/Au键合系统,除了界面开裂外,还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断裂。采用铜丝代替金丝,可有效控制Au/Al键合系统的退化;采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd,同时减少金导体膜厚度,可有效控制铝丝Al/Au键合系统的退化。 展开更多
关键词 混合集成电路 综述 Au/Al键合
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混合集成电路的电磁兼容设计 被引量：10
3
作者 郭虎岗 刘俊 马喜宏 《微计算机信息》 北大核心 2008年第2期308-309,295,共3页
本文主要介绍了在混合电路设计时需考虑的电磁兼容问题,并分析了产生问题的原因。从电子系统电磁兼容性角度出发,详细地叙述了混合集成电路的布局和布线规则,并进行了讨论。
关键词 混合集成电路 电磁兼容 电磁干扰
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GaN微电子学的新进展 被引量：11
4
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期1-16,36,共17页
进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路(MMIC)、集成电... 进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路(MMIC)、集成电路和异构集成等方面的最新进展,主要包括新的势垒结构、新的器件结构和工艺、大尺寸Si基器件、高导热金刚石基器件、新的电路拓扑、新的3D集成技术和可靠性研究等,以及在微波电子学和功率电子学两大应用领域的最新成果。分析和评价了SiC基、Si基GaN微电子等的发展态势。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 混合集成电路 微波单片集成电路(MMIC) 3D异构集成 D模 E模 功率电子学 微波电子学
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厚膜混合集成电路可靠性技术 被引量：10
5
作者 罗俊 秦国林 +2 位作者 李晓红 邓永芳 邢宗锋 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期111-115,共5页
总结了混合集成电路的主要失效模式,在此基础上,主要从混合集成电路的设计和工艺两方面分析了其产生的原因,通过设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高混合集成电路可靠性的目的。
关键词 混合集成电路 可靠性 失效模式 失效机理
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基于HIP4081的厚膜H桥电机驱动电路设计 被引量：9
6
作者 刁小玲 《现代电子技术》 2009年第4期8-10,共3页
为了实现小体积、高可靠的电机驱动与控制,利用HIP4081专用芯片和ALN厚膜混合集成技术,设计一种基于HIP4081的厚膜H桥电机驱动电路,完成了H桥式驱动电路对电机双向转动和调速的控制。经实际应用,该电路不仅安全可靠地实现了电机的双向... 为了实现小体积、高可靠的电机驱动与控制,利用HIP4081专用芯片和ALN厚膜混合集成技术,设计一种基于HIP4081的厚膜H桥电机驱动电路,完成了H桥式驱动电路对电机双向转动和调速的控制。经实际应用,该电路不仅安全可靠地实现了电机的双向转动和调速功能,且产品体积小,导热性能好,效率高;还能在恶劣的使用环境下安全工作,提高了驱动电路和系统的可靠性,适合军、民两用。 展开更多
关键词 HIP4081 H桥 ALN 厚膜混合集成
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混合集成技术代际及发展研究 被引量：6
7
作者 朱雨生 施静 陈承 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2021年第5期438-450,共13页
混合集成技术是一种将零级封装直接组装封装为1~3级封装模块或系统,以满足航空、航天、电子及武器装备对产品体积小、重量轻、功能强、可靠性高、频率宽、精密度高、稳定性好需求的高端封装技术。从二十世纪七十年代至今,混合集成技术... 混合集成技术是一种将零级封装直接组装封装为1~3级封装模块或系统,以满足航空、航天、电子及武器装备对产品体积小、重量轻、功能强、可靠性高、频率宽、精密度高、稳定性好需求的高端封装技术。从二十世纪七十年代至今,混合集成技术历经了从厚薄膜组装到多芯片组件(MCM)、系统级封装(SiP)、微系统集成等阶段。它始终专注于微观器件与宏观器件的联结,是一种融合设计、材料、工艺、工程、实验的多学科持续创新技术;文中通过分析研究不同时期混合集成技术的工艺特征、技术要点和典型产品,归纳与总结首次提出混合集成技术代际划分,同时根据不同代际的技术特征与趋势,对下一代混合集成技术的发展方向进行预测。 展开更多
关键词 混合集成电路 混合集成技术 厚薄膜工艺 微系统 代际
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金-硅共晶焊工艺应用研究 被引量：6
8
作者 原辉 《电子工艺技术》 2012年第1期18-20,37,共4页
在混合集成电路中,对芯片的贴装多采用导电胶粘接工艺,但是由于其电阻率大、导热系数低和损耗大,难以满足各方面的要求;另一方面导电胶随着时间的推移会产生性能退化,难以满足产品30年以上长期可靠性的要求。而对于背面未制作任何金属... 在混合集成电路中,对芯片的贴装多采用导电胶粘接工艺,但是由于其电阻率大、导热系数低和损耗大,难以满足各方面的要求;另一方面导电胶随着时间的推移会产生性能退化,难以满足产品30年以上长期可靠性的要求。而对于背面未制作任何金属化或仅仅制作了单层金的硅芯片又难以采用常规的焊接工艺进行贴装。介绍了一种硅芯片的贴装工艺金-硅共晶焊工艺,并对两种主要失效模式和工艺实施过程中影响质量的因素以及解决办法进行了论述。 展开更多
关键词 混合集成电路 芯片 共晶焊
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混合集成电路内部气氛研究 被引量：6
9
作者 肖玲 徐学良 李伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期157-160,共4页
　文章介绍了混合集成电路内部气氛控制办法。由截断气氛来源入手,从材料的选用、工艺参数的设置、工艺过程的控制等三方面进行了分析,在控制混合电路内部气氛上取得了明显效果。
关键词 混合集成电路 内部气氛控制 聚合材料 可靠性
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真空烧结工艺应用研究 被引量：6
10
作者 原辉 《电子工艺技术》 2011年第1期23-27,共5页
在功率混合集成电路中,对功率芯片的组装要求热阻小和可靠性高,在这方面传统的芯片组装方法如银浆导电胶粘结或者回流焊接往往不能满足要求。介绍了功率芯片的一种新的组装工艺——真空烧结工艺,并对工艺实施过程中影响质量的因素以及... 在功率混合集成电路中,对功率芯片的组装要求热阻小和可靠性高,在这方面传统的芯片组装方法如银浆导电胶粘结或者回流焊接往往不能满足要求。介绍了功率芯片的一种新的组装工艺——真空烧结工艺,并对工艺实施过程中影响质量的因素以及解决办法进行了论述。通过试验和生产验证,证明真空烧结工艺解决了生产中存在的空洞较多和热阻较大等质量隐患。 展开更多
关键词 混合集成电路 功率芯片 真空烧结
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一种VHF频段1200 W吸收式限幅器的设计 被引量：5
11
作者 周全 孔令甲 《舰船电子对抗》 2017年第6期112-115,共4页
基于国内外限幅单片在VHF频段无法实现kW级别的现实,给出了一种采用混合集成电路工艺,在VHF频段达到1 200W的新型吸收式限幅器设计,阐述了该限幅器的工作原理和电路设计,采用双半有源式限幅电路,高功率移相网络将四节限幅电路一体化集... 基于国内外限幅单片在VHF频段无法实现kW级别的现实,给出了一种采用混合集成电路工艺,在VHF频段达到1 200W的新型吸收式限幅器设计,阐述了该限幅器的工作原理和电路设计,采用双半有源式限幅电路,高功率移相网络将四节限幅电路一体化集成。测试结果表明,限幅器工作频率为50 MHz^75 MHz,限幅功率为1 200 W(脉宽3ms,30%占空比),小信号插损小于0.3dB,驻波比小于1.3,限幅输出功率小于15dBm,恢复时间小于10s。该限幅器外形尺寸为44mm×25mm×12mm。技术指标满足设计要求。 展开更多
关键词 混合集成电路 限幅器 高功率移相网络 双半有源式限幅电路
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混合集成电路内部多余物的控制研究 被引量：5
12
作者 刘晓红 常青松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期575-577,共3页
分析了混合集成电路的内部多余物引入的途径,重点分析和阐述了金属空腔管壳在储能焊封装过程中金属飞溅物形成的原因。通过封装设备和工艺参数的控制以及管座和管帽设计的优化改进,有效控制了金属飞溅物进入封装腔体内部,提高了混合集... 分析了混合集成电路的内部多余物引入的途径,重点分析和阐述了金属空腔管壳在储能焊封装过程中金属飞溅物形成的原因。通过封装设备和工艺参数的控制以及管座和管帽设计的优化改进,有效控制了金属飞溅物进入封装腔体内部,提高了混合集成电路颗粒碰撞噪声检测(PIND)合格率以及产品的可靠性。 展开更多
关键词 混合集成电路 多余物 可靠性 颗粒碰撞噪声检测
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一种X波段串联反馈介质振荡器的设计 被引量：5
13
作者 张福云 唐红艳 钟催林 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第S2期351-354,共4页
在毫米波通信系统中,振荡器是最基本的微波频率源。本文介绍了一种串联反馈型介质振荡器的设计方法,基于负阻理论和谐波平衡法,利用HFSS和ADS设计了10.5Ghz的低相位噪声串联反馈型介质振荡器。HFSS用来精确仿真介质谐振器与微带线的耦合... 在毫米波通信系统中,振荡器是最基本的微波频率源。本文介绍了一种串联反馈型介质振荡器的设计方法,基于负阻理论和谐波平衡法,利用HFSS和ADS设计了10.5Ghz的低相位噪声串联反馈型介质振荡器。HFSS用来精确仿真介质谐振器与微带线的耦合;ADS用来对振荡器非线性仿真,优化相位噪声和输出功率。在设计过程中,采用低噪声PHEMT晶体管ATF-34143作为振荡器的有源器件,高Q值、高介电常数的介质谐振器作为稳频元件,确定振荡器的谐振频率。 展开更多
关键词 微波 混合集成电路 介质谐振器 串联反馈 相位噪声
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某混合集成DC/DC变换器在高加速寿命试验中的失效分析与探讨 被引量：4
14
作者 汪张超 计恩荣 《电子质量》 2016年第11期93-97,共5页
该文对一例混合集成DC/DC变换器内芯片互连的失效进行分析讨论,确认器件的失效原因是高温下键合点Au/Al间化合物退化导致的。该失效模式与温度直接相关,故结合产品的实际封装和老炼条件,分析芯片粘接层空洞、基板背电极槽、对流换热系... 该文对一例混合集成DC/DC变换器内芯片互连的失效进行分析讨论,确认器件的失效原因是高温下键合点Au/Al间化合物退化导致的。该失效模式与温度直接相关,故结合产品的实际封装和老炼条件,分析芯片粘接层空洞、基板背电极槽、对流换热系数及输入电压对芯片温升的影响,并提出相应的措施。 展开更多
关键词 失效分析 高加速寿命 键合 混合集成电路
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F波段宽带分谐波混频器设计
15
作者 徐奕 陈振华 +1 位作者 王晓燕 祁博宇 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第10期1241-1249,共9页
针对大带宽、低损耗的应用场景,研制了一款覆盖整个F波段(90~140GHz)的分谐波混频器。混频器采用国产分立二极管器件,以波导-石英混合集成电路形式实现。混频电路中所涉及的耦合探针、紧凑谐振滤波等结构均集成于厚度为127μm的单片石... 针对大带宽、低损耗的应用场景,研制了一款覆盖整个F波段(90~140GHz)的分谐波混频器。混频器采用国产分立二极管器件,以波导-石英混合集成电路形式实现。混频电路中所涉及的耦合探针、紧凑谐振滤波等结构均集成于厚度为127μm的单片石英基片上,通过设计高鲁棒性的直流接地回路以及紧凑谐振滤波单元,实现了整个石英基片的紧凑化及宽带混频特性。测试结果表明,所设计的分谐波混频器在12dBm本振功率激励下,可在90~140GHz频率范围内实现12~16d B的单边带变频损耗,本振和中频工作带宽分别为45~70GHz以及DC~15GHz,可以用于频谱扩展测量系统中。 展开更多
关键词 F波段 分谐波混频器 混合集成电路 肖特基二极管
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一种可编程双路二阶有源滤波器的设计与实现 被引量：4
16
作者 柯曾喜 张冰锋 王俊峰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第12期59-61,共3页
介绍了一种可编程双路二阶有源滤波器设计方法。该双路二阶有源滤波器主要由有源滤波器与可编程控制器两部分组成,可以实现低通、带通输出。应用厚膜混合集成工艺,研制样品可采用双电源供电,电压范围宽(±9V～±18V),参数指标... 介绍了一种可编程双路二阶有源滤波器设计方法。该双路二阶有源滤波器主要由有源滤波器与可编程控制器两部分组成,可以实现低通、带通输出。应用厚膜混合集成工艺,研制样品可采用双电源供电,电压范围宽(±9V～±18V),参数指标满足使用要求。其结构简单,控制灵活,性能可靠,避免了传统滤波器电子元件多、不宜调节的缺点。 展开更多
关键词 二阶有源滤波器 编程控制 混合集成电路
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2～4 GHz宽带高增益小型化限幅低噪声放大器 被引量：4
17
作者 周全 邓世雄 《舰船电子对抗》 2018年第1期98-101,109,共5页
为适应微波混合集成电路向多功能、高性能、小型化及低成本方向的发展趋势,设计了一种具有限幅、开关功能的宽带平衡式低噪声放大器,利用微波薄膜混合集成电路工艺和多芯片微组装模块(MCM)集成技术将限幅电路、宽带平衡式放大电路、开... 为适应微波混合集成电路向多功能、高性能、小型化及低成本方向的发展趋势,设计了一种具有限幅、开关功能的宽带平衡式低噪声放大器,利用微波薄膜混合集成电路工艺和多芯片微组装模块(MCM)集成技术将限幅电路、宽带平衡式放大电路、开关电路和TTL转换电路一体化集成到全密封金属管壳,阐述了该限幅低噪声放大器的高功率限幅、高增益、宽带低噪声及小体积设计。限幅低噪声放大器工作在2~4GHz,限幅功率大于250 W(脉宽1ms,30%占空比),增益大于38dB,电压驻波比小于1.4,噪声系数小于1.4dB,恢复时间小于1.0μs。限幅低噪声放大器采用+5V电源,开关控制端采用TTL电平,外形尺寸24mm×12mm×5.0mm。技术指标满足设计要求。 展开更多
关键词 混合集成电路 低噪声放大器 限幅器 小型化
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混合集成电路用环氧粘接胶外渗机理及控制
18
作者 蒲航 弓明杰 +3 位作者 史海林 任思雨 韩可 周永刚 《电子工艺技术》 2024年第6期42-45,共4页
环氧树脂粘接剂综合性能优异,在混合集成电路中使用广泛。针对环氧树脂粘接剂在混合集成电路用厚膜陶瓷基板上的外渗机理进行研究,结果发现助焊剂中的表面活性剂和等离子清洗会引起环氧树脂粘接剂在厚膜陶瓷基板表面过度润湿,导致环氧... 环氧树脂粘接剂综合性能优异,在混合集成电路中使用广泛。针对环氧树脂粘接剂在混合集成电路用厚膜陶瓷基板上的外渗机理进行研究,结果发现助焊剂中的表面活性剂和等离子清洗会引起环氧树脂粘接剂在厚膜陶瓷基板表面过度润湿,导致环氧树脂粘接剂中的活性稀释剂脱离胶体造成外渗。对于环氧树脂粘接剂的外渗问题,提出了介质隔离、真空烘烤、调整等离子清洗参数的解决方法。 展开更多
关键词 混合集成电路 环氧粘接剂 陶瓷基板 外渗 表面能
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磁性元件等离子清洗烧蚀现象分析及解决措施
19
作者 鲍恒伟 原辉 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第1期62-66,共5页
在混合集成电路装配过程中,采用等离子清洗是提升工艺可靠性的一种有效方法。混合集成电路采用多种有源器件和无源器件,对于其中的磁性元件,等离子体遇到磁场被束缚,造成离子聚集,当射频能量偏大或未采取有效保护措施时,易出现发光放电... 在混合集成电路装配过程中,采用等离子清洗是提升工艺可靠性的一种有效方法。混合集成电路采用多种有源器件和无源器件,对于其中的磁性元件,等离子体遇到磁场被束缚,造成离子聚集,当射频能量偏大或未采取有效保护措施时,易出现发光放电现象,产生烧蚀。从一个等离子清洗失效案例入手,针对清洗过程中磁性元件烧蚀现象进行了详细分析,并提出了相应的改进措施。 展开更多
关键词 混合集成电路 等离子清洗 磁性元件 烧蚀
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混合集成电路内键合失效模式及机理分析 被引量：4
20
作者 江国栋 汪张超 +1 位作者 何超 吕红杰 《电子质量》 2020年第6期31-37,共7页
整机小型化的发展对混合集成电路提出了更高的可靠性要求。该文通过对典型案例的介绍,阐述了混合集成电路键合失效机理、预防措施,以及键合退化失效的寿命评估方法。
关键词 键合工艺 混合集成电路 键合失效
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