根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽...根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽。分析了错位角度、阶梯级数、焊球半径和焊球间距对传输性能的影响,设计并实现了宽带低损耗互连陶瓷基板。测试结果表明,该结构的最高应用频率可达55 GHz,在DC-55 GHz频带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,同时利用实测数据进行信号传输验证,结果表明在未引入预加重、均衡的情况下即可满足56 G/112 G NRZ,112 G PAM4高速信号的传输。展开更多
研究了通过热丝CVD法在施加了Ni-P/Cu复合中间过渡层的W18Cr4V高速钢衬底表面进行金刚石涂层的沉积技术以及不同压力条件对沉积出的CVD金刚石涂层质量的影响。最后通过扫描电镜分别对Cu、Ni-P以及不同反应压力下沉积的金刚石涂层的表面...研究了通过热丝CVD法在施加了Ni-P/Cu复合中间过渡层的W18Cr4V高速钢衬底表面进行金刚石涂层的沉积技术以及不同压力条件对沉积出的CVD金刚石涂层质量的影响。最后通过扫描电镜分别对Cu、Ni-P以及不同反应压力下沉积的金刚石涂层的表面形貌进行了检测分析,通过XRD、拉曼光谱仪、洛氏硬度仪对金刚石涂层性能进行检测分析。结果表明:Ni-P/Cu复合中间过渡层可以明显的抑制Fe、Co的催石墨化作用。在此基础上通过沉积参数的优化,在W18Cr4V高速钢衬底表面成功沉积出高质量的CVD金刚石涂层。压力为4 kPa条件下沉积的CVD金刚石涂层较5 k Pa的金刚石颗粒晶型明显、分布致密。展开更多
文摘根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽。分析了错位角度、阶梯级数、焊球半径和焊球间距对传输性能的影响,设计并实现了宽带低损耗互连陶瓷基板。测试结果表明,该结构的最高应用频率可达55 GHz,在DC-55 GHz频带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,同时利用实测数据进行信号传输验证,结果表明在未引入预加重、均衡的情况下即可满足56 G/112 G NRZ,112 G PAM4高速信号的传输。
文摘研究了通过热丝CVD法在施加了Ni-P/Cu复合中间过渡层的W18Cr4V高速钢衬底表面进行金刚石涂层的沉积技术以及不同压力条件对沉积出的CVD金刚石涂层质量的影响。最后通过扫描电镜分别对Cu、Ni-P以及不同反应压力下沉积的金刚石涂层的表面形貌进行了检测分析,通过XRD、拉曼光谱仪、洛氏硬度仪对金刚石涂层性能进行检测分析。结果表明:Ni-P/Cu复合中间过渡层可以明显的抑制Fe、Co的催石墨化作用。在此基础上通过沉积参数的优化,在W18Cr4V高速钢衬底表面成功沉积出高质量的CVD金刚石涂层。压力为4 kPa条件下沉积的CVD金刚石涂层较5 k Pa的金刚石颗粒晶型明显、分布致密。