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碲铟汞晶体的生长及其电学特性
被引量：
2
1
作者
王领航
董阳春
介万奇
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期1069-1071,共3页
利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9&...
利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.
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关键词
hg
3
-
3
xin
2
xte
3
晶体生长
垂直布里奇曼法
光电半导体材料
近红外探测器
下载PDF
职称材料
题名
碲铟汞晶体的生长及其电学特性
被引量：
2
1
作者
王领航
董阳春
介万奇
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期1069-1071,共3页
基金
国家自然科学基金(批准号:50336040)
西北工业大学博士创新基金(批准号:CX200606)
西北工业大学研究生种子基金(批准号:200612)资助项目~~
文摘
利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.
关键词
hg
3
-
3
xin
2
xte
3
晶体生长
垂直布里奇曼法
光电半导体材料
近红外探测器
Keywords
hg
3
-
3
x In
2
xte
3
crystal growth
vertical Bridgman method
photovoltaic semiconductors
NIR detector
分类号
O782 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碲铟汞晶体的生长及其电学特性
王领航
董阳春
介万奇
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
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