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Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究
1
作者 景俊海 孙青 《材料科学进展》 CSCD 1991年第2期164-168,共5页
本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO_2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。
关键词 hg敏化 光-CVD SIO2薄膜 低温
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低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜
2
作者 景俊海 孙青 +1 位作者 付俊兴 孙建成 《材料科学进展》 CSCD 1991年第3期247-251,共5页
用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si_3N_4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si_3N_4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。
关键词 光化学 气相淀积 hg敏化 Si3N4薄膜
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