Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的X射线衍射 被引量：2

1

作者 魏彦锋 王庆学 +2 位作者 陈新强 杨建荣 何力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期946-950,共5页

采用高分辨 X射线衍射的方法 ,研究了 Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的 X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系 .实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响 .衬底与外延层之间的互扩散区约为 2～ 3μm,在... 采用高分辨 X射线衍射的方法 ,研究了 Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的 X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系 .实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响 .衬底与外延层之间的互扩散区约为 2～ 3μm,在此区域 ,摇摆曲线半峰宽变窄 ,表明从衬底扩散来的 Zn元素降低了界面处的位错密度 .通过测量晶格常数随厚度的变化 ,得到了 Cd组分的纵向分布 ,表面组分低 ,越靠近衬底组分越高 ,组分分布呈非线性变化 。 展开更多

关键词 hg1-χcdχte 液相外延 x射线衍射

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Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的貌相分析 被引量：2

2

作者 朱基千 李标 +3 位作者 褚君浩 陈新强 曹菊英 程继健 《华东理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期68-72,共5页

用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明，衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差；生长... 用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明，衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差；生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污，用适当的回熔ＬＰＥ工艺。 展开更多

关键词 貌相 液相外延 薄膜 hgcdte 红外探测器

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表面固定电荷对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响 被引量：1

3

作者 桂永胜 郑国珍 +2 位作者 褚君浩 郭少令 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期121-125,共5页

研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度。

关键词 hgcdte 光导探测器 电压响应 光电子器件

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Au掺杂碲镉汞的第一性原理计算 被引量：1

4

作者 孙雪丽 钟兆根 张亚周 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2018年第6期679-685,共7页

为揭示Au掺杂碲镉汞(Hg1-xCdxTe)的成键机制、电学性质与Cd组分x之间的关系,研究利用基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)框架下的第一性原理平面波赝势方法对Au掺杂Hg1-xCdxTe(x=0.25,x=0.50,x=0.75)的原子弛豫量、电荷... 为揭示Au掺杂碲镉汞(Hg1-xCdxTe)的成键机制、电学性质与Cd组分x之间的关系,研究利用基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)框架下的第一性原理平面波赝势方法对Au掺杂Hg1-xCdxTe(x=0.25,x=0.50,x=0.75)的原子弛豫量、电荷密度、电子局域函数(electron localization functions,ELFs)、态密度(density of states,DOSs)和能带结构进行了计算,并采用最先进的HSE(Heyd-Scuseria-Ernzerhof)杂化泛函方法修正带隙。结果表明,Au掺杂Hg1-xCdxTe结构具有一定的稳定性;Au原子的掺入对组分x=0.25、x=0.50这2种组分的Hg1-xCdxTe的价带顶端作用较为明显,更容易形成p型掺杂;Au掺杂Hg1-xCdxTe的带隙宽度与组分x之间的表现为近似线性关系。 展开更多

关键词 光学 碲镉汞 第一性原理 杂化泛函 金掺杂 电学结构

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Hg_(1-x)Cd_xTe的远红外透射光谱与晶格振动 被引量：1

5

作者 李标 褚君浩 +2 位作者 叶红娟 蒋伟 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期11-15,共5页

采用傅里叶变换红外光谱仪，在４．２～３００Ｋ、２０～３５０ｃｍ－１范围测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的远红外透射光谱，研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为．除了单声子及双声子模外。

关键词 远红外透射光谱 振动模 汞镉Ti

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n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

6

作者 周洁封 松林 +3 位作者 卢励吾 司承才 李言谨 胡晓宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期29-32,共4页

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ... 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式。 展开更多

关键词 复合中心 深能级瞬态谱 hgcdte

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Hg_(1-x)Cd_xTe 中杂质对及双空位深能级的研究

7

作者 刘晓华 介万奇 刘俊诚 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期62-67,共6页

以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质... 以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位（Ｖｃ，Ｖａ）的深能级。计算结果表明：阳离子位杂质Ａ１能级的变化取决于与其配对杂质的电负性，杂质对ａ１能级组分依赖关系ｄＥ／ｄｘ小于阳离子位单杂质Ａ１能级的ｄＥ／ｄｘ，大于阴离子位单杂质Ｔ２能级的ｄＥ／ｄｘ，不同杂质对的ｄＥ／ｄｘ基本相同；理想双空位（Ｖｃ，Ｖａ）在能隙或近能隙区域产生一个ａ１态深能级，该能级的ｄＥ／ｄｘ很小，对于ＣｄＴｅ，位置在０．５ｅＶ，对于ｘ＜０．３７的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ，该能级成为导带共振态。 展开更多

关键词 深能级 杂质对 双空位 汞镉碲 红外材料

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用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

8

作者 褚君浩 李标 +1 位作者 刘坤 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期81-86,共6页

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布。

关键词 红外透射谱 外延薄膜 hgcdte

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Hg_（1－x）Cd_xTe液相外延薄膜的光致发光

9

作者 李标 常勇 +4 位作者 褚君浩 陈新强 曹菊英 唐文国 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期93-97,共5页

用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动。

关键词 光荧光 液相外延 hgcdte

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碲镉汞体材料的显微Raman光谱 被引量：3

10

作者 黄晖 唐莹娟 +3 位作者 许京军 张存洲 潘顺臣 张光寅 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期37-41,共5页

利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于... 利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于类HgTe的TO1模 +LO1模的二级Raman散射峰 ;观察到了碲镉汞体材料中两个新的Raman散射峰 ,分别位于 6 6 2cm- 1和 74 9cm- 1;观察到了碲镉汞基本光学振动模的TO1模与LO1模的Raman散射强度比的变化 ,指出该现象是由于Ra 展开更多

关键词 碲镉汞晶体 显微Raman光谱 光学振动膜 RAMAN散射

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用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

11

作者 李向阳 胡燮荣 +1 位作者 赵建华 方家熊 《红外技术》 CSCD 北大核心 1997年第2期5-8,共4页

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率和载流子浓度与温度的关系。

关键词 hgcdte 深能级 载流子浓度 迁移度 红外光学材料

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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构 被引量：1

12

作者 刘义族 于福聚 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期39-42,共4页

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T... 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 展开更多

关键词 分子束外延法 hg1-xcdxte-hgte超晶格 cdte/Znte/GaAs异质结 双缓冲层生长 晶格结构 晶格生长

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Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器的电学参量分析

13

作者 桂永胜 郑国珍 +3 位作者 郭少令 蔡毅 褚君浩 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期317-321,共5页

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用... 测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系。 展开更多

关键词 光导探测器 电学参量 SdH测定 汞镉碲

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短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响

14

作者 胡新文 李向阳 +4 位作者 王勤 陆慧庆 赵军 方家熊 张胜坤 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期108-112,共5页

利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参... 利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参数，估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ． 展开更多

关键词 导纳谱 缺陷能级 汞镉碲 光电二极管 红外器件

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短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

15

作者 史衍丽 陈铁金 +1 位作者 冯文清 吴兴惠 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期443-447,共5页

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．

关键词 光电导探测器 碲镉汞 短波紫外光 红外探测器

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碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器空间质子位移损伤及电离总剂量效应Geant4仿真

16

作者 杨卫涛 武艺琛 +7 位作者 许睿明 时光 宁提 王斌 刘欢 郭仲杰 喻松林 吴龙胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第23期97-106,共10页

大面阵、高分辨率碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器可用于航天遥感、高精度卫星成像等领域,我国下一代气象卫星将全部应用此类图像传感器.然而,空间高能质子会对碲镉汞红外焦平面阵列探测器造成位移损伤效应,同时亦会在其像素单元金属氧... 大面阵、高分辨率碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器可用于航天遥感、高精度卫星成像等领域,我国下一代气象卫星将全部应用此类图像传感器.然而,空间高能质子会对碲镉汞红外焦平面阵列探测器造成位移损伤效应,同时亦会在其像素单元金属氧化物半导体(MOS)管引入电离总剂量效应.本文以近年来广泛应用于图像传感器的55 nm制造工艺碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器为对象,基于超大面阵设计时所用的2 pixel×2 pixel基本像素单元,构建了Geant4仿真模型,并且进行了不同质子入射注量下的仿真研究,获得了不同注量下的位移损伤情况,包括非电离能量损失、离位原子数等.结果表明,空间高能质子累积注量为10^(13)cm^(–2)时,除了考虑碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器位移损伤效应外,亦需关注其像素单元MOS管电离总剂量效应.与此同时,结合仿真结果对其空间应用环境中的损伤情况进行了初步评估.该研究可为未来超大面阵碲镉汞红外焦平面阵列图像传感器空间应用提供关键数据支撑. 展开更多

关键词 碲镉汞 红外焦平面 质子 GEANT4 位移损伤 电离总剂量

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碲镉汞红外探测器性能调控技术研究 被引量：1

17

作者 何温 王丛 +4 位作者 田震 王鑫 高达 杨海燕 柏伟 《红外》 CAS 2021年第12期6-14,共9页

对影响Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器... 对影响Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍,以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等,从而促进Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展。 展开更多

关键词 红外探测器 hg_(1-x)cd_(x)te 调控技术

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拼接型短波红外探测器的光谱响应特性

18

作者 廖清君 胡晓宁 +3 位作者 黄爱波 陈洪雷 叶振华 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期65-72,共8页

红外探测器的光谱响应一致性影响高光谱成像仪器的动态范围,研究高光谱成像用拼接型短波红外探测器在同一光谱维的响应均匀性对提高高光谱成像性能有重要意义。通过测量相对光谱响应和窄带响应,对响应波段为1.0~2.5μm、规格为2000×... 红外探测器的光谱响应一致性影响高光谱成像仪器的动态范围,研究高光谱成像用拼接型短波红外探测器在同一光谱维的响应均匀性对提高高光谱成像性能有重要意义。通过测量相对光谱响应和窄带响应,对响应波段为1.0~2.5μm、规格为2000×256的碲镉汞短波红外探测器光谱响应率进行测量和分析,提出用光谱响应非均匀性定量化分析光谱响应一致性。分析了在80℃和140℃不同的黑体温度下,窄带滤光片的中心波长和半带宽不同时,带外截止深度为OD3时,带外信号对窄带性能测试误差的影响。通过测量探测器模块的光谱响应率,计算拼接的2000×256探测器在1μm、1.9μm和2.5μm处的响应非均匀性分别为6.23%、6.06%和4.07%。光谱响应率的准确测量实现了拼接型短波红外探测器的光谱响应一致性的定量化评价,有利于探测器在高光谱成像中的合理应用。 展开更多

关键词 高光谱成像 光谱响应 定量化分析 短波红外探测器 碲镉汞

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Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格的结构研究

19

作者 于福聚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期239-,共1页

红外技术正在从机械扫描成像系统向新一代固体成像系统过渡。Hg1 xCdxTe红外焦平面列阵器件是最佳选择。它的禁带宽度随组分在 0～ 1 .6eV之间可调 ,也就是说 ,它可做成多种响应波长的红外探测器 ,而且其探测率要比GaAs量子阱、InSb都... 红外技术正在从机械扫描成像系统向新一代固体成像系统过渡。Hg1 xCdxTe红外焦平面列阵器件是最佳选择。它的禁带宽度随组分在 0～ 1 .6eV之间可调 ,也就是说 ,它可做成多种响应波长的红外探测器 ,而且其探测率要比GaAs量子阱、InSb都要高出一个多数量级。当然Hg1 xCdxTe材料也有某些缺点 ,例如难以做到大面积结构完整、组分均匀 ,难以控制其截止波长 ,并且暗电流较大等。与Hg1 xCdxTe体材料相比 ,Hg1 xCdxTe HgTe超晶格可以通过调节HgTe层和Hg1 xCdxTe层的相应厚度来控制其截止波长 ,而且还有暗电流小等优点。因此Hg1 xCdxTe HgTe超晶格材料不仅在研制长波和超长波红外量子阱探测器方面有潜在优势 ,而且在研制MIS红外器件方面也显示出优越性 (Hg1 xCdxTe HgTe超晶格MIS器件的击穿电压比Hg1 xCdxTe体材料MIS器件的还高 )。Fauriep和Becker等人对Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的制备工艺进行了研究 ,Tardotp等人研究了CdTe HgTe超晶体中Hg和Cd的互扩散 ,而且Hg1 xCdTe -HgTe的结构特征和光电特性的研究引起了广泛关注。研究MBE法生长的Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的结构特征 ,可弄清结构缺陷的生长机制和分布规律 ,并有助于研究晶体生长的机理。本文介绍了用X射线衍射测定Hg1 xCdxTe HgTe超晶格样品在 ( 0 0 2 )附近? 展开更多

关键词 分子束外延生长 hg_(1-x)cd_xte-hgte超晶格 x射线衍射

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