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高k绝缘层研究动态
被引量：
5
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作者
翁寿松
《微纳电子技术》
CAS
2005年第5期220-223,248,共5页
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词
高k绝缘层
栅结构
栅介质
hfsion
薄膜
下载PDF
职称材料
射频磁控溅射法制备HfSiON高k薄膜的结构特性
被引量：
2
2
作者
冯丽萍
刘正堂
《材料开发与应用》
CAS
2008年第2期5-7,17,共4页
在室温下,采用射频磁控溅射法在p型Si(111)衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSiON薄膜的成分,用掠入射X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜...
在室温下,采用射频磁控溅射法在p型Si(111)衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSiON薄膜的成分,用掠入射X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌。XRD谱显示,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态。HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜具有非常平整的表面,表明薄膜具有优良的热稳定性。电学测试表明,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数较高为18.9,漏电流密度较低在+1.5V为2.5×10-7A/cm2。这些特性表明HfSiON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型高k栅介质材料,同时也表明射频磁控溅射法是一种制备HfSiON新型高k栅介质薄膜的有效方法。
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关键词
射频磁控溅射
hfsion
薄膜
高k
栅介质
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职称材料
新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究
被引量：
3
3
作者
冯丽萍
刘正堂
田浩
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2008-2011,共4页
为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测...
为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5nm。I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5V)和1.5×10-6A/cm2(–1.5V)。研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料。
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关键词
高K栅介质
hfsion
薄膜
射频反应溅射
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职称材料
题名
高k绝缘层研究动态
被引量：
5
1
作者
翁寿松
机构
无锡市罗特电子有限公司
出处
《微纳电子技术》
CAS
2005年第5期220-223,248,共5页
文摘
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词
高k绝缘层
栅结构
栅介质
hfsion
薄膜
Keywords
high-k insulating layer
gate structure
gate dielectric
hfsion
thin film
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
射频磁控溅射法制备HfSiON高k薄膜的结构特性
被引量：
2
2
作者
冯丽萍
刘正堂
机构
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
出处
《材料开发与应用》
CAS
2008年第2期5-7,17,共4页
文摘
在室温下,采用射频磁控溅射法在p型Si(111)衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSiON薄膜的成分,用掠入射X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌。XRD谱显示,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态。HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜具有非常平整的表面,表明薄膜具有优良的热稳定性。电学测试表明,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数较高为18.9,漏电流密度较低在+1.5V为2.5×10-7A/cm2。这些特性表明HfSiON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型高k栅介质材料,同时也表明射频磁控溅射法是一种制备HfSiON新型高k栅介质薄膜的有效方法。
关键词
射频磁控溅射
hfsion
薄膜
高k
栅介质
Keywords
Radio frequency magnetron sputtering
hfsion
films
High-k
Dielectric
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究
被引量：
3
3
作者
冯丽萍
刘正堂
田浩
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2008-2011,共4页
基金
西北工业大学基础研究基金(04G53043)
文摘
为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5nm。I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5V)和1.5×10-6A/cm2(–1.5V)。研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料。
关键词
高K栅介质
hfsion
薄膜
射频反应溅射
Keywords
high-k gate dielectrics
hfsion
films
reactive radio frequency sputtering
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高k绝缘层研究动态
翁寿松
《微纳电子技术》
CAS
2005
5
下载PDF
职称材料
2
射频磁控溅射法制备HfSiON高k薄膜的结构特性
冯丽萍
刘正堂
《材料开发与应用》
CAS
2008
2
下载PDF
职称材料
3
新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究
冯丽萍
刘正堂
田浩
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
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