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HfO_(2)基铁电薄膜的结构、性能调控及典型器件应用 被引量：2
1
作者 袁国亮 王琛皓 +2 位作者 唐文彬 张睿 陆旭兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期69-90,共22页
大数据、物联网和人工智能的快速发展对存储芯片、逻辑芯片和其他电子元器件的性能提出了越来越高的要求.本文介绍了HfO_(2)基铁电薄膜的铁电性起源,通过掺杂元素改变晶体结构的对称性或引入适量的氧空位来降低相转变的能垒可以增强HfO_... 大数据、物联网和人工智能的快速发展对存储芯片、逻辑芯片和其他电子元器件的性能提出了越来越高的要求.本文介绍了HfO_(2)基铁电薄膜的铁电性起源,通过掺杂元素改变晶体结构的对称性或引入适量的氧空位来降低相转变的能垒可以增强HfO_(2)基薄膜的铁电性,在衬底和电极之间引入应力、减小薄膜厚度、构建纳米层结构和降低退火温度等方法也可以稳定铁电相.与钙钛矿氧化物铁电薄膜相比, HfO_(2)基铁电薄膜具有与现有半导体工艺兼容性更强和在纳米级厚度下铁电性强等优点.铁电存储器件理论上可以达到闪存的存储密度,读写次数超过1010次,同时具有读写速度快、低操作电压和低功耗等优点.此外,还总结了HfO_(2)基薄膜在负电容晶体管、铁电隧道结、神经形态计算和反铁电储能等方面的主要研究成果.最后,讨论了HfO_(2)基铁电薄膜器件当前面临的挑战和未来的机遇. 展开更多
关键词 hfo_(2)基薄膜 铁电极化 铁电存储器
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HfO_(2)基铁电场效应晶体管
2
作者 肖金盼 苏铭吉 +1 位作者 刘宗芳 Choonghyun Lee 《智能物联技术》 2023年第5期1-5,9,共6页
铁电晶体管作为一种新型的存储器件,由于与CMOS工艺兼容、低功耗等优点,吸引了研究者广泛关注。近年来,Flash、RRAM、FeFET等不同存储器件发展迅速,但都存在一定的微缩问题。大量研究工作表明,HfO_(2)基材料在1 nm厚度时也有微弱的铁电... 铁电晶体管作为一种新型的存储器件,由于与CMOS工艺兼容、低功耗等优点,吸引了研究者广泛关注。近年来,Flash、RRAM、FeFET等不同存储器件发展迅速,但都存在一定的微缩问题。大量研究工作表明,HfO_(2)基材料在1 nm厚度时也有微弱的铁电性,有利于器件的微缩,所以近年来对于HfO_(2)基铁电晶体管的研究越来越广泛。本文主要从HfO_(2)基铁电晶体管基本结构、存储机制、工艺制备过程、相关测试方法、应用等方面对HfO_(2)基铁电晶体管存储器进行了综述。 展开更多
关键词 hfo_(2)基铁电薄膜 场效应晶体管 制备工艺 存储机制
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