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基于HfN_x∶Zn薄膜的负微分阻变存储器
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作者 王中强 张雪 +3 位作者 齐猛 凡井波 严梓洋 李壮壮 《物理实验》 2019年第6期16-22,共7页
基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(<150ns)、优异的循环耐受性(>103)、长时间保持性(85℃时>10^5 s)、较小的开启/关闭电... 基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(<150ns)、优异的循环耐受性(>103)、长时间保持性(85℃时>10^5 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5%/8.5%)和较低的高阻/低阻波动性(13.5%/10.1%).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系. 展开更多
关键词 阻变存储器 氮化铪薄膜 氮空位缺陷 负微分电阻
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