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锆铪丝材加工及其在等离子切割电极中的应用 被引量:6
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作者 许圣麟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期88-91,共4页
简要介绍了锆铪丝材加工水平及其在等离子切割用电极中的应用现状 ,分析了等离子切割电极的结构原理及其寿命的影响因素 ,探讨了锆铪丝材质量对电极寿命的影响作用 ,从而指出提高锆铪丝材质量、改进电极加工方法对延长电极寿命。
关键词 锆铪 等离子切割 电极
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Hf-Ir和Zr-Os二元系金属玻璃的结晶行为
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作者 毛勇 高逸群 杨振邦 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期14-19,共6页
用电弧熔炼锤砧技术,在Hf-Ir和Zr-Os二元合金系中制得新的金属玻璃,其成分范围是:Hf100-XIrX,X=20~30at%;Zr100-XOsX,X=20~30at%。作者用差示扫描量热计(DSC)研究Hf1... 用电弧熔炼锤砧技术,在Hf-Ir和Zr-Os二元合金系中制得新的金属玻璃,其成分范围是:Hf100-XIrX,X=20~30at%;Zr100-XOsX,X=20~30at%。作者用差示扫描量热计(DSC)研究Hf100-XIrX和Zr100-XOsX(X=20、25、30at%)金属玻璃的结晶行为,测定结晶温度、结晶热和结晶激活能,并用X射线衍射技术分析Hf80Ir20和Zr75Os25金属玻璃的结晶相转变过程,分别为:A(非晶)→α-Hf+A′(非晶)→α-Hf+Hf2Ir和A(非晶)→Os4Zr11+A′(非晶)→Os4Zr11+OsZr+α-Zr。 展开更多
关键词 hf-zr zr-Os 金属玻璃 结晶 BAMHA
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Petrogenesis of the Mayo-Darley tin formations,anorogenic complex of the Cameroon Line:implication for tin deposit
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作者 Ndema Mbongué Jean Lavenir Ndongfong Edson Fuh Emmanuel Eseya Mengu Junior 《Acta Geochimica》 EI CAS CSCD 2023年第4期704-725,共22页
The Mayo-Darley massif is an anorogenic complex of the Cameroon Line that has a mantle origin.Tin-bearing rocks were analyzed by ICP-AES and INAA analytical methods.The purpose of this work was to provide new geochemi... The Mayo-Darley massif is an anorogenic complex of the Cameroon Line that has a mantle origin.Tin-bearing rocks were analyzed by ICP-AES and INAA analytical methods.The purpose of this work was to provide new geochemical data for the Mayo-Darley tin formation and to understand its petrogenesis and the origin of tin mineralization.The Mayo-Darley tin deposit is made up of tin-granite,and tin-greisen,greisenification was developed on the borders of quartz dykes.These rocks belong to the alkaline series and were classified into acid(SiO2-=61.6%–73.8%;65.4%–98%respectively)and basic(42.9%–47%SiO_(2))rocks.They showed enrichment in HSFE,LILE,Ga/Al and chondrite normalized REE patterns indicating LREE enrichment relative to HREE with a negative Eu anomaly,only sample SB8 of tin-granite showed Eu/Eu*=1.11.Rocks display metaluminous,peralkaline,peraluminous,ferroan,high-K calc-alkaline to shoshonitic,alkalic to calcic affinity,and crystallized at800°C.The chemistry of this deposit reflects the primary composition of granite,quartz monzonite,gabbro,and foid gabbro.This complex experienced multi-stage sub-solidus hydrothermal fluid reactions and shows variable alteration of feldspars alkali mobility.The rocks are classified as A1-type granite,overlap with the OIB field,and were derived from a within-plate setting,similar to mantle non plumederived magmas.The origin of tin mineralization in MayoDarley has a complex evolution,tin mineralization was derived from hydrothermal and hydrogenous metal-rich deposits and shows Sn–Hf–Zr and Sn–Tl–Nb association.These new data confirm the complexity of the Mayo-Darley tin complex and elucidate the origin of tin mineralization. 展开更多
关键词 Mayo-Darley MASSIF Cameroon Line Tingranite Tin-bearing GREISEN A1-type granite Sn–hfzr Sn–Tl–Nb
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Current Progress of Hf(Zr)-Based High-k Gate Dielectric Thin Films 被引量:1
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作者 Gang HE Lide ZHANG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期433-448,共16页
With the continued downscaling of complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor dimensions, high-dielectric constant (high-k) gate materials, as alternatives to SiO2, have been extensively investig... With the continued downscaling of complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor dimensions, high-dielectric constant (high-k) gate materials, as alternatives to SiO2, have been extensively investigated. Hf (Zr)-based high-k gate dielectric thin films have been regarded as the most promising candidates for high-k gate dielectric according to the International Technology Roadmap for Semiconductor due to their excellent physical properties and performance. This paper reviews the recent progress on Hf (Zr)-based high-k gate dielectrics based on PVD (physical vapor deposition) process. This article begins with a survey of various methods developed for generating Hf (Zr)-based high-k gate dielectrics, and then mainly focuses on microstructure, synthesis, characterization, formation mechanisms of interfacial layer, and optical properties of Hf (Zr)-based high-k gate dielectrics. Finally, this review concludes with personal perspectives towards future research on Hf (Zr)-based high-k gate dielectrics. 展开更多
关键词 hf zr)-based high-k gate dielectric PVD Optical properties metal-oxide-semiconductor
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Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn的制备及热电性能 被引量:2
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作者 刘海强 唐新峰 +2 位作者 王焜 宋晨 张清杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期2003-2007,共5页
采用固相反应法合成了单相的Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn(x=0·00—0·15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律.... 采用固相反应法合成了单相的Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn(x=0·00—0·15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律.结果表明:少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化,显著地降低了体系的热导率κ,同时显著地提高了体系的Seebeck系数α.组成为Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_(0.15)NiSn的试样室温热导率为3·72W·m-1K-1,在700K时ZT值达到最大为0·56.与三元TiNiSn相比,在相同温度下ZT值的提高率为190%—310%. 展开更多
关键词 半Heusler 固相反应 热电性能 Ti1-x(hf0.919zr0.081)xNiSn
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基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究
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作者 王岛 张岩 +2 位作者 邹正淼 王佳丽 陆旭兵 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第5期127-135,共9页
该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相.系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的... 该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相.系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响.极化-电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度(2Pr)值分别为40.4μC/cm^2和21.2μC/cm^2.相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V.极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×10^8循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2 P r值分别衰减了39.7%和45.6%.经过1.3×10^4 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2 P r值从初始34.4μC/cm^2和17.1μC/cm^2分别下降到了22.6μC/cm^2和1.6μC/cm^2.上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素.盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制.该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管. 展开更多
关键词 hf0.5zr0.5O2薄膜 铁电性能 金属盖层 原子层沉积
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Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)超薄薄膜铁电性及其晶相演变
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作者 何业法 徐华义 +2 位作者 邬海龙 周海芳 赖云锋 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第5期616-620,共5页
制备不同厚度的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)薄膜,并使用不同退火温度对其进行热处理.在最优热处理条件下,所制备薄膜的两倍剩余极化强度可达约40μC·cm^(-2),矫顽场强低至约±1.15 MV·cm^(-1),其响应速度明显优于传统铁... 制备不同厚度的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)薄膜,并使用不同退火温度对其进行热处理.在最优热处理条件下,所制备薄膜的两倍剩余极化强度可达约40μC·cm^(-2),矫顽场强低至约±1.15 MV·cm^(-1),其响应速度明显优于传统铁电材料.结果表明,HZO薄膜正交相与其铁电性有较大关系,过高的退火温度会导致四方相向单斜相转变,从而降低其铁电性.实验所得结果可为高性能HZO铁电器件的研究与制备提供一定参考. 展开更多
关键词 铪锆氧 铁电薄膜 剩余极化强度 退火温度 正交相
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Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究 被引量:1
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作者 王健健 白华 +2 位作者 许高博 李梅 毕津顺 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期418-421,426,共5页
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达3... 利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达31.7μC/cm2,矫顽电压约为1.6 V,电学性能明显提高。在150℃高温下,Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的电学性能仍然良好,证明了退火工艺和机械夹持工艺对电学性能的优化作用。 展开更多
关键词 铪锆氧 铁电电容 机械夹持 剩余极化强度 矫顽电压
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