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应变量子阱能带偏置的分析与计算 被引量：4
1
作者 华玲玲 杨阳 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2013年第5期168-175,共8页
利用Model-solid及Harrison两种模型计算不同势垒材料的InGaAs量子阱的能带偏置比,选择出适合于计算InGaAs量子阱能带偏置比的模型是Model-solid模型。讨论了引入应变、量子阱材料组分、势垒材料组分和禁带宽度对能带偏置的影响。结果表... 利用Model-solid及Harrison两种模型计算不同势垒材料的InGaAs量子阱的能带偏置比,选择出适合于计算InGaAs量子阱能带偏置比的模型是Model-solid模型。讨论了引入应变、量子阱材料组分、势垒材料组分和禁带宽度对能带偏置的影响。结果表明,压应变的引入会增大禁带宽度,减小能带偏置;随着势阱材料组分和势垒材料组分的增加,能带偏置会逐渐增大,但能带偏置比并非一直随势垒材料组分的增加而增大;InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs量子阱的Al含量y约为0.1是较佳值,In含量x小于0.2是较佳值。 展开更多
关键词 激光器 应变量子阱 能带偏置 Model—solid模型 harrison模型
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碱卤化合物和MgO的离子间距压强关系分析(英文)
2
作者 刘泉 陈立溁 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期159-163,共5页
给出了一种新的方法来决定固体的离子间距与压强的关系,并将这种方法应用到碱卤化合物和MgO晶体。这种新方法的理论基础是利用Hildebrand近似、并运用Harrison的处理方法来考虑排斥能,即考虑离子间的相互作用直到次临近离子。还利用了... 给出了一种新的方法来决定固体的离子间距与压强的关系,并将这种方法应用到碱卤化合物和MgO晶体。这种新方法的理论基础是利用Hildebrand近似、并运用Harrison的处理方法来考虑排斥能,即考虑离子间的相互作用直到次临近离子。还利用了更精确的方法来计算偶极子偶极子和偶极子四极子之间的相互作用。利用这种新方法得到的结果和实验结果吻合得很好。 展开更多
关键词 harrison模型 Hildebrand近似 碱卤化合物 氧化镁晶体 高压物理学
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