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亚表面杂质对熔石英激光损伤的影响 被引量：5
1
作者 蒋晓东 郑直 +4 位作者 祖小涛 李春宏 周信达 黄进 郑万国 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期238-241,304,共5页
采用HF酸对熔石英材料刻蚀不同的时间,利用同步辐射X射线荧光成像方法(SXRF)研究熔石英材料亚表面区域的杂质种类和相对含量,利用AFM和白光干涉仪研究刻蚀区域表面形貌和表面粗糙度,并采用R:1方式测试激光损伤阈值。实验结果表明,熔石... 采用HF酸对熔石英材料刻蚀不同的时间,利用同步辐射X射线荧光成像方法(SXRF)研究熔石英材料亚表面区域的杂质种类和相对含量,利用AFM和白光干涉仪研究刻蚀区域表面形貌和表面粗糙度,并采用R:1方式测试激光损伤阈值。实验结果表明,熔石英亚表面的杂质主要包括Fe、Cu、Ce,其相对含量随刻蚀时间的增加而降低。在刻蚀时间小于30 min时,损伤阈值明显提升;继续增加刻蚀时间,阈值降低。当刻蚀时间较短时,Cu、Ce等杂质含量对损伤阈值影响较大。刻蚀时间过长时,元件表面粗糙度成为影响损伤阈值的主要因素。 展开更多
关键词 熔石英 hf酸刻蚀 激光损伤 X射线荧光成像方法
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HF酸刻蚀提升熔石英亚表面划痕抗损伤性能的机理 被引量：4
2
作者 王凤蕊 郑直 +5 位作者 刘红婕 黄进 周信达 蒋晓东 吴卫东 郑万国 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期253-257,共5页
用HF酸刻蚀熔石英元件,研究刻蚀对元件后表面划痕的形貌结构及损伤性能的影响,探索损伤阈值提升的原因.时域有限差分算法理论计算结果表明:对于含有50nm直径氧化锆颗粒的划痕,对入射光调制引发场增强的最大值是入射光强的6.1倍,且最强... 用HF酸刻蚀熔石英元件,研究刻蚀对元件后表面划痕的形貌结构及损伤性能的影响,探索损伤阈值提升的原因.时域有限差分算法理论计算结果表明:对于含有50nm直径氧化锆颗粒的划痕,对入射光调制引发场增强的最大值是入射光强的6.1倍,且最强点位于划痕内部氧化锆颗粒附近,而结构相同但不含杂质的划痕引发的最大场增强为入射光强的3.6倍,最强区位于划痕外围;HF酸刻蚀能够有效去除划痕中的杂质,改变划痕结构,增加其宽深比值,经刻蚀的划痕对入射光调制引发场增强降低到入射光强的2.2倍.实验结果表明,经过深度刻蚀的划痕初始损伤阈值较刻蚀之前提高一倍多;光热弱吸收测试仪测试刻蚀后划痕对1 064nm激光的吸收最大值仅为230ppm.HF酸刻蚀同时可以提升元件整体损伤阈值,由于元件上无缺陷区域损伤阈值随刻蚀的深入先增加后降低,因此HF酸刻蚀应进行到元件损伤阈值提升到最大值为止. 展开更多
关键词 hf酸刻蚀 熔石英 亚表面划痕 损伤特性
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熔石英亚表面缺陷的研究进展 被引量：4
3
作者 蒋勇 袁晓东 +7 位作者 祖小涛 向霞 徐世珍 吕海兵 章春来 尹伟 陈猛 王成程 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第13期102-106,共5页
介绍了熔石英亚表面缺陷(SSD)的深度分布与粒径的量化关系及表面粗糙度的量化,以及杂质引起热破坏、裂纹导致电场增强、缺陷导致机械性能弱化3种诱导熔石英损伤的机理。还介绍了氢氟酸(HF)刻蚀和激光预处理2种非常有效的控制熔石英亚表... 介绍了熔石英亚表面缺陷(SSD)的深度分布与粒径的量化关系及表面粗糙度的量化,以及杂质引起热破坏、裂纹导致电场增强、缺陷导致机械性能弱化3种诱导熔石英损伤的机理。还介绍了氢氟酸(HF)刻蚀和激光预处理2种非常有效的控制熔石英亚表面缺陷的技术,并对熔石英亚表面缺陷研究现状、存在问题和发展趋势进行了简要的总结和展望。 展开更多
关键词 亚表面缺陷 缺陷量化 损伤机理 hf酸刻蚀 激光预处理
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基于杂质元素控制工艺降低熔石英元件损伤密度实验研究 被引量：2
4
作者 隋婷婷 戴一帆 +1 位作者 石峰 彭小强 《航空精密制造技术》 2015年第2期8-11,共4页
为降低熔石英元件的损伤密度,本文提出了磁流变抛光与HF酸刻蚀组合工艺降低杂质元素含量的方法。对熔石英样品进行磁流变抛光和HF酸刻蚀,测试表面的杂质元素相对含量以及355nm激光辐照下的损伤密度。磁流变抛光后,熔石英元件表面的Ce元... 为降低熔石英元件的损伤密度,本文提出了磁流变抛光与HF酸刻蚀组合工艺降低杂质元素含量的方法。对熔石英样品进行磁流变抛光和HF酸刻蚀,测试表面的杂质元素相对含量以及355nm激光辐照下的损伤密度。磁流变抛光后,熔石英元件表面的Ce元素相对含量由2694当量降至10当量以下,但Fe元素相对含量由376.2当量上升至4333当量,8J/cm2通量下损伤密度由0.49个/mm2增大为0.90个/mm2;磁流变抛光与HF酸刻蚀后,Fe元素相对含量下降至1951当量,损伤密度为0.042个/mm2。实验结果表明,磁流变抛光可以去除前级加工引入的Ce元素,但是会引入Fe元素,导致损伤密度上升。HF酸刻蚀可以有效降低杂质元素含量,降低损伤密度。 展开更多
关键词 熔石英 杂质元素 hf酸刻蚀 损伤密度
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HF酸刻蚀ZSM-5/PDMS膜渗透汽化透醇性能研究 被引量：1
5
作者 展侠 刘吉辉 +2 位作者 齐菲 夏阳 李继定 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期136-138,141,共4页
采用HF酸对3种MFI型沸石(ZSM-5,silicalite-1)进行刻蚀,通过SEM和TEM对刻蚀前后沸石的表面和本体形貌进行了表征,发现酸刻蚀造成沸石表面出现微米级孔洞,但本体仍保留了规则的孔道结构。将刻蚀后的ZSM-5填充至聚二甲基硅氧烷(PDMS)中制... 采用HF酸对3种MFI型沸石(ZSM-5,silicalite-1)进行刻蚀,通过SEM和TEM对刻蚀前后沸石的表面和本体形貌进行了表征,发现酸刻蚀造成沸石表面出现微米级孔洞,但本体仍保留了规则的孔道结构。将刻蚀后的ZSM-5填充至聚二甲基硅氧烷(PDMS)中制备了复合膜,用于乙醇/水混合物的分离,研究了沸石硅铝比、HF酸浓度、操作温度和料液浓度对复合膜渗透汽化分离性能的影响。研究发现HF酸处理,可以有效地提高ZSM-5/PDMS膜的分离因子,由12.3最高上升至16.8([EtOH]=5wt%,50℃),渗透通量稍有下降;随着操作温度的升高,复合膜渗透通量增大,分离因子在50℃达到极大值;料液中乙醇浓度提高,复合膜渗透通量增大,分离因子减小。 展开更多
关键词 hf酸刻蚀 ZSM-5 聚二甲基硅氧烷 优先透醇 渗透汽化
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提升熔石英抗激光损伤性能的磁流变与HF刻蚀结合方法 被引量：1
6
作者 万稳 戴一帆 +1 位作者 石峰 彭小强 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期8-11,共4页
为提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能,针对传统加工方法在加工过程中产生的破碎性缺陷和污染性缺陷,提出使用磁流变抛光结合HF酸刻蚀的组合工艺提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能的方法。磁流变抛光特有的剪切去除原理能够有效去除传统... 为提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能,针对传统加工方法在加工过程中产生的破碎性缺陷和污染性缺陷,提出使用磁流变抛光结合HF酸刻蚀的组合工艺提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能的方法。磁流变抛光特有的剪切去除原理能够有效去除传统加工过程产生的破碎性缺陷,同时不产生新的破碎性缺陷。HF酸动态酸刻蚀能够有效减少加工过程中产生的金属元素污染。实验结果表明:经过组合工艺处理的熔石英样品,在7J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由0.2mm~^(-2)降至0.008mm^(-2),在8J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由1mm^(-2)降至0.1mm^(-2),其元件抗损伤性能提升显著。 展开更多
关键词 熔石英 磁流变抛光 hf酸刻蚀 缺陷 损伤密度
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空穴孔阵玻璃基片的酸加工工艺研究
7
作者 韩建军 阮健 +1 位作者 徐峰 赵修建 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期26-29,共4页
以Li2O-Al2O3-SiO2为玻璃系统,采用化学刻蚀法对曝光和热处理后的光敏微晶玻璃进行处理,研究了刻蚀工艺参数对基片加工性能的影响,利用X射线衍射、场发射扫描电镜对样品进行了分析。研究结果表明,特定组成的玻璃经过处理,在浓度为5%的H... 以Li2O-Al2O3-SiO2为玻璃系统,采用化学刻蚀法对曝光和热处理后的光敏微晶玻璃进行处理,研究了刻蚀工艺参数对基片加工性能的影响,利用X射线衍射、场发射扫描电镜对样品进行了分析。研究结果表明,特定组成的玻璃经过处理,在浓度为5%的HF酸溶液中,温度为20℃下,超声波搅拌60 min刻蚀后,可制备出排列方式和密度不同的空穴孔阵基片。利用研究结果研制出了孔径分别为1.0 mm、0.8 mm和排列方式为12×12、24×24的玻璃基片材料。 展开更多
关键词 光敏微晶玻璃 hf酸刻蚀 空穴孔阵基片 玻璃载体
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