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电沉积Cu(In,Ga)Se_2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)_2薄膜及表征 被引量：3
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作者 赖延清 匡三双 +4 位作者 刘芳洋 张治安 刘军 李劼 刘业翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期1196-1201,共6页
在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱对退火前后的薄膜进行表征.结果表明,H2S... 在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱对退火前后的薄膜进行表征.结果表明,H2S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入,同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se微相.此外,H2S退火还可改善薄膜的结晶性能,并使S和Ga进入黄铜矿结构,薄膜晶格参数变小. 展开更多
关键词 Cu(In Ga)(Se S)2 Cu(In Ga)Se2 电沉积 h2S退火
原文传递
H2退火对锌硼硅玻璃钝化P—N结反向电流—电压特性的影响
2
作者 Mura.,S 郑桂英 《永光半导体》 1989年第1期47-53,42,共8页
关键词 h2退火 玻璃钝化 P-N结 特性
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