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氢离子敏场效应测量仪的设计
1
作者
童敏明
许姗
+1 位作者
刘涛
戴新联
《中国仪器仪表》
2008年第7期37-39,共3页
在分析氢离子敏场效应传感器(H^+-ISFET)的结构特性与测量原理基础上,采用单片机技术,对传感器的信号进行了智能处理,主要是对检测过程中瞬态波动产生的异常信号进行剔除,对环境温度的影响进行补偿,由此可以提高氢离子检测的可靠性和测...
在分析氢离子敏场效应传感器(H^+-ISFET)的结构特性与测量原理基础上,采用单片机技术,对传感器的信号进行了智能处理,主要是对检测过程中瞬态波动产生的异常信号进行剔除,对环境温度的影响进行补偿,由此可以提高氢离子检测的可靠性和测量精度。
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关键词
氢离子敏场效应
传感器
检测仪器
智能信号处理
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职称材料
题名
氢离子敏场效应测量仪的设计
1
作者
童敏明
许姗
刘涛
戴新联
机构
中国矿业大学信息与电气工程学院
出处
《中国仪器仪表》
2008年第7期37-39,共3页
基金
国家自然科学基金(项目编号60674110)
文摘
在分析氢离子敏场效应传感器(H^+-ISFET)的结构特性与测量原理基础上,采用单片机技术,对传感器的信号进行了智能处理,主要是对检测过程中瞬态波动产生的异常信号进行剔除,对环境温度的影响进行补偿,由此可以提高氢离子检测的可靠性和测量精度。
关键词
氢离子敏场效应
传感器
检测仪器
智能信号处理
Keywords
^
h
^＋-
isfet
sensor
detecting
apparatus
intelligent
signal
processing
分类号
TH702 [机械工程—仪器科学与技术]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢离子敏场效应测量仪的设计
童敏明
许姗
刘涛
戴新联
《中国仪器仪表》
2008
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