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过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂GeSe的高温铁磁半导体薄膜
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作者 李德仁 张析 +2 位作者 何文杰 彭勇 向钢 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期279-288,共10页
具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeS... 具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeSe薄膜表现出较强的铁磁性,居里温度(TC)分别高达277,255和243 K,而V,Cr和Ni掺杂GeSe的多晶薄膜表现出较弱的铁磁性.磁电输运测量表明,Mn,Fe和Co掺杂GeSe的多晶薄膜具有相对较高的空穴浓度,在300 K下高达~1020cm^(-3).基于实验和计算结果的进一步分析表明,Mn,Fe和Co掺杂GeSe的多晶薄膜中的强铁磁性归因于载流子增强的Ruderman-KittelKasuya-Yosida相互作用.我们的研究结果展示了过渡金属掺杂GeSe的磁性半导体薄膜的丰富多样性,并为相关基础研究和器件应用提供了一个新平台. 展开更多
关键词 半导体薄膜 多晶薄膜 化学气相沉积法 过渡金属元素 过渡金属掺杂 铁磁半导体 空穴浓度 磁性测量
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Chemical vapor deposition growth of crystal monolayer SnS2 with NaCl-assistant
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作者 Xiao-Xu Liu Da-Wei He +2 位作者 Jia-Qi He Yong-Sheng Wang Ming Fu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第11期360-363,共4页
As an important member of the two-dimensional layers of metal dichalcogenides family, the two-dimensional(2 D)group IV metal chalcogenides(GIVMCs) have been attracting intensive attention. However, the growth of monol... As an important member of the two-dimensional layers of metal dichalcogenides family, the two-dimensional(2 D)group IV metal chalcogenides(GIVMCs) have been attracting intensive attention. However, the growth of monolayer tin disulfide(SnS2) remains a great challenge contrasted to transition metal dichalcogenides, which have been studied quite maturely. Till date, there have been scant reports on the growth of large-scale and large-size monolayer SnS2. Here, we successfully synthesized monolayer SnS2 crystal on SiO2/Si substrates via NaCl-assisted CVD and the edge can be as long as 80 μm. Optical microscope, Raman spectroscopy, x-ray diffraction, atomic force microscopy(AFM), and energydispersion x-ray(EDX) were performed respectively to investigate the morphology, crystallographic structure, and optical property of the 2 D SnS2 nanosheets. In addition, we discussed the growing mechanism of the NaCl-assisted CVD method. 展开更多
关键词 group iv metal chalcogenides tin DISULFIDE two-dimensional materials chemical vapor deposition
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第四主族金属硫族化合物二维材料研究进展 被引量:2
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作者 王靖慧 焦丽颖 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第20期2158-2167,共10页
第四主族金属硫族化合物具有丰富的晶体结构与组成.理论计算预测这类材料的二维晶体具有优异的热电、铁电、压电等性能.但是,目前这类材料的二维结构与性质研究的实验工作尚未系统展开.本文以这类材料二维结构与性质的关联性为切入点,... 第四主族金属硫族化合物具有丰富的晶体结构与组成.理论计算预测这类材料的二维晶体具有优异的热电、铁电、压电等性能.但是,目前这类材料的二维结构与性质研究的实验工作尚未系统展开.本文以这类材料二维结构与性质的关联性为切入点,系统展示了这类材料二维结构的合成进展,总结了其二维尺度上的独特性质,并对这类材料的发展前景及挑战进行了展望. 展开更多
关键词 第四主族金属硫族化合物 二维结构 性质
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