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垂直腔面发射激光器热场特性分析 被引量：5
1
作者 刘立新 赵红东 曹萌 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期8-11,共4页
应用格林函数方法计算了增益波导垂直腔面发射激光器的热传导方程,分析了电流扩展、材料参数和工作条件对温度分布的影响。计算结果表明,电流扩展是影响这种激光器热场特性的主要因素,降低阈值电流是减小温升的有效方法。
关键词 垂直腔面发射激光器 热场特性 格林函数 热传导方程 温度分布 电流扩展
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纳米一维双原子晶体颗粒的原子均方位移和均方速度
2
作者 黄建平 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期460-464,共5页
应用作者与合作者已导出的纳米一维双原子晶体颗粒的位移 位移格林函数 ,推导了纳米一维双原子晶体颗粒的速度 速度格林函数 ,并在此基础上 ,应用涨落 耗散定理 ,推导了纳米一维双原子晶体颗粒的原子均方位移公式和原子均方速度公式... 应用作者与合作者已导出的纳米一维双原子晶体颗粒的位移 位移格林函数 ,推导了纳米一维双原子晶体颗粒的速度 速度格林函数 ,并在此基础上 ,应用涨落 耗散定理 ,推导了纳米一维双原子晶体颗粒的原子均方位移公式和原子均方速度公式。数值计算表明 ,纳米晶体颗粒表面原子的均方位移大于内部的原子均方位移 ,而表面原子的均方速度小于内部原子的均方速度 ;当纳米颗粒尺寸减小时 ,表面原子的均方位移和内部原子的均方位移都减小 ,而表面原子的均方速度和内部原子的均方速度几乎不发生变化 ;温度增大时 ,纳米晶体颗粒中各原子的均方位移和均方速度都增大 ,在高温极限 ,各原子的均方位移和均方速度与温度成正比。 展开更多
关键词 纳米晶体颗粒 格林函数 涨落-耗散定理 原子均方位移 原子均方速度
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分子器件的电子抽运 被引量：3
3
作者 卫亚东 万浪辉 +1 位作者 陈龙康 王健 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2002年第4期10-16,共7页
从非平衡格林函数出发 ,推导了有外加偏压和抽运信号同时存在时 ,分子器件与两个正常导线形成的系统的电流电压公式 ,并对由纳米碳管 (CNT)作为分子器件的系统 (N CNT N)进行了数值计算 .通过对加在碳管上两个门电压的周期性改变 ,系统... 从非平衡格林函数出发 ,推导了有外加偏压和抽运信号同时存在时 ,分子器件与两个正常导线形成的系统的电流电压公式 ,并对由纳米碳管 (CNT)作为分子器件的系统 (N CNT N)进行了数值计算 .通过对加在碳管上两个门电压的周期性改变 ,系统中产生稳定的直流抽运电流 ,发现只有借助CNT的电子能级才能得到明显的抽运电流 ,电流大小随抽运信号增强而增加 .随着费米能级的改变 ,抽运电流方向可以反向 .有外加偏压时 ,电流的形成除由抽运信号驱动外 ,还受到外偏压驱动 . 展开更多
关键词 分子器件 量子电子抽运 非平衡格林函数近似 纳米碳管 数值计算 电流 CNT
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NaCl的层厚度对NaCl-Si(111)界面电子特性的影响
4
作者 徐国定 李继恺 黄明举 《河南大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第3期14-17,共4页
根据Ｙａｎｉｖ的界面理论，利用紧束缚近似下的格林函数方法，研究了绝缘体ＮａＣｌ的层厚度对ＮａＣＬＳｉ（１１１）界面电子特性的影响．结果表明，（１）Ｓｉ上覆盖一层ＮａＣｌ时，导致局域在Ｓｉ一边的价带态密度显著降低和导... 根据Ｙａｎｉｖ的界面理论，利用紧束缚近似下的格林函数方法，研究了绝缘体ＮａＣｌ的层厚度对ＮａＣＬＳｉ（１１１）界面电子特性的影响．结果表明，（１）Ｓｉ上覆盖一层ＮａＣｌ时，导致局域在Ｓｉ一边的价带态密度显著降低和导带态密度显著升高，这可能是由于ＮａＣｌ的离子性将Ｓｉ的价带电子排斥到导带的缘故；（２）当ＮａＣｌ层厚增加时，局域在Ｓｉ一边的态密度几乎不受影响，这与ＮａＣＬＳｉ（１１１）界面热垒形成和费米能级钉扎有关． 展开更多
关键词 格林函数 界面 氯化钠 电子特性 绝缘体 厚度
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