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LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料 被引量：2
1
作者 段树坤 熊飞克 +6 位作者 李学斌 李晶 王玉田 江德生 徐俊英 万寿科 钱家骏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第9期578-582,共5页
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸... 本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动. 展开更多
关键词 gninas/inp 量子阱材料 外延生长
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