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题名真空电子学太赫兹源的三维粒子模拟建模
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作者
保荣
王洪广
李永东
刘纯亮
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机构
西安交通大学电子科学与工程学院电子物理与器件教育部重点实验室
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出处
《真空电子技术》
2019年第6期23-28,54,共7页
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文摘
太赫兹源是太赫兹技术发展应用的关键瓶颈之一,在太赫兹频段的低频一侧,真空电子学太赫兹源具有优势。对真空电子学太赫兹源的粒子模拟是设计和研制这类器件的重要手段,因此,关注粒子模拟的有效性,研究器件三维粒子模拟建模过程中的问题十分必要。本文以两种典型的太赫兹契伦科夫器件--太赫兹返波管和太赫兹行波管为例,讨论了器件粒子模拟模型中网格尺寸和宏粒子权重这两个关键参数对模拟结果的影响,进而给出了两个参数的合理选取方法,以供研究者们在对器件进行三维粒子模拟建模时参考。
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关键词
太赫兹
真空电子器件
粒子模拟
网格剖分
宏粒子权重
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Keywords
Terahertz
Vacuum electronic device
PIC simulation
gird size
Macro particle weight
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分类号
O53
[理学—等离子体物理]
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