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Ge_nSi_mC_5(n+m=2)团簇结构与电子性质的DFT研究 被引量：1
1
作者 庾弘朗 方海 《韩山师范学院学报》 2006年第3期63-67,共5页
在密度泛函理论基础上,对GenSimC5(n+m=2,0≤n,m≤2)团簇进行了全电子、从头算研究．优化结构和频率分析表明GeC5Ge、SiC5Si、GeC5Si团簇的基态都采取单重态的线性结构．结果证实了在这些二元或三元富碳团簇中,最强、最多的CC双键的形... 在密度泛函理论基础上,对GenSimC5(n+m=2,0≤n,m≤2)团簇进行了全电子、从头算研究．优化结构和频率分析表明GeC5Ge、SiC5Si、GeC5Si团簇的基态都采取单重态的线性结构．结果证实了在这些二元或三元富碳团簇中,最强、最多的CC双键的形成主导团簇同分异构体的相对稳定性． 展开更多
关键词 gensimc5团簇 密度泛函理论 结构与稳定性
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