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硅雪崩光电二极管单光子探测器 被引量：32
1
作者 梁创 aphy.iphy.ac.cn +2 位作者 廖静 梁冰 吴令安 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第12期1142-1147,共6页
将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下 ,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器 .设计并制作了雪崩抑制电路 ,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1 μs,有源抑制下 60～ 80 ns,输出脉冲宽度 1 5～ 2 0 ns.并详细检测... 将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下 ,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器 .设计并制作了雪崩抑制电路 ,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1 μs,有源抑制下 60～ 80 ns,输出脉冲宽度 1 5～ 2 0 ns.并详细检测了探测器直到液氮温度下的特性 . 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 单光子探测器 APD
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近红外单光子探测器 被引量：15
2
作者 孙志斌 马海强 +4 位作者 雷鸣 杨捍东 吴令安 翟光杰 冯稷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期5790-5795,共6页
该单光子探测器在实验中使用半导体制冷器制冷,雪崩二极管工作于盖革模式下,使用交流耦合方式提供门脉冲信号,通过延迟补偿和采样门控消除尖脉冲干扰,采用反馈门控减小后脉冲影响,优化电路参数减小暗计数.经实验测试与分析,温度在-62.5... 该单光子探测器在实验中使用半导体制冷器制冷,雪崩二极管工作于盖革模式下,使用交流耦合方式提供门脉冲信号,通过延迟补偿和采样门控消除尖脉冲干扰,采用反馈门控减小后脉冲影响,优化电路参数减小暗计数.经实验测试与分析,温度在-62.5℃,门脉冲宽度为50ns,采样门控为10ns的条件下,最佳工作点的暗计数率小于4×10-6ns-1,量子效率约18%,噪声等效功率为2.4×10-19W/Hz1/2. 展开更多
关键词 单光子探测 半导体制冷 雪崩二极管 盖革模式
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InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制 被引量：14
3
作者 张秀川 蒋利群 +5 位作者 高新江 陈伟 奚水清 姚科明 兰逸君 卢杰 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期356-360,391,共6页
设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在... 设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5%,单元时间抖动为465ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性。 展开更多
关键词 三维成像 单光子 盖革模式 焦平面阵列
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盖革模式APD阵列激光雷达的三维成像仿真 被引量：12
4
作者 吴丽娟 李丽 任熙明 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2180-2186,共7页
基于盖革模式APD阵列激光雷达是一种非扫描三维成像激光雷达,为研究系统的三维成像效果,对该系统的三维图像进行仿真。首先应用光线追踪法构建三维场景;并对APD像元的探测概率和累积概率进行仿真,在此基础上给出对探测距离仿真的方法,... 基于盖革模式APD阵列激光雷达是一种非扫描三维成像激光雷达,为研究系统的三维成像效果,对该系统的三维图像进行仿真。首先应用光线追踪法构建三维场景;并对APD像元的探测概率和累积概率进行仿真,在此基础上给出对探测距离仿真的方法,得到激光雷达探测的距离像;最后通过坐标变换将距离像转化为三维图像,实现了三维场景重建。仿真结果表明,该方法能较好地仿真出激光雷达获得的场景三维图像,并可以为APD阵列激光雷达的研究提供仿真试验数据。 展开更多
关键词 激光雷达 APD阵列 盖革模式 三维成像仿真
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InGaAs单光子探测器传感检测与淬灭方式 被引量：12
5
作者 郑丽霞 吴金 +3 位作者 张秀川 涂君虹 孙伟锋 高新江 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期218-226,共9页
针对InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)的光电感应特性,研究了基于门控主动式淬灭的SPAD动态偏置控制和电路实现的策略.采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间,有效抑制暗计数和后脉冲效应.接口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(... 针对InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)的光电感应特性,研究了基于门控主动式淬灭的SPAD动态偏置控制和电路实现的策略.采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间,有效抑制暗计数和后脉冲效应.接口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行制造,而SPAD则采用非标准CMOS工艺.利用铟柱互连混合封装工艺实现SPAD与感应接口电路的协同工作.在低温-30?C的条件下,实现了SPAD光触发雪崩电流信号的提取和快速淬灭.研究了感应电阻和临界检测电压对传感检测电性能的影响,并采用简单电路结构实现状态检测,实测得到的SPAD恢复时间、传输延时分别为575,563 ps,淬灭时间为1.88 ns,满足纳秒级精度传感检测应用的需要. 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 盖革模式 门控 主动淬灭
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基于4元APD阵列的激光测距技术研究 被引量：10
6
作者 寇松峰 陈钱 +1 位作者 顾国华 季尔优 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期537-540,共4页
提出了一种基于盖革模式(Geigermode)下雪崩二极管(APD)阵列作为接收器件的激光测距新技术。盖革模式下的APD阵列具有单光子探测能力,能够对微弱的激光回波信号实现探测,并能够实现高精度的起始点判别,从而准确地确定激光飞行时间,最终... 提出了一种基于盖革模式(Geigermode)下雪崩二极管(APD)阵列作为接收器件的激光测距新技术。盖革模式下的APD阵列具有单光子探测能力,能够对微弱的激光回波信号实现探测,并能够实现高精度的起始点判别,从而准确地确定激光飞行时间,最终计算出目标距离。实验结果证明相比传统的测距技术,新的测距技术可以实现低激光发射功率下的高精度,远距离测距,为激光测距技术的发展提供了一条新思路。 展开更多
关键词 激光技术 APD阵列 盖革模式 光子探测 激光测距
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光子脉冲外差探测系统的测距精度 被引量：10
7
作者 罗韩君 元秀华 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期173-179,共7页
测距精度是评价脉冲激光测距系统性能的重要参数之一,对基于盖革模式雪崩光电二极管的光子脉冲外差探测系统的测距精度进行了研究。利用激光外差探测原理和光子计数探测的统计理论,建立了系统测距精度模型。研究了激光回波强度、脉宽、... 测距精度是评价脉冲激光测距系统性能的重要参数之一,对基于盖革模式雪崩光电二极管的光子脉冲外差探测系统的测距精度进行了研究。利用激光外差探测原理和光子计数探测的统计理论,建立了系统测距精度模型。研究了激光回波强度、脉宽、本振光强度、噪声、回波位置与拍频等6个因素对测距精度的影响。研究结果表明,当回波脉冲强度较弱时,这6个因素对测距精度影响很大。当回波信号激发的初始电子数多于4个时,影响测距精度的因素主要是激光回波强度和脉宽。回波越强,脉宽越窄,本振光越强,噪声越低,回波位置越大,拍频越小,测距精度越高。 展开更多
关键词 探测器 外差探测 盖革模式 探测概率 测距精度
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高速近红外1550nm单光子探测器 被引量：9
8
作者 杨皓 王超 +2 位作者 孙志斌 王迪 翟光杰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第2期325-329,共5页
高速近红外1 550 nm单光子探测器采用半导体制冷和热管风冷混合技术,雪崩二极管工作于盖革模式下,使用交流耦合方式提供门脉冲信号,通过延迟补偿和采样边沿锁存方式消除尖脉冲干扰,采用反馈门控减小后脉冲的影响。采用了ECL(Emitter Cou... 高速近红外1 550 nm单光子探测器采用半导体制冷和热管风冷混合技术,雪崩二极管工作于盖革模式下,使用交流耦合方式提供门脉冲信号,通过延迟补偿和采样边沿锁存方式消除尖脉冲干扰,采用反馈门控减小后脉冲的影响。采用了ECL(Emitter Couple Logic)与TTL(Transistor-TransistorLogic)混合电子技术提高单光子探测系统的运行频率,其频率可大于10 MHz;另外,通过对雪崩信号的放大来提高信号的动态范围,进一步优化探测器的性能。实验测试与分析表明,探测器在时钟频率10 MHz、温度-62℃、门脉冲宽度8 ns的条件下的最优性能参数为:量子探测效率12.8%,暗计数率3.76×10-6ns-1,噪声等效功率8.68×10-19W/Hz1/2。 展开更多
关键词 单光子探测 半导体制冷 雪崩二极管 盖革模式 门控
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盖革模式APD阵列在激光雷达技术中应用 被引量：8
9
作者 韩小纯 王元庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期982-985,共4页
激光雷达技术是成像前沿技术之一,基于盖革模式APD焦平面阵列的三维成像激光雷达以其高灵敏度、高距离分辨率、高成像效率而成为国内外研究热点。本文介绍了美国麻省理工学院林肯实验室研发的盖革模式APD阵列的结构和性能。该APD阵列具... 激光雷达技术是成像前沿技术之一,基于盖革模式APD焦平面阵列的三维成像激光雷达以其高灵敏度、高距离分辨率、高成像效率而成为国内外研究热点。本文介绍了美国麻省理工学院林肯实验室研发的盖革模式APD阵列的结构和性能。该APD阵列具有单光子探测能力,采用桥接集成技术增加了APD阵列的集成度,每个像素都有独立的计时电路距离信息直接读出。同时文中还给出了APD阵列激光雷达在伪装目标识别、广域地形三维成像方面的最新研究成果。旨在为我国激光雷达技术研究与传感器选择方面提供参考。 展开更多
关键词 盖革模式 APD阵列 激光雷达
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单光子探测峰值扫描法高精度光纤传输时间测量研究 被引量：7
10
作者 曾智龙 朱勇 +3 位作者 卢麟 张宝富 吴传信 韦毅梅 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期206-212,共7页
提出了一种基于单光子探测的光纤传输时间峰值扫描测量方法。通过调节门控信号的到达时间以及与光脉冲匹配的开闸宽度,统计单光子探测器的计数率峰值来判断光脉冲的准确到达时刻,避免了单光子探测器在盖格工作模式下输出雪崩脉冲的时间... 提出了一种基于单光子探测的光纤传输时间峰值扫描测量方法。通过调节门控信号的到达时间以及与光脉冲匹配的开闸宽度,统计单光子探测器的计数率峰值来判断光脉冲的准确到达时刻,避免了单光子探测器在盖格工作模式下输出雪崩脉冲的时间抖动测量误差。在理论分析峰值扫描测量法的基础上,设计了峰值扫描测量实验系统,在长度为125 km光纤信道上测量光脉冲传输时间精度达到35 ps,同时验证了实验系统测量的准确度约为13 ps。 展开更多
关键词 光纤光学 时间间隔测量 峰值扫描 单光子探测器 门模式
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InP基自由运行模式单光子APD 被引量：6
11
作者 史衍丽 朱泓遐 +5 位作者 杨雪艳 曾辉 李再波 刘辰 王建 王伟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期48-55,共8页
基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9~1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置不同的偏置电路,可工作在门控和自由运行模式。目前主要采用门控模式的工作方式,门控模式可应用于光子到... 基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9~1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置不同的偏置电路,可工作在门控和自由运行模式。目前主要采用门控模式的工作方式,门控模式可应用于光子到来时间已知的量子密钥分发。在激光测距、激光雷达成像等应用中当光子到达时间是未知的条件下,器件需工作在自由运行模式下。通过内部集成或片上集成自淬灭器件,探测器本身具有自淬灭或自恢复功能,无需外部淬灭电路,可工作在自由运行模式,大大拓展了InGaAs/InP单光子探测器的应用领域,同时对制备单光子探测器阵列具有优势。另外,采用InGaAs/GaAsSbⅡ类超晶格材料作为雪崩二极管的吸收层,可将探测器的截止波长进一步扩展为2.4μm。首先对盖革模式APD进行了介绍,在此基础上对当前发展的自由运行模式以及扩展波长的InP基单光子探测器原理和性能进行了详细的阐述。 展开更多
关键词 INP基 雪崩光电二极管 单光子探测器 盖格模式 自由运行模式 自淬灭 负反馈
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32×32 Si盖革模式激光焦平面探测器
12
作者 王江 王鸥 +5 位作者 刘向东 袁利 柯尊贵 郝昕 覃文治 杨赟秀 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期665-670,共6页
为了满足350 nm~1100 nm波长范围内远距离及微弱激光3维成像探测的需求,提出了一种规模为32×32的盖革模式硅激光焦平面阵列探测器,它主要由硅雪崩光电二极管阵列、读出电路芯片、微透镜阵列、半导体制冷器、引脚网格阵列壳体等元... 为了满足350 nm~1100 nm波长范围内远距离及微弱激光3维成像探测的需求,提出了一种规模为32×32的盖革模式硅激光焦平面阵列探测器,它主要由硅雪崩光电二极管阵列、读出电路芯片、微透镜阵列、半导体制冷器、引脚网格阵列壳体等元件组成。硅雪崩光电二极管焦平面阵列采用拉通型N^(+)-Π_(1)-P^(-)-Π_(2)-P^(+)结构,工作在盖革模式下,通过Si片背面抛磨减薄及盲孔刻蚀技术,实现了纤薄光敏区的加工;读出电路采用主动模式淬灭设计,使电路单元的死时间控制在50 ns以内,并利用一种带相移技术的时间数字转换电路优化方案,在满足时间分辨率不大于2 ns的同时,降低了读出电路芯片的功耗。结果表明,在反向过偏电压14 V、工作温度-40℃的条件下,该探测器在850 nm的目标波长可实现20.7%的平均光子探测效率与0.59 kHz的平均暗计数率,时间分辨率为1 ns,有效像元率优于97%。该研究为纤薄型背进光Si基激光焦平面探测器的研制提供了参考。 展开更多
关键词 传感器技术 雪崩焦平面探测器 盖革模式 硅 激光3维成像
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基于盖革模式APD的光子计数激光雷达探测距离研究 被引量：5
13
作者 罗韩君 詹杰 +1 位作者 丰元 张禹涛 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期80-88,共9页
最大探测距离是表征光子雷达性能的重要参数,本文利用盖革模式雪崩光电二极管阵列对直接探测脉冲光子雷达的最大探测距离进行了研究。从激光雷达方程出发,根据盖革模式雪崩光电二极管阵列探测像元中回波激发初始电子数的泊松统计模型和... 最大探测距离是表征光子雷达性能的重要参数,本文利用盖革模式雪崩光电二极管阵列对直接探测脉冲光子雷达的最大探测距离进行了研究。从激光雷达方程出发,根据盖革模式雪崩光电二极管阵列探测像元中回波激发初始电子数的泊松统计模型和系统最小可接受探测概率条件,建立了光子雷达的最大探测距离理论模型。利用光子雷达系统设计参数,研究了对最大探测距离产生影响的五个主要因素。研究结果表明发射激光脉冲能量越高,噪声越小,回波位置在距离门中越靠前,大气传输系数越大,目标反射率越高,获得的最大探测距离越大;使用脉宽为5 ns,脉冲能量为50μJ的激光脉冲,最小可接受探测概率为0.9时,可获得大于1 km的最大探测距离;同时,选择合适的系统最小可接受探测概率对系统探测性能的改善十分重要。 展开更多
关键词 激光雷达方程 盖革模式 阵列 最大探测距离
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盖革模式APD激光雷达探测性能与虚警抑制研究 被引量：5
14
作者 罗韩君 元秀华 周仁龙 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期175-179,共5页
对基于盖革模式APD(GM-APD)探测器的激光雷达的探测性能和虚警抑制方法进行了研究。从系统原理与探测时序出发,研究了长死时间、回波脉宽大于时间数字转换器(TDC)分辨时间情况下目标探测概率与虚警率分布,分析了回波强度、脉宽、噪声与... 对基于盖革模式APD(GM-APD)探测器的激光雷达的探测性能和虚警抑制方法进行了研究。从系统原理与探测时序出发,研究了长死时间、回波脉宽大于时间数字转换器(TDC)分辨时间情况下目标探测概率与虚警率分布,分析了回波强度、脉宽、噪声与回波位置对目标探测概率与虚警率的影响;利用双探测器结构的探测模型,研究了双探测器结构在提高系统探测性能中的作用。研究结果表明:回波越强,脉宽越窄,噪声越低,回波位置越靠前,目标探测概率越高,虚警率越低,系统探测性能越好;对于双探测器结构,与逻辑可很好地抑制虚警;或逻辑可提高目标探测概率;使用与逻辑和或逻辑相结合的双探测器结构,可以获得更高的目标探测概率和更低的虚警率。 展开更多
关键词 盖革模式 探测概率 双探测器结构 虚警抑制
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G-APD阵列——一种具有单光子灵敏度的三维成像探测器 被引量：5
15
作者 龚威 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期452-455,554,共5页
介绍了一种利用盖革模式雪崩二极管(G-APD)作为成像单元的新型阵列光电探测器,重点介绍了该新型成像光电探测器的关键技术、器件研发和系统应用的发展状况。G-APD阵列探测器兼具单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率两大特点,适用于对极... 介绍了一种利用盖革模式雪崩二极管(G-APD)作为成像单元的新型阵列光电探测器,重点介绍了该新型成像光电探测器的关键技术、器件研发和系统应用的发展状况。G-APD阵列探测器兼具单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率两大特点,适用于对极微弱光目标的三维成像探测。同时,G-APD阵列探测器又是一种全固态的光电探测器件,不仅体积小、重量轻、可靠性高,而且还可用现有的微光电子工艺进行规模化生产。因此,G-APD阵列是目前阵列光电探测器件的一个重大发展,必将在各种高端光电成像领域获得广泛的应用。 展开更多
关键词 光学器件 光电成像探测 雪崩二极管阵列 盖革模式 单光子成像 三维成像
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红外InGaAs/InP单光子探测器暗计数的研究 被引量：4
16
作者 李水峰 熊予莹 +1 位作者 李日豪 廖常俊 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2007年第2期141-145,共5页
在开发探测器灵敏度极限实现单光子探测时,暗计数是影响探测效率的主要原因。本文分析了在红外波段采用InGaAs/InP雪崩光电二极管工作于雪崩击穿电压之上(盖革模式),进行单光子探测时暗计数的三个主要来源,指出隧穿效应对暗计数的贡献... 在开发探测器灵敏度极限实现单光子探测时,暗计数是影响探测效率的主要原因。本文分析了在红外波段采用InGaAs/InP雪崩光电二极管工作于雪崩击穿电压之上(盖革模式),进行单光子探测时暗计数的三个主要来源,指出隧穿效应对暗计数的贡献是很小的,并且针对热噪声和后脉冲分析了减小暗计数的有效方法。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 暗计数 后脉冲 盖革模式
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光子计数三维成像激光雷达的分析与实验 被引量：4
17
作者 郭颖 侯利冰 舒嵘 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1081-1084,共4页
对于直接探测三维成像激光雷达,采用光子计数探测器可以响应单光子水平的目标回波,从而大大提高探测效率。研究的光子计数三维成像激光雷达采用盖革模式雪崩光电二极管(APD)作为探测器。首先分析了回波光子探测模型,并根据此模型讨论了... 对于直接探测三维成像激光雷达,采用光子计数探测器可以响应单光子水平的目标回波,从而大大提高探测效率。研究的光子计数三维成像激光雷达采用盖革模式雪崩光电二极管(APD)作为探测器。首先分析了回波光子探测模型,并根据此模型讨论了激光雷达探测概率和测距模式。在理论分析的基础上,设计了一套光子计数三维成像激光雷达系统,对一些选定目标进行了测距和三维成像实验,并对实验结果进行了分析。 展开更多
关键词 光子计数 盖革模式 三维成像 激光雷达
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近红外单光子读取电路 被引量：5
18
作者 黄振 蒋远大 +3 位作者 孙志斌 郑福 王超 翟光杰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第2期464-468,共5页
近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制... 近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制模块以及雪崩信号提取电路。主要采用延迟鉴别、边沿锁存的方法提取雪崩光电二极管雪崩信号。在整个实验过程中,雪崩光电二极管工作温度为-55℃,脉冲宽度10ns,门控频率1MHz和10MHz,激光器激光波长1550nm,单光子探测器是PGA-400InGaAs雪崩光电二极管。 展开更多
关键词 近红外 读取电路 铟镓砷雪崩光电二极管 盖革模式
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基于盖革模式APD阵列的激光雷达性能分析 被引量：2
19
作者 刘晓波 李丽 《航空兵器》 2009年第6期35-38,共4页
针对基于盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的激光雷达,提出一种分析其探测性能的方法。通过分析APD像元产生的初级光电子和噪声计数率,对APD像元的探测概率、虚警概率和漏警概率进行研究和仿真。结果表明,当激光雷达发射和接收光学系统... 针对基于盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的激光雷达,提出一种分析其探测性能的方法。通过分析APD像元产生的初级光电子和噪声计数率,对APD像元的探测概率、虚警概率和漏警概率进行研究和仿真。结果表明,当激光雷达发射和接收光学系统一定时,且探测500 m处目标,激光脉冲能量小于150μJ时,APD的探测概率随着激光脉冲能量的增加而提高;当激光脉冲能量在150μJ以上增加时,APD的探测概率保持不变。 展开更多
关键词 激光雷达 雪崩光电二极管 探测性能 盖革模式
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盖革模式雪崩光电二极管的场效应管淬灭电路设计 被引量：4
20
作者 施向东 赖晓艳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第1期56-59,78,共5页
雪崩光电二极管(Avalanche Photondiode,APD)是一种常用于激光探测领域的光敏元件。本文针对盖革模式雪崩光电二极管(Geiger Mode-Avalanche Photondiode,Gm-APD)工作时发生的雪崩效应,设计了一种场效应管淬灭电路(Field Effect Transis... 雪崩光电二极管(Avalanche Photondiode,APD)是一种常用于激光探测领域的光敏元件。本文针对盖革模式雪崩光电二极管(Geiger Mode-Avalanche Photondiode,Gm-APD)工作时发生的雪崩效应,设计了一种场效应管淬灭电路(Field Effect Transistor Quenching Circuit)。首先,针对Gm-APD器件的特性建立了Gm-APD的电学模型。其次,在此模型的基础上,设计并仿真验证了场效应管淬灭电路,实现了对Gm-APD的快速淬灭。结果表明,本文设计的场效应管淬灭电路淬灭速度快、死时间短、性能较优,淬灭时间和死时间分别为21.026 ns和16.5 ns,满足激光测距成像的应用需求。 展开更多
关键词 盖革模式 APD 场效应管淬灭电路 激光测距成像
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