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题名Ge掺杂ZnO薄膜光学特性的研究
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作者
范东华
王相虎
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机构
五邑大学应用物理与材料学院
上海电机学院机械学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期17-19,22,共4页
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基金
国家自然科学基金(10804071)
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文摘
采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射。通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合。
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关键词
ge掺杂zno薄膜
光致发光
蓝光发射
黄光发射
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Keywords
ge doped zno film, photoluminescence, blue emission, yellow emission
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分类号
O649
[理学—物理化学]
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