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题名锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应
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作者
于涵
何雄
张孔斌
何斌
罗丰
孙志刚
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机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期2069-2073,2085,共6页
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基金
国家自然科学基金(11574243,11174231)
国家自然科学基金重点项目(11834012)。
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文摘
本工作对Ag/p-Ge∶Ga/Ag器件的界面磁阻和体磁阻效应进行了研究,结果表明该器件的体磁阻效应远大于界面磁阻效应。对界面磁阻而言,界面局部等离子体的形成与淬灭受外加磁场的影响较小,致使界面磁阻很小;而对体磁阻而言,磁场导致载流子复合速率加快,使载流子浓度急剧下降,从而导致体磁阻数值较大。进一步研究发现,采用低载流子浓度Ge制备的器件可以获得更为优异的体磁阻效应。本工作也研究了不同磁场施加方向对体磁阻效应的影响,发现低温时体磁阻具有明显的各向异性。当温度低于200 K时,垂直方向的体磁阻明显大于平行方向的体磁阻,其中当温度为10 K时,垂直方向体磁阻最大值约为123%@1 T,远大于平行方向的体磁阻数值(仅约为41%@1 T)。机理分析认为,体磁阻效应的各向异性源于不同磁场构型下几何效应的差异,而低温下载流子迁移率的增加导致这种几何效应的影响更为明显。
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关键词
ge基半导体
界面磁阻效应
体磁阻效应
各向异性磁阻
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Keywords
ge-based semiconductor
interface magnetoresistance effect
bulk magnetoresistance effect
anisotropic magnetoresistance
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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