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三元有序合金Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)的时间分辨谱 被引量：3
1
作者 高玉琳 吕毅军 +3 位作者 郑健生 蔡志岗 桑海宇 曾学然 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期174-177,共4页
在室温和低温下 ,测试了有序Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨光致发光谱 .对实验结果的分析表明 ,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退 .室温下 ,快过程的时间常数在 12 8～ 2 5 0ps范围 ,低温 77K下则都有所变慢 ,大约在 186～ 5 64ps范围内 ... 在室温和低温下 ,测试了有序Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨光致发光谱 .对实验结果的分析表明 ,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退 .室温下 ,快过程的时间常数在 12 8～ 2 5 0ps范围 ,低温 77K下则都有所变慢 ,大约在 186～ 5 64ps范围内 ;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异 ,室温下大约在 3 0 8～ 183 2ps之间变化 ,低温 77K下 ,则在纳秒量级 ,最长的甚至达到 2 8ns以上 .对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明 ,快过程对应于有序区域中载流子的复合 ,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中心上的载流子的复合 .低温下的时间分辨谱表明 。 展开更多
关键词 时间分辨光致发光谱 Ⅲ-Ⅴ族半导体 三元有序合金 gaxin1-xp 镓铟磷合金
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GaAs衬底上Ga In_(1-x)P膜的电子探针X射线波谱分析 被引量：2
2
作者 毛振伟 李凡庆 +3 位作者 左健 卢江 谭舜 张庶元 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期97-98,96,共3页
本文用波长色散型电子探针对GaAs衬底上Ga_xIn_(1-x)P混晶膜的元素组分进行了分析,为用SEM-WDS测定该类混晶膜材料作了一次试验。
关键词 X射线波谱 gaxin1-xp 混晶膜
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生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用 被引量：1
3
作者 常晓阳 尧舜 +5 位作者 杨翠柏 张杨 陈丙振 张小宾 张奇灵 王智勇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期694-697,共4页
采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试... 采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由Ga_xIn_(1-x)P材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高Ga_xIn_(1-x)P材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。 展开更多
关键词 gaxin1-xp 无序度 生长温度 太阳能电池
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自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的喇曼光谱研究
4
作者 李国华 刘振先 +5 位作者 韩和相 汪兆平 董建荣 陆大成 孙殿照 王占国 《光散射学报》 1996年第1期6-11,共6页
在室温和非共振条件下测量了自发有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ合金的喇曼散射谱。测得的３８０，３６０和３３０ｃｍ－１附近的三个散射峰分别归结于合金中的类ＧａＰ的ＬＯ模、类ＩｎＰ的ＬＯ模和ＴＯＭ。发现有序合金的类ＧａＰ的ＬＯ... 在室温和非共振条件下测量了自发有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ合金的喇曼散射谱。测得的３８０，３６０和３３０ｃｍ－１附近的三个散射峰分别归结于合金中的类ＧａＰ的ＬＯ模、类ＩｎＰ的ＬＯ模和ＴＯＭ。发现有序合金的类ＧａＰ的ＬＯ模的声子频率随着合金的带隙能量的降低而增大。认为这与在有序合金中形成沿［１１１］方向的（ＧＳＰ）１／（ＩｎＰ）１单层超晶格有一定联系。在几种偏振配置下测得的有序合金的喇曼谱的偏振特性与通常的闪锌矿结构的半导体材料的偏振特性类似。 展开更多
关键词 喇曼散射光谱 有序合金 gaxin1-xp合金 半导体材料 自发有序性 铟镓磷合金
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