检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

共找到7篇文章

< 1 >

每页显示 20 50 100

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

显示方式：

文摘详细列表

相关度排序被引量排序时效性排序

一种新型的a-Si:H静电感应晶体管: 1; 作者林璇英林揆训 +1 位作者王德和陈志全《汕头大学学报（自然科学版）》 1990年第1期36-42,共7页; 我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10^(16)cm^(-3)ev^(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为... 展开更多; 关键词晶体管静电感应肖特基结 A-SI:H; 下载PDF 职称材料

薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究被引量：3: 2; 作者胡宇飞孙剑 +2 位作者钟伯强黄慈祥潘惠英《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期183-187,共5页; 对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂... 展开更多; 关键词界面薄膜晶体管非晶硅氮化硅; 下载PDF 职称材料

ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度: 3; 作者唐元洪《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第3期17-20,共4页; 首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导体综合测试仪测量结果相一致。; 关键词非晶硅隙态密度半导体微电流测试仪; 下载PDF 职称材料

用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度: 4; 作者王印月王辉耀张仿清《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期37-41,共5页; 本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.; 关键词非晶硅膜隙态密度温度调制薄膜; 下载PDF 职称材料

SCLC法测量非晶硅有效隙态密度: 5; 作者唐元洪《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期329-332,共4页; 提出了用空间电荷限制电流（SCLC）法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法，并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。; 关键词非晶硅测量方法隙态密度 SCLC法半导体材料; 下载PDF 职称材料

用光学方法研究掺硼 a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度: 6; 作者王印月吴现成陈光华《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期343-346,共4页; 用光透射法测得了 p-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度。对于与隙态有关的弱吸收区,利用 Mott-Davis 近似和隙态为高斯分布的假设,得到了远离平衡费米能级处的隙态分布。对于未掺杂和轻掺杂样品,隙态高斯分布的峰值 N(E_t)约为10^(18)/cm^... 展开更多; 关键词 P型非晶硅碳氢膜隙态密度光吸收; 下载PDF 职称材料

金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布: 7; 作者唐元洪《湖南大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期35-41,共7页; 本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.; 关键词非晶硅半导体电容测量隙态密度; 下载PDF 职称材料

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

上一页 1 下一页到第页

使用帮助返回顶部